研究生: |
賴穎輝 Ying-Hui Lai |
---|---|
論文名稱: |
新型釕金屬錯合物的合成及其在化學氣相沉積的應用研究 |
指導教授: |
季昀
Yun Chi |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
理學院 - 化學系 Department of Chemistry |
論文出版年: | 2003 |
畢業學年度: | 91 |
語文別: | 中文 |
中文關鍵詞: | 釕 、二氧化釕 、化學氣相沉積 |
外文關鍵詞: | Ruthenium, RuO2, Chemical Vapor Deposition |
相關次數: | 點閱:2 下載:0 |
分享至: |
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
本篇論文在闡述六種含金屬釕錯合物的合成及其在有機金屬化學氣相沉積上的應用。首先我們對金屬釕的基本性質及特性做了簡短的介紹,接著討論金屬釕的應用性及回顧文獻中釕金屬薄膜相關的製備及前驅物的選用;而在實驗部分,第一部分為釕金屬錯合物的合成步驟,我們詳盡敘述各化合物的合成方法、分子單晶結構解析以及物理性質,並對同系列錯化合物的性質加以比較。第二部分著重在鍍膜實驗上,我們利用冷壁式化學氣相沉積系統製備金屬釕與二氧化釕薄膜,並針對此兩種薄膜的成長行為、微結構 (morphology)、位向優選性、電性和純度等性質做深入的探討。
1. The chemistry of metal CVD / ed. By Toivo Koadsand Mark Hampden-Smith. – Weinheim; New York; Basel; Cambridge; Tokyo: VCH, 1994.
2. (a) David R. Lide, “CRC Handbook of Chemistry and Physics”; CRC Press: F. L. Boca Raton, 1997; P 12-45. (b) M. L. Green, M. E. Gross, L. E. Papa, K. J. Schnoes, D. Brasen, J. Electrochem. Soc. 1985, 132, 2677.
3. S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, and H. Ono, IEEE Trans. Electron Devices 1997, 44, 1076.
4. J. Vetrone, C. M. Foster, G.-R. Bai, A. Wang, J. Mater. Res. 1998, 13, 2281.
5. Y. C. Choi, B. S. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 1999, 38, 4876.
6. Y. Matsui, M. Hiratani, T. Nabatame, Y. Shimamoto, and S. Kimura, Electrochemical and Solid-State Letters, 2001, 4, C9.
7. F.-J. Lee, Y. Chi, C.-S. Liu, P.-F. Hsu, T.-Y. Chou, S.-M. Peng, and G.-H. Lee, Chem. Vap. Deposition, 2001, 7, 99.
8. R.-S. Chen, Y.-S. Huang, Y.-L. Chen, Y. Chi, Thin Solid Films, 2002, 413, 85.
9. Y.-H. Song, Y.-L. Chen, Y. Chi, C.-S. Liu, W.-L. Ching, J.-J. Kai, R.-S. Chen, Y.-S. Huang, and Arthur J. Carty, Chem. Vap. Deposition, 2003, 9, 162.
10. E. F. Braibante, H. S. Braibante, L. Missio, A. Andricopulo, Synthesis, 1994, 898.
11. Vogels Textbook of Practical Organic Chemistry Fourth Ed., Longman London, 1978, 291.
12. M. O. Albers, T. V. Ashworth, H. E. Oosthuizen, E. Singleton, Inorg. Synth. 1989, 26, 68.
13. (a) E. Melendez, R. Ilarraza, G. P. A. Yap, A. L. Rheingold, J. Organomet. Chem. 1996, 522, 1. (b) I. R. Baird, S. J. Rettig, B. R. James, K. A. Skov, Can. J. Chem. 1999, 77, 1821. (c) M. A. Bennett, G. Chung, D. C. R. Hockless, H. Neumann, A. C. Willis, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1999, 3451.
14. S. M. Couchman, J. C. Jeffery, M. D. Ward, Polyhedron 1999, 18, 2633.
15. C.-H. Chang, K. C. Hwang, C.-S. Liu, Y. Chi, A. J. Carty, L. Scoles, S.-M. Peng, G.-H. Lee, J. Reedijk, Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 4651.
16. (a) T. N. Martynova, L. D. Nikulina, and V. A. Logvinenko, J. Therm. Anal. 1990, 36, 203. (b) I. K. Igumenov, V. R. Belosludov, and P. A. Stabnikov, J. Phys. IV 1999, 9, 15. (c) B. D. Fahlman, and A. R. Barron, Adv. Mater. Opt. Electron. 2000, 10, 223. (d) Y. Chi, S. Ranjan, P.-W. Chung, C.-S. Liu, S.-M. Peng, G.-H. Lee, J. Chem. Soc. Dalton Trans., 2000, 343.
17. Y. J. Kim, Y. Gao, Y. S. Chambers, Appl. Surf. Sci., 1997, 120, 250.
18. J. Sankar, T. K. Sham, R. J. Puddephatt, J. Mater. Chem., 1999, 9, 2439.
19. L. C. Feldaman, J. W. Mayer, Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis; North-Holland: New York, 1986; p 354.
20. J. Y. Shen, A. Adnot, S. Ka, Appl. Surf. Sci., 1991, 51, 47.
21. I. K. Igumenov, J. Phys. IV. 1995, C5, 489.
22. S. E. Park, H. M. Kim, K. B. Kim, S. H. Min, J. Electrochem. Soc., 2000, 147, 203.
23. S. E. Park, H. M. Kim, K. B. Kim, S. H. Min, Thin Solid Films., 1999, 341, 52.
24. K. Kameyama, K. Tsukada, K. Yahikozawa, Y. Takasu, J. Electrochem. Soc., 1993, 140, 966.
25. A Handbook of Lattice Spacings and Structures of Metals and Alloys, London-New York-Paris-Los Angeles 1958, S. 836.
26. I. M. Kodintsev, S. Trasatti, Langmuir, 1992, 8, 283.
27. Y. Abe, Y. Kaga, M. Kawamura, K. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 2001, 40, 6956.
28. T. Kawahara, M. Yamamura, A. Yuuki, K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., 1996, 35, 4880.
29. R. Remash, Thin Film Ferroelectric Materials and Device, Kluwer Academic Press, Amsterdam, 1997, p. 24.
30. S. Saito, K. Kuramasu, Jpn. J. Appl. Phys., 1992, 31, 135.
31. L. Krusin-Elbaum, M. Wittmer, J. Electrochem. Soc., 1988, 135, 2610.
32. H. Y. Chan, C. G. Takoudis, and M. J. Weaver, J. Catal. 1997, 172, 336.
33. M. Valet, D. M. Hoffman, Chem. Mater, 2001, 13, 2135.