本論文為在Ga的K吸收邊(Ek(Ga)=10369eV )附近，研究 GaAs單晶之三光與二光繞射異常精細結構(Diffraction anomalous fine structure，簡稱DAFS)的差異，主要是利用同步輻射能量可調的特性，改變能量，並在滿足三光複繞射(000,222, )及滿足二光布拉格條件(000,222)下，分別同時量測其繞射光和螢光的強度，包括晶體的Ga面(000,222, )和As面(000, , )，當入射之X光能量接近晶體中Ga原子之K-edge能量時，即所謂共振能量時，可發現As面的複繞射相位與強度分佈均出現明顯的變化，但Ga面則無此變化，故利用Ga面複繞射圖形無變化的特性，我們以動力繞射理論計算三光強度極值和二光強度差之比值，由理論計算配合實驗結果得知原子散射因子的實部。

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