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研究生: 林品翔
Lin, Pin-Siang
論文名稱: 堆疊氧化物與電漿處理之電荷儲存層對多晶矽快閃記憶體元件之操作特性及輻射傷害之影響
Effects of Stacked Oxide and Plasma Treatment in Charge Trapping Layers on Operation Characteristics and Radiation Damage of Poly-Si Flash Memory Devices
指導教授: 張廖貴術
Chang-Liao, Kuei-Shu
口試委員: 趙天生
Zhao, Tian-Sheng
吳永俊
Wu, Yong-Jun
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 原子科學院 - 工程與系統科學系
Department of Engineering and System Science
論文出版年: 2024
畢業學年度: 112
語文別: 中文
論文頁數: 109
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  • 無法下載圖示 全文公開日期 2028/12/31 (校內網路)
    全文公開日期 2028/12/31 (校外網路)

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