研究生: |
林佺賦 Lin, Chuan-Fu |
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論文名稱: |
1200 伏特級先進 4H-SiC 溝槽式閘極金氧半場效電晶體之模擬 Simulation Study of Advanced 4H-SiC 1200 V Class Trench Gate MOSFET |
指導教授: |
黃智方
Huang, Chih-Fang |
口試委員: |
盧向成
黃宗義 |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering |
論文出版年: | 2024 |
畢業學年度: | 113 |
語文別: | 英文 |
論文頁數: | 86 |
相關次數: | 點閱:2 下載:0 |
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