LDMOSFET特性分析及其模型的建立｜國立清華大學博碩士論文庫

簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表

研究生：	傅士豪 Fu, Shih-Hao
論文名稱：	LDMOSFET特性分析及其模型的建立 Analysis and Model Establishment of N-type Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (LDMOSFET)
指導教授：	龔正 Gong, Jeng 黃智方 Huang, Chin-Fang
口試委員:
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering
論文出版年：	2009
畢業學年度：	98
語文別：	中文
論文頁數：	127
中文關鍵詞：	LDMOS 、fT 、fmax 、小訊號等校電路模型、switch circuit 、insertion loss
相關次數：	點閱：2 下載：0
分享至:	分享至facebook 分享至twitter

查詢本校圖書館目錄查詢臺灣博碩士論文知識加值系統勘誤回報

本論文利用0.25-um BCD製程設計適合做高壓以及高頻應用的LDMOSFET，在直流特性部份，元件的臨界電壓為2.3V；在崩潰電壓方面可以達到25V。在高頻特性部份，高頻參數電流增益截止頻率（fT）為9.11GHz、最大振盪頻率(fmax)為7.16GHz。
建立LDMOSFET的小訊號等效電路模型對於分析元件特性包含增益、隔離度、插入損耗等有很大的幫助，本論文的LDMOSFET小訊號等效電路模型的參數萃取方法是利用Z-參數萃取外質部分，利用Y-參數萃取本質部份。在廣泛偏壓範圍及寬度的模擬結果都可以與量測結果契合。
利用萃取的小訊號參數可以建立收發切換開關（SPDT RF T/R Switch）的等效電路模型，收發切換開關具有低插入損耗、好的隔離度、低電壓與低消耗功率特性。
本論文設計的LDMOSFET所建立的小訊號模型與收發切換開關的特性，如增益、插入損耗、隔離度、P1dB以及IP3等表現都適合於頻為900-MHz的應用。

摘要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...I
Abstract. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...II
致謝 . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..III
目錄. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IV
表目錄. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VI
圖目錄. . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . .VII
第一章    緒論. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
1-1簡介. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . .1
1-2研究動機與背景. . . . . . . . . . . . . . . . . . ... .2
1-3論文綱要. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...2
第二章    LDMOSFET結構及特性與佈局考量. . . . . . . . . . .4
2-1簡介. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .......4
2-2 LDMOSFET的基本結構與工作原理. . . . . . . . . . ......4
2-2-1 LDMOSFET的基本結構. . . . . . . . . . . . . ........5
2-2-2 LDMOSFET的工作原理. . . . . . . . . . . . . ........7
2-3佈局考量. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...8
2-4 LDMOSFET的直流分析與高頻特性. . . . . . . . . . ......9
2-4-1 LDMOSFET的直流特性分析. . . . . . . . . . .........10
2-4-2 LDMOSFET的高頻特性分析. . . . . . . . . ......... .11
第三章    LDMOSFET小訊號模型的建立. . . . . . . . . . . .27
3-1簡介. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. .27
3-2 Pad效應. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. .27
3-3 LDMOSFET模型參數的萃取. . . . . . . . . . . . .. .. .30
3-3-1 改變偏壓小訊號參數的變化. . . . . . . . . . .. .. .33
3-3-2 改變FN小訊號參數的變化. . . . . . . . . . .. .. .. 35
3-4 LDMOSFET小訊號等效電路模型的建立及最佳化. . . .. .. .35
3-4-1 寄生電感的萃取. . . . . . . . . . . . . . . .. .. .36
3-4-2 小訊號等效電路模型的建立. . . . . . . . . . .. .. .38
第四章    LDMOSFET開關模型的建立. . . . . . . . . . . .. .84
4-1簡介. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. .84
4-2 LDMOSFET開關元件模型的建立及最佳化. . . . . . .. .. .85
4-2-1  導通電阻與基板電阻. . . . . . . . . . . . .. .. ..85
4-2-2  LDMOSFET開關元件的模擬與模型的建立. . . .. .. .. .86
4-3 LDMOSFET開關電路模型的建立及最佳化. . . . . . .. .. .88
4-4 LDMOSFET開關大訊號之分析. . . . . . . . . . . .. .. .90
第五章    結論. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .120
參考文獻. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. .. ..122
附錄A. 各種參數之間的轉換. . . . . . . . . . . .. .. .. 124

                                

[1]Richard S. Muller and Theodore I. Kamins “Device Electronics for Integrated Circuits” , Copyright 2003
[2]S. Tam, F-C. Hsu, C. Hu, R. S. Muller, P. K. Ko “Hot-Electron Currents in Very Short Channel MOSFET’s”, IEEE Electron Device Letters, VOL. EDL-4, NO. 7, July 1983
[3]Chih-Chang Cheng, J. W. Wu, C. C. Lee, J. H. Shao and T. Wang “Hot Carrier Degradation in LDMOS Power Transistors”, IEEE Proceedings of 11th IPFA 2004, Taiwan
[4]Paul J. Tsang, Seiki Ogura, William W. Walker, Joseph F. Shepard and Dale L. Critchlow “Fabrication of High-Performance LDDFET’s with Oxide Sidewall-Spacer Technology”, IEEE Transactions on Electron Devices, VOL. ED-29, NO. 4, April 1982
[5]Gilles Dambrine, Alain Cappy, Frederic Heliodore and Edouard Playez “A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, VOL. 36, NO. 7, July 1988
[6]David Lovelace, Julio Costa and Natalino Camilleri “Extracting Small-Signal Model Parameters of Silicon MOSFET Transistors”, 1994 IEEE MTT-S Digest
[7]Sorin P. Voinigescu, Mihai Tazlauanu, P. C. Ho and M. T. Yang “Direct Extraction Methodology for Geometry-Scalable RF-CMOS Models”, Proc. IEEE 2004 Int. Conference on Microelectronic Test Structures, VOL 17, March 2004
[8]Seonghearn Lee, Hyun Kyu Yu, Cheon Soo Kim, Jin Gun Koo and Kee Soo Nam “A Novel Approach to Extracting Small-Signal Model Parameters of Silicon MOSFET’s”, IEEE Microwave and Guided Wave Letters, VOL. 7, NO. 3, March 1997
[9]Seonghearn Lee and Hyun Kyu Yu “Parameter Extraction Technique for the Small-Signal Equivalent Circuit Model of Microwave Silicon MOSFET’s”, 1997 IEEE
[10]Zhenbiao Li, Hyun Yoon, Feng-Jung Huang and Kenneth K. O
“5.8-GHz CMOS T/R Switches With High and Low Substrate Resistances in a 0.18-um CMOS Process”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, VOL. 13, NO. 1, January 2003
[11]Feng-Jung Huang and Kenneth K. O “A 900-MHz T/R Switch with a 0.8-dB Insertion Loss Implemented in a 0.5-um CMOS Process”, IEEE 2000 Custom Integrated Circuits Conference
[12]Feng-Jung Huang and Kenneth K. O “A 0.5-um CMOS T/R Switch for 900-MHz Wireless Applications”, IEEE Journal of Solid-State Circuit, VOL. 36, NO. 3, March 2001
[13]David M. Pozar “Microwave Engineering 3/E”, Copyright
2005
[14]Guillremo Gonzalez “Microwave Transistor Amplifier Analysis and Design” , Copyright 2008

全文公開日期本全文未授權公開 (校內網路)
全文公開日期本全文未授權公開 (校外網路)

簡易檢索 / 詳目顯示

相關論文