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| 研究生： |
謝宗林 |
|---|---|
| 論文名稱： |
金氧半元件中高介電與界面層之退火與在原位電漿處理的電與材料特性研究 Annealing and In-situ Plasma Treatment of Interfacial Layer/High-k Dielectric on Electrical and Material Characteristics in MOSFET Devices |
| 指導教授： | 張廖貴術 |
| 口試委員: |
趙天生
崔秉鉞 |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2013 |
| 畢業學年度： | 101 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 94 |
| 相關次數： | 點閱：4 下載：0 |
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