本篇論文主要探討以 Ga(2Meq)2Piv 為發光層、PEDOT : PSS為電洞注入層、TDAPB 為電洞傳導層，並以熱蒸鍍機製備絕緣薄夾層及金屬陰極的多層結構有機發光二極體的光電特性。量測 ITO 透明導電玻璃、ITO/PEDOT : PSS、ITO/PEDOT : PSS/TDAPB及ITO/PEDOT : PSS/TDAPB/Ga(2Meq)2Piv的表面粗糙度及可見光穿透率。由電流-電壓-亮度曲線分析不同絕緣薄夾層及金屬陰極元件的光電特性。
研究結果顯示，旋轉塗佈 PEDOT : PSS 電洞注入層於 ITO 導電玻璃上可有效減少表面粗糙度，而旋轉塗佈 TDAPB 電洞傳導層可以再減少表面粗糙度。對 Ga(2Meq)2Piv 的發光波長530 nm而言，ITO 導電玻璃之穿透率為91%，旋塗 PEDOT : PSS 層及 TDAPB 層穿透率降為76%,旋塗 Ga(2Meq)2Piv 後穿透率上升至84%。不同陰極金屬會影響元件的發光強度及電流密度。對純金屬陰極而言，Ag 電極的元件漏電流較 Al 電極元件嚴重，元件光電效率不及功函數相似的 Al 電極元件。在 Al、Ag 電極中夾入薄層的 Ca 或 Mg，可以降低漏電流，增加元件的整流比及光電效率。藉由夾入一適當厚度的薄絕緣層: Li2O、LiF、CsF、MgF2、CaF2 並以 Al 為陰極材料也可以有效降低電子的注入能障而提高元件性能。但當此絕緣薄夾層厚度太厚，將導致光電效率及點亮電壓皆不及純 Al 電極元件。絕緣薄夾層的元件在 8V 的光電效率以 CsF 最高，依次為 LiF、MgF2、CaF2、Li2O。

參 考 文 獻
1. M. Pope, H. P. Kallmann, and P. Magnante, J. Chem. Phys. 38, 2042 (1963).
2. C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
3. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, Nature, 347 , 539 (1990).
4. I. D. Parker, J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994).
5. L . S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
6. Y. Ohmori, Y. Kurosaka, N. Tada, A. Fujii, and K. Toshino, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 488, 575 (1998).
7. Y. Kurosaka, N. Tada, Y. Ohmori, and K. Yoshino, J. Appl. Phys. 37, L872 (1998).
8. F. Li, H. Tang, Anderegg, and J. Shinar, Appl. Phys. Lett. 70, 1233 (1997)
9. K. L. Wang, B. Lai, M. Lu, X. Zhou, L. S. Liao, X. M. Ding, X. Y. Hou, and S. T. Lee, Thin Solid Films 363, 178 (2000).
10. G. E. Jabbour, B. Kippelen, N. R. Armstrong, and N. Peyghambarian, Appl. Phys. Lett. 73, 1185 (1998).
11. C. H. Lee, Synth. Met. 91, 125 (1997)
12. T. M. Brown, R. H. Friend, I. S. Millard, D. J. Lacey, and J. H. Burroughes, Appl. Phys. Lett. 77, 3096 (2000)
13. S. E. Shaheen, G. E. Jabbour, M. M. Morrell, Y. Kawabe, B. Kippelen,
M. –F. Nabor, R. Schlaf, E. A. Mash, and N. R. Armstrong, J. Appl. Phys. 84, 2324(1998)
14. H. Heil, J. Steiger, S. Karg, M. Gastel, H. Ortner, H. V. Seggern, and M. Stöbel, J. Appl. Phys. 89, 420 (2001)
15. B. S. Chiou and J. H. Tsai, J. Mater. Sci., Mater. Electron. 10, 491
(1991).
16. H. Kobayashi, Y. Ishida, Y. Nakato, and H. Tsubomura, J. Appl. Phys. 69, 1736 (1991).
17. H. L. Chopra, S. Major, and D. K. Pandya, Thin Solid Film 102, 1 (1983).
18. X. W. Sun, L. D. Wang, and H. S. Kwok, Thin Solid Films 360, 75 (2000).
19. N. Taga, H. Odaka, Y. Shigesato, I. Yasui, M. Kamei, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 80, 978 (1996).
20. J. S. Kim, M. Granström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaneck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1998).
21. F. Nuesch, E. W. Forsythe, Q. T. Le, Y. Gao, and L. J. Rothberg, J. Appl. Phys. 87, 7973 (2000).
22. J. Olivier, B. Servet, M. Vergnolle, M. Mosca, and G. Garry, Synth. Met. 122, 87 (2001).
23. Q. Pei, G. Zuccarello, M. Ahlskog, and O. Imganäs, Polmer 35, 1347 (1994).
24. L. A. A. Pettersson, T. Johansson, F. Carlsson, H. Arwin, and O. Imganäs, Synth. Met. 101, 198 (1999).
25. K. Z. Xing, M. Fahlman, X. W. Chen, O. Imganäs, and W. R. Salaneck, Synth. Met. 89, 161 (1997).
26. F. Jonas and J. T. Morrison, Synth. Met. 85, 1397 (1997).
27. W. Bantikassegn and O. Imganäs, Thin Solid Films 293, 138 (1997).
28. R. Kiebooms, A. Aleshin, K. Hutchison, F. Wudl, and A. Heeger, Synth. Met. 101, 436 (1999).
29. L. S. Roman, M. Berggren, and O. Imganäs, Appl. Phys. Lett. 75, 3557 (1999)
30. J. C. Carter, I. Grizzi, S. K. Heeks, D. J. Lacey, S. G. Latham, P. G. May, O. R. D. I. Paños, K. Pichler, C. R. Towns, and H. F. Wittmann, Appl. Phys. Lett. 71, 34 (1997).
31. A. Elschner, F. Bruder, H. –W. Heuer, F. Jonas, A. Karbach, S. Kirchmeyer, S. Thurm, and R. Wehrmann, Synth. Met. 111,139 (2000).
32. K. Book, H. Bässler, V. R. Nikitenko, and A. Elschner, Synth. Met. 111, 263 (2000)