化學機械拋光，是半導體製程中達到全域平坦化最有效的辦法，同時也是眾多製程中不可或缺的重要製程步驟。
拋光墊，是化學機械拋光製程主要耗材之一；而拋光墊使用壽命的長短，更是關係到製程穩定性、甚至於使用者成本等的重要因素；因此，半導體廠無不希望能夠在兼顧製程穩定度的前提下，設法延長拋光墊使用壽命，進而節省成本，提升企業競爭力。

根據研究，拋光墊使用壽命與拋光墊損耗程度之間，存在著相當密切的關係；然而，拋光墊的損耗除了是由拋光過程產生之外，其實絕大部分是由拋光墊的修整動作所產生。

因此，本研究基於以上考量，決定利用實驗模擬與理論推導並行方式，觀察六大修整參數：修整壓力、修整轉速、修整時間、拋光墊浸泡拋光液的時間、拋光墊使用程度以及拋光液酸鹼性等參數，分別對拋光墊表面粗度與拋光墊修除程度（修整率）的影響及變化趨勢。

本研究的最終目的，是希望歸納出在維持有效修整效果前提下，如何有效降低拋光墊因修整所造成的材料修除程度，同時並回復理想的拋光墊表面粗糙度。本研究最終結果顯示，選用較低的修整壓力與修整轉速，可有效降低拋光墊的修除程度，且拋光墊硬度以及拋光液酸鹼性，亦是關係到修除效果的一大關鍵，這些都是製程人員所必須重視的課題。

Chemical Mechanical Polishing (CMP) is the most effective way to achieve global planarization in semiconductor process. In addition, the polishing pad is one of the primary consumables in CMP. And the pad life will deeply influence the process stability and the cost of ownership. For this reason, we want to extend pad life in a premise of maintain process stability.
According to academic research, there are some relationship between pad life and removed degree of pad material. However, most of the pad material removed caused by pad conditioning. Therefore, we want to understand the properties variation of pad during pad conditioning process. And we will analyze the surface roughness and dressing rate of pad between several kinds of conditioning factors, such as conditioning pressure, conditioning velocity, conditioning time, soaking time of pad, degree of pad usage, and the pH of slurry, etc.

The purpose of my study is trying to reduce the removed degree of conditioning pad and arise the surface roughness of pad in a premise of achieve ideal conditioning effect.

Consequently, according to the experiment and theoretical results, the lower conditioning pressure and conditioning velocity will reduce the pad removal degree. And the pad hardness and the pH of slurry, etc, will influence the dressing rate at the same time.

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