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| 研究生： |
蔡羽璇 Tsai, Yu-Hsuan |
|---|---|
| 論文名稱： |
利用鈷取代鎢作為替代金屬閘極材料以改善FinFET製程之MOS電容 Replacing Tungsten by Cobalt as Metal Gate Material for Advanced FinFET Process |
| 指導教授： |
巫勇賢
Wu, Yung-Hsien |
| 口試委員: |
唐英瓚
Tang, Ying-Tsang 吳永俊 Wu, Yung-Chun |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2020 |
| 畢業學年度： | 109 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 55 |
| 相關次數： | 點閱：2 下載：0 |
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全文公開日期 2025/09/01 (校內網路)全文公開日期 2025/09/01 (校外網路)