一般半導體元件是屬於「由上而下」的製程，利用許多微影和蝕刻技術，來做出特殊的圖案結構，儘管技術日新月異，圖形也變得愈來愈精細，但如何在不影響元件效能的情況下，將其尺寸縮小，這是長久以來一直面臨的挑戰；在分子電子學領域中，則是利用「由下而上」的製程方式，搭配使用半導體製程技術，將分子由下而上成長，可以形成僅約幾個奈米尺寸(<3nm)的通道，有機會突破摩爾定律(Moore’s Law)。

本實驗使用辛烷硫醇和聯苯-4,4´-二硫醇分子作為三電極分子元件源極和汲極之間的通道，在製程上去除因氫氧化鉀蝕刻矽所殘餘的鉀離子後，長久存在的漏電問題獲得很大的改善；此外，將良好的元件做電性分析，兩種分子皆沒有觀察到預期的閘極效應現象。

[1] A. Aviram and M. A. Ratner, Chem. Phys. Lett., 1974,29,
277–283.
[2] Michael C. Petty, Molecular electronics : from \
principles to practice(2007)
[3] Wenyong Wang, Takhee Lee, M.A. Reed, Physica E 19
(2003) 117-125
[4] W. C. Bigelow, D. L. Pickett, W. A. Zisman, J.Colloid
InterfaceSci. 1946,1, 513.
[5]
http://www.ias.tuwien.ac.at/research/fghh/research/pic_research_sams.html
[6] Companion 著,化學鍵 ,復漢出版社 ,1972
[7] S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2 nd
Edition, Wiley, New York, 1981
[8] Hong Xiao 著, 半導體製程技術導論,台灣培生教育出版股份有限公
司, 2003.
[9] Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for
Integrated Circuits,PEARSON, 2010.
[10] C. R. Kagan, et al.；”Evaluations and Considerations
for Self-Assembled Monolayer Field-Effect
Transistor”, Nano Letters 3, 119 (2003). 2.
[11] 劉春福, “應用薄膜橋製作奈米尺寸電晶體及其相關研究” ,國立清華
大學物理研究所碩士論文, 2004.
[12] 曹永祥, “三電極單層自組辛烷硫醇分子的電流與電壓特性”,國立清
華大學物理研究所碩士論文, 2006.
[13] 楊松鑫, “烷烴硫醇自組裝分子元件之電性分析”,國立清華大學物理
研究所碩士論文, 2008.
[14] 楊文斌, “自組辛烷硫醇分子元件的場效應探討”,國立清華大學物理
研究所碩士論文, 2010.
[15] Lee, et al.；”Absence of Strong Gate Effects in
Electrical Measurements on Phenylene-Based Conjugated
Molecules”, Nano Letters 3, 113 (2003). 2.