本研究主要探討以SU-8作為高感光對比X光光刻光阻的可行性，並建立一套高效率、高精度的X光深刻技術，該技術可應用在各式微機械系統外，也將實際應用於高深度(2.54mm)的94GHz毫米波波源TE41模式轉換器。
由微機械加工方式所獲得的TE41模式轉換器，實際使用HP 8720C 網路分析儀所獲得的量測結果與使用“高頻結構模擬軟體”，High Frequency Structure Simulator (Ansoft HFSS 10.0)所模擬得到的結果相差10倍的銅損耗，由於此TE41模式轉換器的電磁波肌膚深度(skin depth)約為0.25μm，估計此損耗源自微機械加工表面粗糙度為次微米等級，表面粗糙度的不平整是為損耗來源的主因，研究結果發現以LIGA製程技術X光深刻SU-8光阻，藉由AFM量測光刻側壁，其表面粗糙度Ra~58nm。最後由電鑄並研磨至所需厚度2.54mm以及水刀移除SU-8光阻，使用LIGA製程技術確實可製作出W-band TE41模式轉換器。
未來邁向THz波源，其元件尺寸為次微米甚至到奈米等級，微機械加工方式不敷使用，需藉由LIGA製程技術製作奈米等級的模式轉換器、共振腔、光子晶體等，有其必要性與可行性。

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