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| 研究生： |
戴振展 Tai, Cheng-Chan |
|---|---|
| 論文名稱： |
P型氮化鋁鎵電子阻擋層用於具有氮化銦鎵量子井的發光氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體影響研究 Study on Effect of p-AlGaN Electron Blocking Layer in Light Emitting AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with an InGaN Single Quantum Well |
| 指導教授： |
黃智方
Huang, Chih-Fang |
| 口試委員: |
劉嘉哲
Liu, Jia-Zhe 張庭輔 Chang, Ting-Fu |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering |
| 論文出版年： | 2023 |
| 畢業學年度： | 111 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 98 |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
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全文公開日期 2026/01/04 (校內網路)全文公開日期 2026/01/04 (校外網路)