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研究生： 柯建宇
論文名稱： p-GaN/NiBe/Ag/Al反射式歐姆電極之光電特性研究
指導教授： 黃倉秀
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 工學院 - 材料科學工程學系
Materials Science and Engineering
論文出版年： 2009
畢業學年度： 97
語文別： 中文
論文頁數： 1冊
中文關鍵詞： p-GaN 、反射式 、歐姆電極 、Ag
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    • 摘 要

    本論文以電子槍蒸鍍系統製備p-GaN的反射式歐姆電極NiBe(2 nm)/Ag(150 nm)、NiBe(2 nm)/Ag(150 nm)/Al(2 nm)、NiBe(2 nm)/Ag(150 nm)/Al(5 nm)、NiBe(2 nm)/Ag(150 nm)/Al(10 nm)等四組試片，旨在研究Al超薄層的添加以及其厚度對於NiBe/Ag反射式歐姆電極光電特性的影響。除了探討在不同退火條件下，反射式歐姆電極的特徵接觸電阻之外，同時分析了電極的光反射率和金屬薄膜片電阻，並使用掃描式電子顯微鏡觀察試片表面樣貌，分析Al薄膜的添加對於抑制退火後Ag薄膜凝聚的效果。研究結果顯示，退火以後NiBe/Ag會發生劇烈凝聚現象，使得光反射率大幅下降，電極甚至呈現半透明，片電阻大幅增加；NiBe/Ag/Al在同樣的退火條件下，Al薄膜的添加發揮顯著抑制Ag膜凝聚的效用，即使經過長時間退火後仍具有一定的反射率，金屬薄膜片電阻也維持在與退火前幾乎一樣的數值。另外，Al薄膜的添加並不會使歐姆接觸變差，相對的反而促進了反射式電極的熱穩定性。綜合考量光反射率、金屬薄膜片電阻以及特徵接觸電阻，發現經長時間退火後NiBe/Ag/Al表現比NiBe/Ag優異，且Al薄膜厚度為2 nm時可以得到最佳結果。若以製作發光二極體之p-GaN反射式電極的觀點而言，p-GaN/NiBe(2 nm)/Ag(150 nm)/Al(2 nm)於空氣流通的石英爐管中，500 ℃下退火5分鐘後，可以得到在460 nm的光反射率為83%，金屬薄膜片電阻為0.14 Ω/□，特徵接觸電阻為2.3×10-2 Ω-cm2。

    目 錄 摘要 I 致謝 II 目錄 III 表格目錄 IV 圖片目錄 V 第一章 緒論 1-1 前言 1 1-2 基本理論 2 1-3 p-GaN歐姆接觸的文獻回顧 6 1-4 研究動機與目的 11 第二章 實驗 2-1 試片設計 13 2-2 實驗方法 13 第三章 結果與討論 3-1SEM觀察覆蓋Al薄膜抑制Ag薄膜凝聚現象之效果 19 3-2反射率量測結果 19 3-3 退火溫度對金屬薄膜片電阻的影響 22 3-4 CTLM量測結果 23 第四章 結論 26 參考文獻 28 表格 表1 ~ 表6 圖片 圖1 ~ 圖38

    參 考 文 獻

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