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| 研究生： |
林峻頡 Lin, Jun-Jie |
|---|---|
| 論文名稱： |
1.2kV級4H-SiC溝槽式閘極金氧半場效電晶體特性模擬研究 Simulation Study of 1.2 kV Class 4H-SiC Trench Gate MOSFET |
| 指導教授： |
黃智方
Huang, Chih-Fang |
| 口試委員: |
張庭輔
Chang, Ting-Fu 吳添立 Wu, Tian-Li |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering |
| 論文出版年： | 2023 |
| 畢業學年度： | 112 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 75 |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
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全文公開日期 2026/10/31 (校內網路)全文公開日期 2026/10/31 (校外網路)