本實驗是探討把PZT薄膜濺鍍在不同的白金底電極及白金氧底電極上，在經過不同條件的結晶熱處理後，探討不同底電極對PZT薄膜的結晶行為及漏電流、鐵電特性、疲勞之影響探討。
從實驗結果得知，PZT薄膜濺鍍在經過400℃、30分鐘真空熱處理後的白金氧底電極上面，不管鍍製白金氧底電極的氬氧比比例為何，皆有在外加小電壓的情況下便能反轉鐵電電域而得到形狀完整的電滯曲線。此現象發生的可能的原因為，白金氧底電極為多孔性結構，而孔洞使得PZT薄膜變為不連續，會造成PZT薄膜上的應力釋放(stress relief)的效果，使得當施加小電壓於PZT薄膜時，便能夠反轉鐵電電域，而有電滯曲線的出現。在含氧量較高(Ar/O2=70/30)的白金氧底電極，其殘留極化量較大。在漏電流方面，以高含氧量的白金氧底電極其崩潰電場較大。在介電特性方面，在低含氧量的白金氧底電極上的PZT薄膜，其相對介電常數約為460~540之間；在高含氧量的白金氧底電極上的PZT薄膜，其相對介電常數約為320~510之間。而在反轉電壓為正負3V及量測電壓亦為3V的疲勞測試中，Pt/PZT/Pt(O)電容結構在經過109次疲勞測試後，其可反轉的殘留極化量還有未測試前的75%。

參考文獻
[1] S.L.Swartz and V.E.Wood，Cond.Mater.News，1(1992)4.
[2] J.F.Scott，C.A.P.de Araujo，L.D.McMillan，H.Yoshimori，H.Watanabe，T.Mihara，M.Azuma，T.Ueda，Tetsuk Ueda，D.Ueda，and G.Kano， "Ferroelectric Thin Films in Integrated Microelectronic Devices"，
Ferroelectrics，133，(1992)47.
[3] G.H.Haerting， "Ferroelectric Thin Film for Electronic Applications"，
J.Vac. Sci. Technol.，A9(3)，(1991)414.
[4] L.M.Sheppard， "Advances in Processing of Ferroelectric Thin Film"， Ceramic Bulletin，71(1)，(1992) 85.
[5] M.Sayer and K.Sreenivas，"Ceramic Thin Film:Fabrication and Applications"， Science 247，(1990) 1056.
[6] G.Yi and M.Sayer， "sol-gel Processing of Complex Oxide Films"， Ceramic Bulletin，70(7)，(1991) 1173.
[7] 林諭男，"強介電陶磁薄膜的應用"，工業材料，107，(1995)49.
[8] T.Schimizn and T.Kawakudo，Jpn.J.Appl.Phys.，37(1998)L235.
[9] 陳銘森，"鎳酸鑭電極對鋯鈦酸鉛溶凝膠製作與特性影響之研究"，清華大學，博士論文，(1996).
[10] Takashi Iijima，Gang He，Zheng Wang，Hideki Tsubo，Kunio Hiyama and
Masuhiro Okada，"Ferroelectric Properties of Al-doped Lead Titanate
Zirconate Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition
Process"，Jpn.J.Appl.Phys，Vol.39(2000)5426-5428.
[11] T.Mihara，H.Watanabe，and C.A.P de Araujo，"Evaluation of Imprint Properties in Sol-Gel Ferroelectric Pb(Zr，Ti)O3 Thin-Film Capacitors"，Jpn.J.Appl.Phys.，32(9B)，(1993)4168.
[12] R.Ramesh，W.K.Chan，B.Wilken，H.Gilchrist，T.Sands，J.M.Tarascon，V.G..Keramidas，D.K.Fork，J.Lee，and A.Safari，"Fatigue and Retention in Ferroelectric Y-Ba-Cu-O/Pb-Zr-Ti-O/Y-Ba-Cu-O Heterstructures"，Appl.Phys.Lett.，61(13)，(1922)1537.
[13] P.C.Joshi and S.B.Krupanidhi，"Switching，Fatigue，and Retention in Ferroelectric Bi4Ti3O12 Thin Film"，Appl.Phys.Lett.，62(16)，(1993)1928.
[14] I.K.Yoo，S.B.Desu，and J.Xing，"Correlations among Degradations Lead
Zirconate Titanate Thin Film Capacitors"，Mat.Res.Soc.Symp.Proc.，Vol.310，(1993)165.
[15] Min Hong Kim，Tae-Soon Park，a) and Euijon Yoonb).Dong-Su Lee，c)
Dong-Yeon Park，c) Hyun Jung Woo，c) Dong-Il Chun，and Jowoong Hac)，"Changes in preffered orientation of Pt thin film deposited by dc magnetron sputtering using Ar/O2 gas mixtures"，Mat.Res.Soc，Vol.14，No.4，Apr.1999
[16] B.A.Tuttle，"Pb(Zr，Ti)O3 Based Thin Film Ferroelectric Nonvolatile Memories".Thin Film Ferroelectric Materials And Devices edited by R.Ramesh，1997.
[17]R.C.Budhani，S.Prakash，H.J.Doerr and R.F.Bunshah
J.Vac.Sci.Technol.A4(1896)3023
[18] H.N. Al-Shareef，K.D.Gifford，S.H.Rou，P.D.Hren，O.Auciello，and A.Kingon，Integrated Ferroelectrics 2，311(1992).
[19] J.H.Joo，J.M.Seon，Y.C.Jeon，K.Y.Oh，J.S.Roh，and J.J.Kim，Appl.Phys.Lett.70 3053(1997)
[20] B.Soo Lee and J.Y.Lee，Jpn.J.Appl.Phys.38 L870(1999)
[21] Y.Tsunemine，T.Okudaira，K.Kashihar，K.Hanafusa，A.Yutani，Y.Fujita，M.Matsushita，H.Itoh，and H.Miyoshi，Proc.IEEE International Electron Devices Meeting Technical Digest 811(1998).
[22] A.J.Moulson and J.M.Herbert，"Electroceramics" Materials，Properties，
Applications (1990)p52.
[23] 董俊秀，"鈦酸鍶鋇薄膜之濺鍍研究"，國立清華大學，碩士論文，(1995)
[24] 趙國欽，"鋯鈦酸鉛鐵電薄膜漏電流及疲勞性質之研究"，國立清華大學，碩士論文，(1997)
[25] Yuhuan Xu，"Ferroelectric Materials And Their Application"，Published by
NorthHolland，Netherlands，(1991) 1-36.
[26] 葉明華，"脈衝雷射鍍膜法製備鈣鈦礦型鐵電薄膜之研究"，國立清華大學，博士論文，(1994).
[27] 楊清泉，"利用LaNiO3電極製備高(100)優選方向性(Pb，La)TiO3溶凝膠薄膜之研究"，國立清華大學，碩士論文，(1995).
[28] 林家政，"添加劑(La，Mn，Nb)對溶凝膠PZT鐵電薄膜性質之影響"，國立清華大學，碩士論文，(1996).
[29] 吳啟明，"利用濺鍍法以鎳酸鑭為電極製作動態記憶體之鈦酸鍶鋇薄膜的研究"，國立清華大學，博士論文，(1997).
[30] P.K.Larsen，R.Cuppens，and G.A.C.M Spierings，"Ferroelectric Memories"，Feb.，(1988)91.
[31] 陳登元，彭成鍵，陳三元，"強介電記憶體之設計原理"，工業材料，107，(1995)61.
[32] Milton Ohring，"The Materials Science of Thin Films"，.Academic Press，p464-472
[33] 李雅明，"固態電子學"，全華出板社，1995年5月，p413
[34] Takashi Mihara and Hitoshi Watanabe，"Electronic Conduction Characteristics of Sol-Gel Ferroelectric Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 Thin-Film Capacitors：PartΙ"，Jpn. J. Appl. Phys.， 1995，Vol. 34，pp5664-5673.
[35] Takashi Mihara and Hitoshi Watanabe，"Electronic Conduction Characteristics of Sol-Gel Ferroelectric Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 Thin-Film
Capacitors：Part Π"，Jpn. J. Appl. Phys.， 1995，Vol. 34，pp5674-5682.
[36] R.Waser，"Polarization Conduction，and Breakdown in
Non-FerroelectricPerovskite Thin Films"，O.Auciello and
R.Waser(eds.)，Science and Teclinology of Electroceramic Thin Films，
published by kluwer Academic Publishers，(1995)223.
[37] S.B.Desu and I.K.Yoo，"Time-Dependent Dielectric Breakdown in BaTiO3 Thin Films"，J.Electroclem.，Soc.，140(9)，(1993)L133.
[38] I.K.Yoo and S.B.Desu，"Fatigue Modeling of Lead zirconate Titanate Thin
Films"， Mater.Sci.Eng.B13(1992)319.
[39] W.H.Shepherd，"Fatigue and Aging in Sol-Gel Derived PZT Thin
Films"，Mat.Res. Soc.Symp.Proc.Vol.200，(1990)277.
[40] 李雅惠，"非揮發性鐵電記憶體應用之Pb(Zr，Ti)O3薄膜特性與乾蝕刻(RIE)之研究"，國立清華大學，碩士論文，(1999).
[41] E.Colla，D.Taylor，A.tagantsev，and N.Setter，Appl.Phys.Lett.72，
2478(1998).
[42] J.F.Scott and B.Pouligny，"Raman spectroscopy of Submicron KNO3
Films.Π. Fatigue and Space-Charge Effect"，J.Appl.Phys.，64(3)，(1988)
1547.
[43] D.M.Smith，"Charge Motion in Ferroelectric Thin Films"，Ferroelectrics，
(1991) 117.
[44] H.M.Duiker，P.D.Beale，and J. F. Scott，"Fatigue and Switching in Ferroelectric Memories：Theory and Experiment"，J.Appl.Phys.，68 (11)，(1990) 5783.
[45] J.J.Lee C.L.Thio，M. Bhattacharya，and S.B.Desu，"Electrode Contact on
PZT Thin Films and their Influence on Fatigue Properties"，Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.361， (1995)241.
[46] D.J.Johnson，D.T.Amw，E.Griswold，K.Sreenivas，G.Yi. and M.Sayer，"Measuring Fatigue in PZT Thin Films"，Mat.Res.Soc.Symp. Proc.Vol. 200，(1990)289.
[47] C.K.Kwok and S.B.Desu，"Role of Oxygen Vancancies on the ferroelectric Properties of PZT Thin Films"，Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol. 243，(1992) 393.
[48] P.K.Larsen，G.J.M.dormans，D.J.Taylor，and P.J. van Veldhoven，"Ferroelectric Properties and Fatigue of PbZr0.51Ti0.49O3 Thin Film of Varying Thickness：Blocking Layer Model"，J.Appl.Phys.，76(4)，(1994) 2405.
[49] 錢葉安，"以射頻磁控濺鍍法製作大面積鐵電薄膜Pb(Zr,Ti)O3之研究"，國立清華大學，碩士論文，(1998).
[50] 靳怡君，"磁控濺鍍之DRAM介電薄膜鋯鈦酸鋇之研究"，國立清華大學，碩士論文，(1998).
[51] IUT Orsay，LCR Thomson，"Pt Electrode Investigation and Electrical Properties of RF Magnetron Sputtered Pb(Zr,Ti)O3"，Microelectronic Engineering，29(1995)，231-234.
[52] K.Yoshikawa，T.Kimura，H.Noshiro，S.Otani，M.Yamada，Y.Furumura，"RuO2 Thin Films as Bottom Electrodes for High Dielectric Constant Materials"，J.J.A.P. Vol.33(1994)，pl867-869.
[53] H.N.Al-Shareef，K.D.Gifford，S.H.Rou，P.Dhren，O.Auciello，A.I.Kingon，"Electrodes for Ferroelectric Thin Film"，Integrated Ferroelectrics，1993，Vol 3，pp321-332.
[54] Yong Tae Kim，Chang Woo Lee，"Advantages of RuO2 Bottom Electrode in the Dielectric and Leakage Characteristics of (Ba,Sr)TiO3 Capacitor"，J.J.A.P，Vol.35(1996)，pp6153-6156.
[55] Woo Sik Kim，Ji-Wan Kim，Hyung-Ho Park and Ho Nyung Lee，"Fabrication and Characterization of Pt-Oxide Electrode for Ferroelectric Random Access Memory Application"，Jpn.J.Appl.Phys.Vol.39(2000)，pp7097-7099.
[56] J.W.Hong，W.Jo，D.C.Kim，S.M.Cho，H.J.Nam，H.M.Lee and J.U.Bu，"Nanoscale investigation of domain retention in preferentially oriented PbZr0.53Ti0.47O3 thin films on Pt and on LaNiO3"，Appl.Phys.Lett.75，(1999)
[57] S.Wolf，and R.N.Tabuer，"Silicon Processing for the VLSI Era"，Lattice Press，CA Sunset Beach，(1986)384.
[58] P.D.Hren，S.H.Rou，H.N. Al-Shareef，M.S.Ameen，O.Auciellop and A.I.Kingon，in Proc. Of the 3rd Intern，Symp. on Integr. Ferroelectrics，Colorado Spring，Co.，edited by Paz Zrauzo，C.A.(1991)612.
[59] N.R.Parikh，J.T.Stephen，M.L.Swanson and E.R.Myers，"Study of Diffusion Barrier for PZT Deposited on Si for Non-Volatile Ramdom Access Memory Technology"，in Ferroelectric Thin Films Vol.200，MRS Symp.Proc.，San Francisco,1990 edited by Myers，E.R. and Kingon，A.I(Mater.Res.Soc.，Pittsburge，PA，1990)193.
[60] T.Hase，T.Sakuma，Y.Miyasaka，K.Hirata and N.Hosokawa，"Preparation of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films by Multi-Target Sputtering"，Jpn.J.Appl.Phys.，32，(1993)4061.
[61] T.C Tisone and J.Drobeck，"Diffusion in Thin Film Ti-Au，Ti-Pd，and Ti-Pt Couples"，J.Vac Sci. and Tech.，(1971)271.
[62] R.Bruchhaus，D.Pitzer，O.Eibl，U.Scheithauer and W.Hoesler，"Investigation of Pt Bottom Electrodes for in-situ Deposited Pb(Zr,Ti)O3(PZT) Thin Films"，Mat Res.Soc.Symp.Proc.，Vol 243，(1992)123.
[63] K.Sreenivas，I.Reaney，T.Maeder and N.Setter，"Investigation of Pt/Ti Bilayer Metallization on Silicon for Ferroelectric Thin Film Integration"，J.Appl.Phys.，75(1)，(1994)232.
[64] J.L.G.Fierro，J.M.D Tascon，L.Gonzalez Tejuca，"Surface Properties of LaNiO3：Kinetics Studies of Reduction and of Oxygen Absorption"，Journal of Catalysis 93，83-91(1985)
[65] 陳美鈴，"DRAM應用之鋯鈦酸鋇介電薄膜射頻磁控濺鍍之研究"，清華大學， 碩士論文，(1996).
[66] 楊錦章，基本濺鍍電漿，電子發展月刊，68(1983)，5806.
[67] 金原粲，薄膜的基本技術，日本東京大學出版會社，1984年，五月，p3
[68] B.Chapman "Glow Discharge Process"，Published by John Wiley & Sons，Inc.，(1980)
[69] D.J.Mcclure and J.R.Crowe，J.Vac.Sci.Technol.，16，311(1979).
[70] J.Lee and C.H.Choi，B.H.Park and T.W.Noh，J.K.Lee，"Built-in voltages and asymmetric polarization switching in Pb(Zr,Ti)O3 thin film capacitors"，Appl.Phys.Lett.72(3380)
[71] 林俊傑，"鈦酸鍶鋇薄膜之導電性擴散阻絕層的研製"，國立清華大學，碩士論文，1997.
[72] 吳朗，"電子陶瓷-介電"，全欣資訊圖書，(1994).