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研究生: 許弘承
Hsu, Hung-Cheng
論文名稱: 成長於碳化矽基板之T型閘極結構氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體元件之研製
Study and Fabrication of GaN HEMTs With T-gate Structure on SiC RF Devices
指導教授: 吳孟奇
Wu, Meng-Chyi
口試委員: 王郁琦
Wang, Yu-Chi
蘇炎坤
Su, Yan-Kuen
王永和
Wang, Yung-He
羅文雄
Luo, Wen-Shiung
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 電機資訊學院 - 電子工程研究所
Institute of Electronics Engineering
論文出版年: 2024
畢業學年度: 112
語文別: 英文
論文頁數: 107
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