IMRT 3D QA假體劑量驗證是將劑量計置於假體內空腔，在進行放射治療之前，藉由實際測量假體接收劑量來驗證治療計畫計算劑量，是IMRT放射治療品質管制之有效利器，因此許多報告都鼓勵以多種假體劑量度量，來更加確認IMRT放射治療劑量。假體劑量驗證最常使用的劑量計為游離腔、熱發光劑量計（thermoluminescence dosimeters, TLD）與X光底片，本實驗選擇游離腔、MOSFET劑量計與X光底片為度量工具，提供這3種劑量計在臨床使用上之校正經驗，並在實際驗證劑量之前，考慮可能影響假體劑量計讀值之各種參數，如照野均勻性、測量深度與假體材質等，一一在假體上量測，並在假體劑量驗證時予以修正。
選擇頭頸部治療之鼻咽癌病患，在進行劑量驗證之前時，將先IMRT 3D QA假體進行電腦斷層影像掃描，將所取得的影像，與原先病人的影像做置換，經過電腦重算劑量後，取得該待測驗證點之劑量值。然而假體材質與量測深度，並非當初校正治療機器時之位置與材質，故假體中劑量的換算上仍須經過校正。參考美國醫學物理師協會（American Association of Physicists in Medicine , AAPM）所發表之Task Group 21”光子在假體中劑量測定流程”，直接用實驗的方式將假體材質與深度誤差予以校正。

以游離腔劑量計與MOSFET劑量計分別量測了5個照野，分別屬於同一個病患。以游離腔劑量計度量的結果，有1照野的腫瘤劑量誤差大於2％的處方劑量，所有照野的劑量誤差則有-3.92％；以MOSFET劑量計量測假體劑量，結果有1照野的劑量大於3％的治療計畫劑量，而所有之劑量誤差都少於5％。

檢討整個治療流程，發現除了假體位置的差異外，系統誤差（systematic error）可能來自於假體不均質（inhomogeneity）與假體厚度之影響。除此之外，某些射束劑量計度量之結果誤差略比電腦計算劑量大，一一分析後，發現除了劑量計本身之不穩定外，劑量計之誤差亦可能來自於，劑量驗證點落在低劑量區域，其讀值將有明顯差異，因此也造成IMRT治療計畫在假體驗證上之不確定性。

經由本實驗可建立一套包括校正劑量計、修正假體條件與實際劑量測定之完整IMRT劑量驗證方式，經由誤差分析瞭解驗證流程中可能發生誤差之程序，在進行劑量驗證工作時應特別注意，以避免劑量誤差來達到品質保證之目的。

1.洪瑞隆醫師個人首頁，鼻咽癌講座。 來源網址： http://www.fcf.org.tw/disease/nasopharngeal.htm
2.香港醫院管理局首頁，健康及各類疾病之常識。
來源網址： http://www.ha.org.hk/org/hkacs/cancer/naso.htm
3.王博民醫師講解首頁，鼻咽癌常見問題來源網址：http://tis.mc.ntu.edu.tw/npcfaq.htm
4.Nicholas T. Measurement and Detection of radiation. Hemisphere Publishing Corporation. New York:1983.
5. Knoll GF. Radiation detection and measurement. Wiley, New York:1989.
6. Khan FM. The physics of radiation therapy. Williams & Wilkins. Baltimore:1994.
7. Task Group 21, Radiation Therapy Committee, AAPM: Schulz RJ, Almond PR, Cunningham JR, et al. A protocol for the determination of absorbed dose from high-energy photon and electron beams. Med Phys 1983;10:741-771.
8. Sze, S. M.: ”Semiconductor Devices, Physics. and Technology”, John Wiley and Sons, 1985.
9. Soubra, M.,Cygler, J, and Mackay, G.F., “Evaluation of a Dual Metal Oxide-Silicon Semiconductor Field Effect Transistor Detector as a Radiation Dosimeter”, Medical Physics. 21(4) April 1994.
10. Thomson I., Reece M.H., ”Semiconductor MOSFET Dosimetry”, Proceeding of Health Physics Society Annual Meeting(1983).
11. Oldham T.R. and McGarrrity J.M., “Comparison of 60Co Response and 10keV X-Ray Response in MOScapaacitorrs,” , IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-30 4377(1983).
12. Tallon R.W., Ackermaan M,R, W.T. Kemp W.T., Owen O.H., and Saunders D.P., ”A Comparison Of Ionizing Radiation Damage in MOSFET’s from 60Co Gamma Rays, 0.5 To 22MeV Proton and 1 to 7 MeV Electronics”, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-32 4393(1985).
13. Ma, T.P., Dressendorfer, P.V., “Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits”, 1st edition ,(Wiley New York, 1989).
14. Baines, H., and Bomback, E.S.: The Science of Photography, 2nd Ed . London, Fountain Press, 1967.
15. Fuchs A.W.: “Evolution of roentgen film. Am. J. Roentgenol., 75:30, 1956.
16. James, T.H., and Higgins, G.C.: Fundamentals of Photographic Theory. 2nd Ed New York, Morgan and Morgan, 1968.
17. Martin, F.C., and Fuchs A.W.: The historical evolution of roentgen-ray plates and film. Am. J. Roentgenol., 26:540, 1931.
18. Mees, C.E.K., and James, T.H.: The Theory of the Photographic Process. 3rd Ed. New York, Macmillaan, 1969.
19. Neblette, C.B.: Photography , Its Materials and Processes . 6th Ed. New York, Van Nostraand, 1962.
20.Warynen, R.E., Holland , R.S., and Trinkle, R.J.: Chemical Manufacturing Considerations and Constraints in Manufacturing Film, Chemicals and Processing. Proceedings of the Second Image Receptor Conference: Radiographic Film Processing, Washington, DC, March 31-April 2, 1977, pp. 89-96. Washington, DC, U.S. Government Printing Office, 1977, Stock No. 017-015-00134-2.
21. Wuelfing, P,: High stability developer for medical x-ray processing. SPIE Vol. 555 Medical Imaging and Instrumentation, 1985, p. 91.