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研究生: 楊閔智
Yang-ming Chen
論文名稱: 溶凝膠法製作SrBi2Ta2O9鐵電薄膜研究
指導教授: 胡塵滌
Dr.Chen-Ti Hu
簡昭欣
Dr.Chien Chao-Hsin
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 工學院 - 材料科學工程學系
Materials Science and Engineering
論文出版年: 2001
畢業學年度: 89
語文別: 中文
論文頁數: 118
中文關鍵詞: 鐵電薄膜溶凝膠法低壓退火鉭酸鍶鉍鐵電薄膜
外文關鍵詞: Ferroelectric thin film, sol-gel, low pressure annealing, SrBi2Ta2O9
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  • 摘要
    本實驗主要可分為兩部分:第一部份是使用溶凝膠法,以旋鍍的方式,在具有不同下電極結構的基板上,成長鉭酸鍶鉍鐵電薄膜。並探討製程參數對其結晶行為及電性的影響。將鉭酸鍶鉍薄膜分別沈積在Pt/Ta/SiO2/Si,Pt/Ta/Si3N4/SiO2/Si ,Pt/Ti/SiO2/Si ,Pt/Ti/Si3N4/SiO2/Si基板上。經過750℃ 1min 退火後,發現以Ta作為黏著層的試片,擁有較佳的鐵電特性。

    本文第二部分使用低壓退火及過量30%鉍之鉭酸鍶鉍薄膜,試圖降低鉭酸鍶鉍薄膜之結晶溫度。雖然過量30%鉍之鉭酸鍶鉍薄膜擁有較佳的結晶性但卻有較大的漏電流。而低壓退火的方法並不能有效的降低結晶溫度但卻能使薄膜緻密進而降低漏電流的值。


    目 錄 摘 要 致 謝 目 錄…………………………………………………………………….i 表目錄…………………………………………………………………..v 圖目錄………………………………………………………………….vi 第一章 緒論…………………………………………………………….1 第二章 文獻回顧……………………………………………………….3 2-1鐵電性質……………………………………………………….3 2-2鐵電薄膜之製作與發展……………………………………….4 2-3鐵電薄膜在記憶元件中的應用……………………………….5 2-4層鈣鈦礦晶體狀晶體結構…………………………………….8 2-5使用於鐵電記憶體的材料…………………………………….9 2-6有關於SBT鐵電薄膜的研究………………………………..10 2-6-1高溫退火下的問題…………………………………..10 2-6-2降低製程溫度及增加殘餘極化量的方法…………..11 2-6-2-1利用不同的成分組成……………………….11 2-6-2-2使用不同的緩衝層或電極………………….12 2-6-2-3使用不同的製程方法……………………….13 2-7可靠度………………………………………………………..13 2-8薄膜的製程…………………………………………………..17 2-8-1配方溶液的研製與調配………………………………….17 2-8-1-1溶膠凝膠法…………………………………………….18 2-8-1-2溶膠-凝膠法的基本原理………………………………..18 2-8-2薄膜披覆製程………………………………………………….19 2-8-3低溫焦化熱處理……………………………………………….20 2-8-4高溫結晶與緻密化熱處理……………………………………..20 第三章實驗程序 3-1基板的準備…………………………………………………..29 3-1-1擴散阻絕層及黏著層的製備………………………….30 3-1-2白金電極的製備……………………………………….30 3-2以溶凝膠法備製SBT薄膜…………………………………..31 3-3薄膜性質之量測分析………………………………………..32 3-3-1電性量測……………………………………………….32 3-3-2薄膜物性分析………………………………………….34 第四章結果與討論 4-1退火溫度對鐵電特性的影響……………………………….46 4-1-1製程條件……………………………………………….46 4-1-2電性分析……………………………………………….46 4-1-3結晶結構……………………………………………….47 4-1-4微觀結構……………………………………………….48 4-2不同擴散阻絕層及黏著層對薄膜性質的影響……………..49 4-2-1製程條件……………………………………………….49 4-2-2電性分析……………………………………………….49 4-2-3結晶結構……………………………………………….52 4-2-4微觀結構……………………………………………….52 4-3不同鉭厚度對鐵電性的影響……………………………….54 4-3-1製程條件……………………………………………….54 4-3-2電性分析……………………………………………….54 4-3-3結晶結構……………………………………………….54 4-3-4微觀結構……………………………………………….55 4-4低壓退火對鐵電性的影響………………………………….55 4-4-1製程條件……………………………………………….55 4-4-2電性分析……………………………………………….56 4-4-3結晶結構……………………………………………….57 4-4-4微觀結構……………………………………………….57 4-5不同成分的鉍對鐵電特性的影響…………………………..58 4-5-1製程條件……………………………………………….58 4-5-2電性分析……………………………………………….58 4-5-3結晶結構……………………………………………….58 4-5-4微觀結構……………………………………………….58 4-6結合過量的鉍成分及低壓退火的條件探討其對鐵電特性的 影響………………………………………………………….59 4-6-1製程條件……………………………………………….59 4-6-2電性分析……………………………………………….59 4-6-3結晶結構……………………………………………….60 4-6-4微觀結構……………………………………………….60 4-7不同退火氣氛對鐵電性的影響……………………………..61 4-7-1製程條件……………………………………………….61 4-7-2電性分析……………………………………………….61 4-7-3結晶結構……………………………………………….61 4-7-4微觀結構……………………………………………….62 第五章結論………………………………………………………..113 參考文獻…………………………………………………………..114 表目錄 表4-1以鈦為黏著層之製程參數………………………………..63 表4-2各種不同黏著層與擴散阻絕層之製程參數………………63 表4-3不同厚度鉭黏著層之製程參數……………………………64 表4-4低壓退火之製程參數………………………………………64 表4-5採用過量鉍之製程參數……………………………………65 表 4-6 結合過量鉍與低壓退火之製程參數…………………….65 表4-7不同退火氣氛替代氧氣之製程……………………………66 圖目錄 圖2-1 鐵電材料極化(P)與外加電場(E)之關係圖…………….22 圖2-2 FET-type鐵電記憶體操作原理..…………………………. 22 圖2-3 1T-1C type鐵電記憶體操作原理………………………….. 23 圖2-4 鈣鈦礦結構…………………………………………………….24 圖2-5 SrBi2Ta2O9的層狀鈣鈦礦結晶構造…………………………..25 圖2-6 SBT薄膜Sr及Bi含量與電滯曲線變化關係圖……………..26 圖2-7 Pt/SBT/Pt結構薄膜外加電壓0.8V下照光10分鐘出現光學 疲勞…………………………………………………..…….. 26 圖2-8浸鍍的過程…………………………………………………… 27 圖2-9旋鍍的過程………………………………………………….. 27 圖2-10 PbTiO3 的TGA圖…………………………………………… 28 圖3-1以不同方法沈積白金電極在Ti/SiO2/Si基板上之X-ray繞射 圖…………………………………………………………….. 38 圖3-2以不同方法沈積白金電極在Ta/SiO2/Si基板上之X-ray繞射 圖……………………………………………………………… 38 圖3-3以不同方法沈積白金電極在Ti/SiO2/Si基板上之SEM照片39 圖3-4以不同方法沈積白金電極在Ta/SiO2/Si基板上之SEM照片40 圖3-5以基板溫度400℃沈積白金電極在不同基板上之側面SEM照 片……………………………………………………………….41 圖3-6實驗流程圖…………………………………………………….42 圖3-7薄膜電容示意圖……………………………………………….43 圖3-8 RT66之Vitual Ground Mode的等效電路圖……………..43 圖3-9遲滯行為的量測曲線………………………………………..44 圖3-10脈衝行為的量測曲線……………………………………...44 圖3-11疲勞行為量測曲線………………………………………….45 圖4-1鈦黏著層上不同退火溫度沈積鍶鉍鉭氧化物之電滯曲線圖 ………………………………………………………………..67 圖4-2鈦黏著層上低溫下長時間退火沈積鍶鉍鉭氧化物之電滯曲 線.…………………………………………………………….68 圖4-3不同退火溫度沈積對鈦黏著層上鍶鉍鉭氧化物薄膜與2Pr及 2Ec之效應曲線……………………..……………………….69 圖4-4不同退火溫度對鈦黏著層上沈積鍶鉍鉭氧化物薄膜對介電常 數的影響曲線…………………………………………………69 圖4-5不同退火溫度處理以鈦為黏著層試片之漏電流密度對電壓關 係曲線…………………………………………………………70 圖4-6較長時間作不同低溫退火處理以鈦為黏著層試片之漏電流密 度對電壓關係…………………………………………………70 圖4-7以鈦為黏著層不同退火溫度鉭酸鍶鉍薄膜的疲勞曲線圖…71 圖4-8以鈦為黏著層不同退火溫度下鉭酸鍶鉍鉭薄膜之x-ray繞射 圖……………………………………………………………..72 圖4-9長時間較低退火溫度下以鈦為黏著層鉭酸鍶鉍薄膜之x-ray 繞射圖…………………………………………………………72 圖4-10 以鈦為黏著層鉭酸鍶鉍薄膜經不同退火溫度退火後之SEM 照片………………………………………………………….73 圖4-11以鉭作為黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過不同退火溫度之電滯 曲線之電滯曲線……………………………………… …..74 圖4-12以鉭作為黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過低溫下長時間退 火之電滯曲線……………………………………………….75 圖4-13 以Pt/Ta/Si3N4/SiO2/Si為下電極結構的各種退火溫度 之電滯曲線………………………………………………….76 圖4-14殘餘極化量在不同下電極結構對溫度的關係圖………….77 圖4-15矯頑電場在不同下電極結構對溫度的關係圖…………….77 圖4-16介電常數在不同下電極結構對溫度的關係……………….78 圖4-17以鉭作為黏著層經過不同退火溫度後漏電流密度對電壓關 係…………………………………………………………….79 圖4-18 以鉭作為黏著層長時間經過長時間不同退火溫度後漏電流 密度對電壓關係…………………………………………….79 圖4-19以Pt/Ta/SiO2/Si為下電極結構經過不同退火溫度後漏電流 密度對電壓關係…………………………………………….80 圖4-20 以鉭為黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜不同退火溫度疲勞曲線 圖………… …………….…………………………………81 圖4-21不同下電極結構經過退火溫度750℃ 1min的X-ray繞射 圖…………….………………………………………………82 圖4-22沈積鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層之SEM照片…………….83 圖4-23不同電極結構經過退火溫度800℃後的SEM照片………..84 圖4-24 鉭酸鍶鉍薄膜以Pt/Ti/Si3N4為下電極結構經過800℃ 1min 退火後的SEM照片………………………………..85 圖4-25以不同黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經750℃ 1min退火後之 SIMS 縱深分析圖………………………………………...86 圖4-26鉭酸鍶鉍薄膜不同鉭厚度退火溫度750℃ 1min後之電滯 曲線圖………………………………………………………..87 圖4-27沈積鉭酸鍶鉍薄膜不同鉭層厚度其2Pr及2Ec之關係圖….88 圖4-28不同鉭層厚度經退火溫度750℃ 1min 後X-ray繞射圖….88 圖4-29鉭酸鍶鉍薄膜在不同Ta層厚度經過退火溫度750℃ 1min 之SEM照……………………………………………………..89 圖4-30不同厚度Ta層經退火溫度800℃後的SEM照片…………..90 圖4-31以不同鉭層厚度沈積鉭酸鍶鉍薄膜經750℃ 1min退火後 之 SIMS縱深分析圖………………………………………….91 圖4-32鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過退火溫度700℃ 10min 45 torr 氧氣氛後之電滯曲線圖……………………….….92 圖4-33鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過退火溫度650℃ 20min 45torr後之電滯曲線圖………………………. ……………93 圖4-34鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過退火溫度700℃ 10min 45torr或760 torr後之漏電流密度對電壓關係曲線……..94 圖4-35鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過退火溫度650℃ 20min 45 torr或760 torr 後之漏電流密度對電壓關係曲線….94 圖4-36鉭酸鍶鉍薄膜以鈦為黏著層在700℃ 10min 不同壓力下退 火的疲勞曲線圖(a)45torr(b)760torr…………………….95 圖4-37鉭酸鍶鉍薄膜以鉭為黏著層在650℃ 20min 不同壓力下退 火的疲勞曲線圖(a)45torr(b)760torr…………………….96 圖4-38鉭酸鍶鉍薄膜以不同黏著層在700℃ 10min 不同壓力下退 火之X-ray繞射圖…………………………………………..97 圖4-39鉭酸鍶鉍薄膜以不同黏著層在650℃ 20min 不同壓力下退 火之X-ray繞射圖…………………………………………..97 圖4-40鉭酸鍶鉍薄膜以不同黏著層在700 ℃ 10min不同壓力下退 火後之SEM照片……………………………………………….98 圖4-41鉭酸鍶鉍薄膜以不同黏著層在650 ℃ 200min不同壓力下 退火後之SEM照片…………………………………………..99 圖4-42不同鉍成分之鉭酸鍶鉍薄膜在經過750 1min退火後之漏 電流密度對電壓圖………………………………………….100 圖4-43不同鉍成分之鉭酸鍶鉍薄膜在經過750 1min退火後之 X-ray繞射圖………………………………………………100 圖4-44鉍較多之鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過750 1min退 火後之SEM圖………………………………………………..101 圖4-45鉍較多之鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過650torr退火 後之電滯曲線………………………………………………..102 圖4-46鉍較多之鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過650℃ 20min 45torr退火後再經650℃ 20min 760 torr退火之電滯曲 線…………………………………………………………….103 圖4-47不同鉍成分之鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過650℃ 20min 45torr退火後之漏電流密度對電壓圖…………..104 圖4-48鉭酸鍶鉍薄膜有無經過第二次650℃ 20min 760torr 退火之漏電流密度對電壓圖……………………………..104 圖4-49不同鉍成分之鉭酸鍶鉍薄膜在不同黏著層經過650℃ 20min 45torr退火後之X-ray繞射圖…………………..105 圖4-50具有過量鉍成分之鉭酸鍶鉍薄膜經過650℃ 20min 45torr 退火後之SEM照片……………………………….106 圖4-51以鉭為黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過不同退火溫度 一氧化二 的退火後之電滯曲線……………………….…107 圖4-52以鈦為黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過不同退火溫度 一氧化二氮的退火後之電滯曲線………………………….108 圖4-53以不同黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過不同退火溫度一 氧化二鉭退火後之漏電流密度對電壓圖………………….109 圖4-54以不同黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過不同退火溫度氬氣 氛退火後之漏電流密度對電壓圖………………………….109 圖4-55以不同黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經750℃ 1min氬氣氛 退火 後之X-ray圖………………………………………..110 圖4-56以不同黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過不同退火溫度一 氧化二氮氣氛退火後之X-ray繞射圖…………………….110 圖4-57以不同黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過750℃ 1min一氧 化二氮氣氛退火後之SEM照片…………………………….111 圖4-58以不同黏著層沈積鉭酸鍶鉍薄膜經過750℃ 1min氬氣 氛退火後之SEM照片…………………………………….112

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