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研究生: 莊舒庭
Chuang, Shu-Ting
論文名稱: 不同磊晶結構對氮化鈦閘極與氧化銦錫閘極之p型氮化鎵高電子遷移率電晶體研究
Study on ITO Gate Electrode and TiN Gate Electrode for p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs with Different Epitaxial Structures
指導教授: 黃智方
Huang, Chih-Fang
口試委員: 盧向成
Lu, Shiang-cheng
吳添立
Wu, Tian-Li
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 電機資訊學院 - 電子工程研究所
Institute of Electronics Engineering
論文出版年: 2023
畢業學年度: 111
語文別: 中文
論文頁數: 91
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  • 無法下載圖示 全文公開日期 2026/01/08 (校內網路)
    全文公開日期 2026/01/08 (校外網路)

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