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| 研究生： |
易仕翰 Yi, Shih-Han |
|---|---|
| 論文名稱： |
以閘極工程改善鍺金氧半電晶體之電特性研究 Improved Electrical Characteristic of Ge MOSFET with Gate Stack Engineering |
| 指導教授： |
張廖貴術
ChangLiao, Kuei-Shu |
| 口試委員: |
崔秉鉞
Tsui, Bing-Yue 趙天生 Jhao, Tian-Sheng 李耀仁 Lee, Yao-Jen 劉致為 Liu, Chee-Wee |
| 學位類別： |
博士 Doctor |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2019 |
| 畢業學年度： | 107 |
| 語文別： | 英文 |
| 論文頁數： | 117 |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
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