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研究生: 于煥澤
論文名稱: 高頻高Q值熱致動壓阻感測式微機械共振器研製與探討晶格方向對TCf的影響
指導教授: 李昇憲
口試委員: 李昇憲
盧向成
鄭裕庭
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 工學院 - 奈米工程與微系統研究所
Institute of NanoEngineering and MicroSystems
論文出版年: 2012
畢業學年度: 100
語文別: 中文
論文頁數: 66
中文關鍵詞: 高頻高Q值熱致動壓阻感測式SOI晶格方向溫度頻率係數
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  • 在本文我們呈現具高頻高Q值熱致動壓阻感測式微機械共振器,共振頻率在16 MHz下真空中能有Q值20,000、空氣中8,000的表現。再來討論如何不在使用任何主動與被動溫度補償技術下,改善熱致動共振器的頻率溫度係數(Temperature Coefficient of Frequency,TCf),使共振器在255K~365K的環境溫度變化下能有低於1ppm/℃的良好表現。為了達成此目的,我們嘗試改變熱致動共振器的角度,讓熱致動共振器沿著不同晶格方向振盪。此外,藉由提供不同的直流偏壓IBias,來觀察不同操作溫度對熱致動共振器的TCf有何影響。最後討論出何種晶格方向與直流偏壓IBias會有最好的TCf。
    文中我們會介紹熱致動壓阻感測式共振器的操作原理,從輸入直流交流電所產生的功率消耗,進而生成熱驅動力推動熱致動共振器上的質量塊構成共振系統,最後由壓阻效應產生輸出訊號。選用n-type 低阻值的SOI晶圓與兩道光罩的簡易製程即可獲得我們的高頻高Q值熱致動壓阻感測式微機械共振器。
    量測部分則介紹各種不同量測結果,包含光學系統量測機械共振位移、紅外線系統測量實際操作溫度、單埠電性量測輸出訊號與TCf。


    目錄 摘要 …………………………………………………………………..1 致謝 …………………………………………………………………..3 第一章前言 ...........................................................................................4 1.1 研究背景與文獻回顧....................................................................4 1.2 研究動機與內容架構....................................................................9 圖 1.1:(a) 拱頂型熱致動共振器SEM 圖。(b) 共振頻譜量測結果。[1] ...............12 圖 1.2:(a) 雙端固定樑熱致動共振器SEM 圖。(b) 共振頻譜量測結果。[2]........13 圖 1.3:(a) 碟型共振器SEM 圖。(b) 共振頻譜量測結果。[3] ..............................14 圖 1.4:(a) 懸臂樑熱致動式共振器結構圖。(b) 共振頻譜量測結果。[4] .............15 圖 1.5:(a) Dimple 熱致動共振器SEM 圖。(b) 共振頻譜量測結果。[5] ...............16 圖 1.6:(a) 具Self-Oscillating 雙板共振器SEM 圖。(b) 其運作機制。[7]............17 圖 1.7:(a) 利用曝光技術達到次微米線寬的熱致動共振器SEM 圖。(b) 共振頻譜 量測結果。[8] ............................................................................................................18 圖 1.8:(a) 旋轉式碟型熱致動共振器SEM 圖。(b) 共振頻譜量測結果,藍色表示 在液體環境下,具高Q 值。[11]...............................................................................19 圖 1.9:(a) 利用微型烤箱加熱以隔絕共振器不受環境溫度影響。(b) TCf的量測結果。 [13] .............................................................................................................................20 圖 1.10:(a) 利用複合材料來做被動式溫度補償。(b) 其TCf 的量測結果。[15]...21 圖 1.11:(a) 利用複合材料來做被動式溫度補償。(b) 其TCf 的量測結果。[16]...22 圖 1.12:熱氧化與蝕刻氧化層得到次微米級寬度之熱致動共振器SEM 圖。重參雜 磷的熱致動共振器的TCf 量測圖。[17] [18] .............................................................23 第二章原理與模擬..............................................................................24 ii 2.1 共振器結構設計.........................................................................24 2.2 共振器運作原理分析與模擬......................................................24 圖 2.1:高頻熱致動式共振器的有限元素模態分析。模擬之共振頻率為16.5 MHz 的 II-BAR 共振器。實線為未共振前的形狀,顏色代表在共振下的位移變化量,紅色 為位移最大值。.........................................................................................................31 圖 2.2:熱致動壓阻感測共振器的電路操作示意圖。..............................................32 圖 2.3:COMSOL 有限元素分析之溫度分佈圖(℃)。其中紅色表示為溫度最高的區 域。............................................................................................................................32 圖 2.4:電熱轉換等效電路示意圖。........................................................................33 圖 2.5:機械振動學的等效模型。............................................................................34 圖 2.6:熱致動壓阻感測式共振器的等效電路模型。..............................................34 表 2.4:熱致動式共振器等效RLC 電路理論值計算。............................................35 圖 2.7:ADS (Advanced Design System)模擬等效RLC 電路。(a) S21 的Amplitude。 (b) S21 的Phase。......................................................................................................35 第三章製程與結果..............................................................................36 圖 3.1:剖視圖說明SOI 熱致動式共振器的製程。(a)金屬層Cr 的蒸鍍。(b)光阻旋 塗與定義共振器幾何結構。(c) DRIE 進行單晶矽結構蝕刻。(d)濕式蝕刻以移除二氧 化矽而釋放熱致動式共振器結構。..........................................................................38 圖 3.2:熱致動共振器的SEM 全景圖,其中包括質量塊、熱致動器與電極板。..39 圖 3.3:熱致動共振器的支撐樑與Release Hole 的SEM 圖。.................................39 圖 3.4:設計沿著不同方向振盪的熱致動共振器的SEM 圖。................................40 圖 3.5:熱致動共振器的SEM 全景圖,包含了電極板、熱致動器與質量塊。.....40 圖 3.6:熱致動共振器的支撐樑與Release Hole 的SEM 圖。.................................41 圖 3.7:熱致動共振器的側邊SEM 圖。..................................................................41 第四章量測結果..................................................................................42 iii 4.1 光學位移量測.............................................................................42 4.2 操作溫度量測.............................................................................43 4.3 共振頻譜量測.............................................................................43 4.4 不同晶格方向與共振器的TCf 量測...........................................46 圖 4.1:光學系統量測儀器架設示意圖。.................................................................48 圖 4.2:由Vibrometer 捕捉到共振器傾斜後的影像。.............................................48 圖 4.3:光學系統量測機械共振位移的量測結果,包含位移與相位。...................49 圖 4.4:實際操作溫度量測儀器架設圖。.................................................................49 圖 4.5:紅外線熱像測溫系統量測熱致動式共振器操作溫度圖,操作電流30mA。 ....................................................................................................................................50 圖 4.6:紅外線熱像測溫系統量測熱致動式共振器操作溫度圖,操作電流40mA。 ....................................................................................................................................50 圖 4.7:紅外線熱像測溫系統量測熱致動式共振器操作溫度圖,操作電流50mA。 ....................................................................................................................................51 圖 4.8:熱致動式共振器的單埠(One-Port)量測實驗儀器架設。.............................51 圖 4.9:由網路分析儀所量測到的訊號S21。(a)共振器S21 的Amplitude。(b)共振器 S21 的Phase。.............................................................................................................52 圖 4.11:<110>熱致動共振器經後處理在真空中給予不同操作電流的共振頻譜比較。 ....................................................................................................................................54 圖 4.12:<110> 熱致動共振器經後處理在空氣中給予不同操作電流的共振頻譜比較。 ....................................................................................................................................55 圖 4.13:比較不同晶格方向對(a)縱向壓阻係數 與(b)楊氏系數E 的關係,0°為<110> 方向,每22.5°量測一個元件。................................................................................56 圖 4.14:0°<110>方向上熱致動共振器的TCf 量測結果。.......................................57 圖 4.15:22.5°方向上熱致動共振器的TCf 量測結果。............................................58 圖 4.16:45°<100>方向上熱致動共振器的TCf 量測結果。.....................................59 iv 圖 4.17:比較不同晶格方向在不同直流偏壓下熱致動共振器的TCf。..................60 圖 4.18:材料矽與二氧化矽的TCE 對溫度的趨勢曲線。[19]..................................60 第五章結論與未來研究......................................................................61 表 5.1:比較各種溫度補償技術與功率損耗。.........................................................61 文獻參考............................................................................................62

    文獻參考
    [1] R. B. Reichenbach, M. K. Zalalutdinov, K. L. Aubin, D. A.
    Czaplewski, B. Ilic, B. H. Houston, H. G. Craighead, J. M.
    Parpia,"Resistively Actuated Micromechanical Dome
    Resonators,"Proceedings of SPIE, 5344, 51-58 (2004).
    [2] I. Bargatin, I. Kozinsky, and M. L. Roukes, "Efficient
    electrothermal actuation of multiple modes of high-frequency
    nanoelectromechanical resonators," Applied Physics Letters, vol.
    90, p. 093116, 2007.
    [3] S. Jae Hyeong and O. Brand, "High-Q-factor in-plane-mode
    resonant microsensor platform for gaseous/liquid environment,"
    Journal of Microelectromechanical Systems,, vol. 17, pp. 483-493,
    2008.
    [4] L. A. Beardslee, A. M. Addous, S. Heinrich, F. Josse, I. Dufour,
    and O. Brand, "Thermal excitation and piezoresistive detection of
    cantilever in-plane resonance modes for sensing applications,"
    Journal of Microelectromechanical Systems,, vol. 19, pp.
    1015-1017, 2010.
    [5] A. Rahafrooz, A. Hajjam, B. Tousifar, and S. Pourkamali, "Thermal
    63
    actuation, a suitable mechanism for high frequency
    electromechanical resonators," in Micro Electro Mechanical
    Systems (MEMS), 2010 IEEE 23rd International Conference on,
    2010, pp. 200-203.
    [6] A. Hajjam, A. Rahafrooz, and S. Pourkamali, "Sub-100ppb/℃
    temperature stability in thermally actuated high frequency silicon
    resonators via degenerate phosphorous doping and bias current
    optimization," in 2010 IEEE International,Electron Devices
    Meeting (IEDM), 2010, pp. 7.5.1-7.5.4.
    [7] A. Rahafrooz and S. Pourkamali, "Active self-Q-enhancement in
    high frequency thermally actuated M/NEMS resonators," in 2011
    IEEE 24th International Conference Micro Electro Mechanical
    Systems (MEMS), , 2011, pp. 760-763.
    [8] A. Rahafrooz and S. Pourkamali, "Fully micromechanical
    piezo-thermal oscillators," in 2010 IEEE International Electron
    Devices Meeting (IEDM), , 2010, pp. 7.2.1-7.2.4.
    [9] A. Rahafrooz and S. Pourkamali, "Controlled batch fabrication of
    crystalline silicon nanobeam-based resonant structures," in IEEE
    24th International Conference on Micro Electro Mechanical
    64
    Systems (MEMS), 2011, 2011, pp. 1345-1348.
    [10] A. Hajjam, A. Rahafrooz, J. C. Wilson, and S. Pourkamali,
    "Thermally actuated MEMS resonant sensors for mass
    measurement of micro/nanoscale aerosol particles," in 2009 IEEE
    Sensors, , 2009, pp. 707-710.
    [11] A. R. a. S. Pourkamali, "Rotational Mode Disk Resonators for
    High-Q Operation in Liquid," in 2010 IEEE Sensors, , pp.
    1071-1074, Nov. 01,2010.
    [12] M. Krishnakumar Sundaresan, Gavin K. Ho, Siavash
    Pourkamali ,and Farrokh Ayazi, Senior Member, IEEE,
    "Electronically Temperature Compensated Silicon Bulk Acoustic
    Resonator Reference Oscillator," IEEE Journal of Solid-State
    Circuits,, vol. 42, NO6, June 2007.
    [13] C. T.-C. N. a. R. T. Howe, "Microresonator frequency control and
    stabilization using an integrated micro oven," the 7th International
    Conference on Solid-State Sensors and Actuators (Transducers'93),
    pp. 1040-1043, June 7-10, 1993.
    [14] W.-T. Hsu and C. T.-C. Nguyen, "Stiffness compensated
    temperature insensitive micromechanical resonator," in Proc. IEEE
    65
    MEMS, Las Vegas,NV, Jan. 2002, pp. 731-734
    [15] Renata Melamud, Bongsang Kim, Saurabh A. Chandorkar,
    Matthew A. Hopcroft, Manu Agarwal, Chandra M. Jha, and
    Thomas W. Kenny, "Temperature-compensated high-stability
    silicon resonator," Appl. Phys. Lett 90, 244107 ,2007
    [16] G. C. a. F. A. R. Tabrizian, "Temperature-Stable High-Q
    AlN-on-Silicon Resonators with Embedded Array of Oxide
    Pillars," Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems
    Workshop (Hilton Head 2010), pp. 100-101, June 2010.
    [17] A. R. A. Rahafrooz, Jonathan Gonzales, Reza Abdolvand and S.
    Pourkamali, "Localized Thermal Oxidation for Frequency
    Trimming and Temperature Compensation of Micromichanical
    Resonator," in 2012 IEEE 25th International Conference Micro
    Electro Mechanical Systems (MEMS), , pp. 704- 707, Jan 29,2012.
    [18] A. L. Arash Hajjam, and Siavash Pourkamali, "Doping-Induced
    Temperature Compensation of Thermally Actuated
    High-Frequency Silicon Micromechanical Resonators," JOURNAL
    OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, vol. 21,NO.3,
    June 2012.
    66
    [19] Roozbeh Tabrizian, Mauricio Pardo, and Farrokh Ayazi, "A 27
    MHz Temperature Compenstaed MEMS Oscillator With Sub ppm
    Instability," in 2012 IEEE 25th International Conference Micro
    Electro Mechanical Systems (MEMS) ,pp.23-26, Jan. 29 2012

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