本研究欲發展改良型欄柵太陽能電池，結合兩種便宜的蝕刻技術（KOH化學粗化法與電化學蝕刻法），成功的製作出新型結構之矽基板，具優良的抗反射效果與多的表面積，應可用來當作太陽能電池基板，以提升光的捕捉效應與增加pn介面的面積。因此，本論文主要討論蝕刻參數對基板形貌的影響，以及基板形貌與反射率的關係。並製作出電池，討論不同基板形貌對電池電性的影響。
KOH化學粗化過的金字塔結構根據形貌與分佈大致分可為微小金字塔、完美金字塔與鬆散金字塔結構。因此，當電化學蝕刻成長多孔矽於鬆散金字塔表面時，可觀察到同時具有三種結構形貌之新型太陽能電池基板：金字塔、金字塔表面的多孔矽與金字塔周圍的多孔矽深溝渠結構。多孔矽深溝渠結構成功的蝕刻於金字塔的交界處，且分佈均勻，溝槽間距由金字塔的寬度決定約10µm左右，可避免高溫擴散n+射極時因間距太窄而失去pn介面。且與傳統只用KOH化學粗化法的單晶矽太陽能電池基板相比，反射率由11%~12%降至4%~5%，表面積增加約至少2.5倍以上。
比較不同基板形貌對電池電性的影響，多孔矽基板製作出的太陽能電池，Jsc有明顯的上升，效率有提升的趨勢。

[1] J. J. Loferski et al., Conf. Rec. 9th IEEE Photovoltaic Spec. Conf., Silver Spring, (1972) p. 19.
[2] J. J. Loferski et al., Conf. Rec. 10th IEEE Photovoltaic Spec. Conf., Palo Alto, (1973) p. 58.
[3] Hwang et al., Jpn. J. Appl. Phys. 19 Supple. 19-1, (1980) 527
[4] Hwang et al., J. Appl. Phys. 52(3) (1981) 1548.
[5] P. Campbell et al., J. Appl. Phys. 62 (1987) 243.
[6] H. Takato et al., J. Appl. Phys. 31 (1992) L1665.
[7] K.E.Bean, P.S.Gleim, 1969, Proc.IEEE, vol.57, pp.1469
[8] K.E.Petersen, 1982, ”Silicon as a mechanical
material”, Proc.IEEE, vol.70, pp.420
[9] H.Seidel, L.Gsepregi, A.Henberger, H.Baumgartel, 1990, ”Anisotropic etching of crystalline silicon in alkaline sduties”, ibid, vol.137, pp3612.
[10] T. Unagami, J. ELectrochem. Soc. 124, 476 (1980).
[11] V. P. Parkhutik, L. K. Glinenko, and V. A. Labunov,
Surf. Technol. 20, 265 (1983).
[12] J. P. O’Sullivian and G. C. Wood, Proc. R. Soc. London Ser. A 317, 511 (1970).
[13] M. I. J. Theunissen, J. A. Appels, and W. H. C. G. Verkuylen, J. Electrochem. Soc. 117, 959 (1970).
[14] M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, M. J. Uren, N. G. Chew, and A. G. Cullis, J. Cryst. Growth 73, 622
(1985).
[15] R. L. Smith, S. -F. Chuang, and S. D. Collins, J. Electron. Mater. 17, 533 (1988).
[16] V. Lehmann and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 58, 856 (1991).
[17] L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046(1990).
[18] M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, M. J. Uren, N. G. Chew, and A.G. Cullis, J. Cryst. Growth 73, 622 (1985).
[19] L. N. Aleksandrov and P. L. Novikov, Thin Solid Films330, 102 (1998).
[20] R. L. Smith, S. -F. Chuang, and S. D. Collins, J.
Electron. Mater. 17, 533 (1988).
[21] T. A. Witten and L. M. Sander, Phys. Rev. Lett. 47,
1400 (1981).
[22] G. C. John and V. A. Singh, Phys. Rev. B. 52, 11125 (1994).
[23] R. L. Smith, S. -F. Chuang, and S. D. Collins, J. Electron. Mater. 17, 533 (1988).
[24] J. Carstensen, M. Christophersen, and H. Föll, Mater. Sci. Eng. B69-70, 23 (2000).
[25] M. Christophersen, J. Carstensen, and H. Föll, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 103 (2000).
[26] 游仁州，中興材料所，（2006）。
[27] J. H. Kwon et al., Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 45, No. 4A (2006).