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| 研究生： |
王宣翰 Wang, Hsuan-Han |
|---|---|
| 論文名稱： |
氧化釔界面層與閘堆疊工程對金氧半元件電特性之影響研究 Effects of Yttrium Oxide Interfacial Layer and Gate Stack Engineering on Electrical Characteristics of MOS Devices |
| 指導教授： |
張廖貴術
Chang-Liao, Kuei-Shu |
| 口試委員: |
趙天生
Chao, Tien-Sheng 李耀仁 Li, Yao-Jen |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2024 |
| 畢業學年度： | 112 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 126 |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
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全文公開日期 2029/01/24 (校內網路)全文公開日期 2029/01/24 (校外網路)