研究生: |
陳以勛 I-Shiun Chen |
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論文名稱: |
高介電常數閘介電層應用於金氧半電容特性研究 Characteristics of MOS-CAP Devices with High-k Gate Dielectrics |
指導教授: |
張廖貴術
K.S. Chang-Liao |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
畢業學年度: | 91 |
語文別: | 中文 |
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