利用電子束微影技術製作間隔小於10nm的電極｜國立清華大學博碩士論文庫

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研究生：	顏培峻
論文名稱：	利用電子束微影技術製作間隔小於10nm的電極
指導教授：	周亞謙教授
口試委員:
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	理學院 - 物理學系 Department of Physics
論文出版年：	2002
畢業學年度：	90
語文別：	中文
論文頁數：	45
中文關鍵詞：	電子束微影技術、奈米元件
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摘要
隨著科技的日新月異，所使用技術的提升不但可以節省成本，增加產能，更代表進入了另一個里程，微影技術在電子元件製程中可以說是最重要的一環，而現今所使用的光學微影技術已經是相當成熟的製程技術，但受限於光波長的自然因素，要讓現今所使用的製程能再更小，是相當不容易的，所以就發展出了下一代的微影技術，而最可能成為主流的即為電子束微影，但由於目前的電子束微影技術並不能跟光學微影技術量產的速度相比，故目前大多為研究方面使用，而電子束微影很輕易的便能製作出50 nm以下的結構，所以在製作單電子電晶體(Single Electron Transistor)或是量子點(quantum dot)等結構是相當方便的，我們便可以藉此更加了解奈米元件的量子力學效應以及將來奈米元件所能應用的範圍，甚至是10 nm以下的元件，都可藉此瞭解元件製造過程中所遭遇的問題，以及元件的物理特性。

目       錄
摘   要                 …………………………………...…3

Ch.1  電子束微影技術(E-BEAM LITHOGRAPHY) …        ....4

1.1原 理                ……………………………………...4

1.2電子束微影的優缺點             …………………………10

Ch.2 利用電子束微影製作奈米結構         ………………………………………...11

2.1使用的儀器             …………………………………..11

2.2使用的樣品               ……………………………....11

  2.2.1樣品的種類           ..………………………………11

     2.2.2樣品的清洗           .……………………………11

     2.2.3光阻液的調製         …………………………….12

     2.2.4光阻液的塗佈及烘烤   …………………………….12

    2.3 製作最基本的結構    ..    …………………………13

        2.3.1 機器的校正工作  ……………………….…….13

2.3.2點、線、面          ..…………………….…………..14

           2.3.3 顯影              ……………………….18

           2.3.4 鍍金屬層    ……………………………….25

           2.3.5 剝離法 ( LIFT OFF ……………………...27

Ch.3 利用電子束微影製作小於10 nm的Gap          ……….31

3.1簡介              ………………………………………….31

3.2實驗情況            …………..………………………….33

3.3心得與總結          ………..…………………………...43

    參考資料            ……………………………………..45

參考資料
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全文公開日期本全文未授權公開 (校內網路)
全文公開日期本全文未授權公開 (校外網路)
全文公開日期本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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