研究生: |
林俊良 Jun-Liaung Lin |
---|---|
論文名稱: |
利用第一原理研究LiTi2O4材料之電子結構及軌道序化現象 Application of First Principles to Study the Electronic Structures and Orbital Order of LiTi2O4 |
指導教授: |
鄭弘泰
Horng-Tay Jeng |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
理學院 - 物理學系 Department of Physics |
論文出版年: | 2005 |
畢業學年度: | 93 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 74 |
中文關鍵詞: | LiTi2O4 、第一原理 、電子結構 、軌道序化 |
外文關鍵詞: | LiTi2O4, First Principles, Electronic structures, Orbital Order |
相關次數: | 點閱:4 下載:0 |
分享至: |
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
我們將以晶體電子結構分析方法出發,研究尖晶石結構之LiTi2O4材料的性質。
使用密度泛函理論搭配LDA之第一原理計算方法,來處理LiTi2O4材料的多體問題;分別對材料之陰離子參數u、晶格常數a、應變效應這些可能影響材料性質的物理量進行計算,藉由調整各項晶體結構參數來獲知材料的物理特性。並以LDA+U之修正計算方法,探討材料中Ti-d軌道電子自相交互作用影響的重要性,並計算Li1+xTi2-xO4固溶體隨著Li摻入,材料性質的變化。
陰離子參數u描述了陰離子(氧離子)在尖晶石結構中的移動程度;計算陰離子參數u對材料結合能及自旋磁矩的關係,並同時計算晶格常數a、應變效應對系統的結合能及自旋磁矩影響,瞭解材料系統最穩定之理想狀態,從而得知材料弱鐵磁的特性;以理論之基礎觀點,說明樣品具超導性的困難。
陰離子在尖晶石結構中的移動亦造成了材料軌道序化的現象;隨著移動的產生,陰離子所組成之八面體將產生變形,在u=0.386時,分析EF下部分Ti-t2g軌道,Ti離子之電子雲將出現似扁平薄餅狀軌道序化的現象。
應變效應亦影響軌道序化,當a-b軸外擴或內縮時,電子雲與水平之斜率將隨之減少或增大,且電子雲外形隨之有所不同。
隨著Li的摻入,EF由Ti-t2g導帶落到全填滿之O-2p能帶,金屬性特徵並隨之減弱。
參考文獻
[1]K.E.Sickafus et al. ,J. Am. Ceram. Soc.,82,3279-92(1999)
[2] 承[1]之ref. 2 ;W. H. Bragg,”The Structure of the Spinel Group of Crystals”,Philos. Mag. ,30[176]305-15(1915).
[3] 承[1]之ref. 3 ;S. Nishikawa,”Strucrure of Some Crystals of the Spinel Group”,Proc. Math. Phys. Soc. Tokyo,8,199-209(1915).
[4]James F. Shackelford, “Introduction to Materials Science for Engineers”(Prentice Hall,New Jersey,1996)
[5]許樹恩.吳泰伯,”X 光繞射原理與材料結構分析 ”(中國材料科學學會,台北,民82)
[6]D. C. Johnston et al.,Mat. Res. Bull. ,8,777-84(1973)
[7] M. R. Harrison,P. P. Edwards,and J. B. Goodenough,Philosophical Magazine B,52,679-699(1985)
[8]D. C. Johnston,J. Low Temp. Phys.,25,145-75(1976)
[9]E. G. Moshopoulou,J. Am. Ceram. Soc,82,3317-20(1999)
[10]王家麟,”Li4Ti5O12薄膜的製備和特性分析”(碩士論文,國立清華大學,台灣,2003)
[11]A.Deschanrers et al.,Mater. Res. Bull.,6,699(1971)
[12]M. R. Harrison,P. P. Edwards,and J. B. Goodenough,J. Solid State Chemistry,54,136-155(1984)
[13]Fongchi Xu et al.,J. of Low Temperature Physics,131,569(2003)
[14]C. Chen et al.,J. of Crystal Growth,250,139(2003)
[15]T. Inukai et al.,Thin Solid Films,94,47(1982)
[16]T.Ohzuku et al. ,J. Electrochem.Soc.,142,1431(1995)
[17]G.X.Wang et al.,J. Power Sources ,83,156(1999)
[18]Scharner S et al.,J. Electrochem. Soc.,146,857(1999)
[19]G. Grosso , G. P. Parravicini ,”Solid State Physics”(Academic Press, San Diego ,2000)
[20]G. D. Mahan, K. R. Subbaswamy,”Local density theory of polarizability”(Plenum Press, New York,1990)
[21]P. Hohenberg and W. Kohn,Phys. Rev. B,136,864(1964)
[22]W. Kohn and L. J. Sham,Phys. Rev. A,140,1133(1965)
[23]Georg Kresse et al. ,” VASP the Guide” (http://cms.mpi.univie.ac.at/VASP/)
[24]P. E. Blochl,Phys. Rev. B,50,17953(1994)
[25]G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B,59,1758(1999)
[26]C.Kittel , “Introduction to Solid State Physics 7th ed.”(John Wiley &Sons,Canada,1996)
[27]張裕恆.李玉芝,”超導物理”(儒林圖書有限公司,台北,1992)
[28]M. Orchin & H. H. Jaffe,謝從卿 譯,”分子軌域概論”(安和出版社,台北,1988)
[29]V. I. Anisimov et al.,Phys. Rev. B ,48,16929(1993)
[30]I. V. Solovyev et al.,Phys. Rev. B ,50,16861(1994)