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| 研究生： |
吳承祐 Wu, Cheng-Yu |
|---|---|
| 論文名稱： |
應用鎳化鍺後離子佈值與低溫氧化閘堆疊以改善鍺場效電晶體電特性之研究 Improved Electrical Characteristics of Ge FET with Ion Implantation after NiGe and Low Temperature Oxidation on Gate Stacks |
| 指導教授： |
張廖貴術
Chang-Liao, Kuei-Shu |
| 口試委員: |
趙天生
Chao, Tien-Sheng 李耀仁 Lee, Yao-Jen |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2024 |
| 畢業學年度： | 112 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 114 |
| 相關次數： | 點閱：1 下載：0 |
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全文公開日期 2029/01/25 (校內網路)全文公開日期 2029/01/25 (校外網路)