研究生: |
陳正智 |
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論文名稱: |
混合粉末法製備SiOX奈米線之研究 SiOx Nanowires Prepared by the Mixed Powder Method |
指導教授: | 林樹均 |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
工學院 - 材料科學工程學系 Materials Science and Engineering |
論文出版年: | 2005 |
畢業學年度: | 93 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 61 |
中文關鍵詞: | 管式爐 、奈米線 、發光元件 |
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本實驗將C粉與SiO2粉等莫耳混合後置於三段均溫管式爐中加熱,可以獨立調變反應與沉積溫度參數,並通入Ar + 10 % H2的催化氣體,以成長奈米線。結果顯示1245-1328 ℃反應、886-1065 ℃沉積,可在氧化鋁或矽基板表面成功成長出奈米線。相較於矽基板,氧化鋁基板上的奈米線數量較多、分佈較均勻、尺寸與型態也較一致。另外,氧化鋁基板背也有奈米線成長。沉積溫度越高,成長奈米線之線徑越細,直徑可從30∼70 nm;而奈米線長度可達7 □m以上。反應溫度、沉積位置、碳粉含量也都會對奈米線成長有所影響。經由SEM觀察得知,適當製程參數(如1245 ℃反應、1000 ℃沉積)所得奈米線相當平直獨立,但亦有黏結成塊情形;奈米線端點有些有圓形催化顆粒,有些則沒有。TEM分析得知,奈米線均質平滑,為SiO1.5非晶結構;奈米線端點圓形催化顆粒含有大量鐵元素。奈米線的成長機制是以奈米鐵顆粒作為催化劑的VS與VLS機制同時出現。PL量測結果發現此種SiO1.5奈米線在光譜圖中445 nm (藍光) 發現有峰值,可望在發光元件上有發展的潛力。
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