研究生: |
何建興 Chien Hsing Ho |
---|---|
論文名稱: |
大氣電漿對TAC之表面處理與分析 TAC surface treatments by atmosphere pressure plasma source |
指導教授: | 寇崇善 |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
理學院 - 物理學系 Department of Physics |
論文出版年: | 2005 |
畢業學年度: | 93 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 44 |
中文關鍵詞: | 大氣電漿 |
外文關鍵詞: | atmosphere, plasma, TAC |
相關次數: | 點閱:2 下載:0 |
分享至: |
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
本實驗成功在大氣環境下架設DBD大氣電漿源,並以N2 plasma為主要研究對象。實驗中測量出He及N2兩種大氣電漿的操作範圍(頻率與外加電壓之關係)。並證明DBD大氣電漿之電漿模型為RPCP並聯模式,電漿密度只有109 cm-3,為一低溫的大氣電漿源;而在線路共振的情形下操作大氣電漿只需10~20W的power。
以N2 plasma處理TAC可在短時間內使TAC之Contact angle由70度降至20度,可見TAC的表面能確實增加。此外發現Power對處理效果的影響不大,主要影響處理效果的原因為試片處理時間。由ESCA量測結果可看出,經過電漿處理後碳和氧的鍵結確實有改變,此即為改變表面能的原因。
最後我們嘗試將TAC與PVA做貼合,但結果卻比不上以化學方式處理的TAC;可見TAC與PAV的貼合不能只由Contact angle來判斷,所以要達到以plasma處理TAC並成功使之與PVA良好貼合的目標,還需要更多對此材料的認識。
1. “LCD關鍵零組件之一 - 偏光板產業” http://www.ldits.com/vincent/100002.html
2. Dr. James D. Getty, “How Plasma-Enhenced Surface Modification Improves the Production of Microelectronics and Optoelectronics” Technical Forum
3. Y.W. Park, N. Inagaki, “Surface modification of poly(vinylidene fluride) film by remote Ar, H2 and O2 plasmas” polymer 44(2003) 1569-1575
4. David R. LIDE, “CRC Handbood of Chemisty and Physics 78TH edition”
5. R.W.B. Pearse, A.G. Gaydon, “The Identification of Molecular Spectra 4TH edition”
6. 陳君豪碩士論文,射頻電漿與聚合物表面之作用,2004年6月
7. G. Navascues, Rep. Prog. Phys., 42, p.1131, 1979
8. Dongqing, Colloids Surf., 116, p.1, 1996
9. A. Jay Palmer, “A physical model on the initiation of atmospheric-pressure glow discharges”, A. Jay Palmer, p138, 1974
10. Nicolas Gherardi and Francoise Massines, ”Mechanisms Controlling the Transition from Glow Silent Discharge to Streamer Discharge in Nitrogen”, IEEE Trans. On Plasma Sci., 29, p.536, 2001
11. J. Reece Roth, Industrial Plasma Engineering, 2, p.318
12. T. Young, Philos. Trans. R. Soc. Lomd., 95, p.65, 1805
13. C.N.C. Lam, R.Wu, D. Li, M.L. Hair and A.W. Neumann, Advances in Colloid and Interface Sci., 96, p.169, 2002