本論文分為兩部分，第一部份為中尺度氧化矽薄膜與崁入中尺度孔洞的鉑( Pt )金屬膜的研究，主要是利用徑向掃描、rocking curve掃描、X光反射率測量、X光掠角繞射以及X光繞射影像擷取…等方式，來解析出薄膜結構。本文首先將簡單介紹X光基本理論及實驗樣品，接著在介紹一些測量材料的理論與方式，最後則是實驗的結果及討論。在結論部分，我們發現孔洞薄膜的結構，在靠近晶體的表面與晶體的深層處有所不同，即有兩種結構存在。此外，孔洞排列的方向，不見得與dip coating方向平行，這點可能與dip coating的速度和表面張力對浸漬塗佈矽晶片邊界大小的影響有關。
第二部份為GeSi/Ge的介面研究，其目的在於發展一新方法，去分析介面相關結構的訊息。在實驗上是利用三光複繞射技術，直接測量一階( Primary)Ge(2 2 2)以及擷取沿著基板與薄膜介面行進的二階(Secondary)Ge(-1 3 1)繞射影像。在結果方面，發現X光打在樣品不同位置處，其攜帶介面訊息的二階Ge 繞射影像與在一階Ge 位置的掃描圖形會有所不同，這表示介面間結構的應力場分佈為位置之函數，很類似Quantum dot的結構，同時我們也成功由繞射影像圖形，計算出介面間晶格扭曲程度的應變量(strain)。

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