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研究生: 林佺賦
Lin, Chuan-Fu
論文名稱: 1200 伏特級先進 4H-SiC 溝槽式閘極金氧半場效電晶體之模擬
Simulation Study of Advanced 4H-SiC 1200 V Class Trench Gate MOSFET
指導教授: 黃智方
Huang, Chih-Fang
口試委員: 盧向成
黃宗義
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 電機資訊學院 - 電子工程研究所
Institute of Electronics Engineering
論文出版年: 2024
畢業學年度: 113
語文別: 英文
論文頁數: 86
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  • 無法下載圖示 全文公開日期 2029/09/11 (校內網路)
    全文公開日期 2029/09/11 (校外網路)

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