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| 研究生： |
李承漢 Li, Cheng-Han |
|---|---|
| 論文名稱： |
應用氮化鉿閘極界面層以改善N/P型鍺金氧半元件特性之研究 Improved characteristics of Ge N/P MOS device by gate interfacial layer with hafnium nitride |
| 指導教授： |
張廖貴術
Kuei-Shu, Chang-Liao |
| 口試委員: |
李耀仁
Lee, Yao-Jen 趙天生 Chao, Tien Sheng |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2022 |
| 畢業學年度： | 111 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 120 |
| 相關次數： | 點閱：2 下載：0 |
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全文公開日期 2027/11/29 (校內網路)全文公開日期 2027/11/29 (校外網路)