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| 研究生： |
蔡懷毅 |
|---|---|
| 論文名稱： |
同質雙磊晶約瑟芬元件之濺鍍薄膜性質研究 The study of sputtering thin film for the homo-biepitaxial grain boundary Josephson junction |
| 指導教授： | 齊正中 |
| 口試委員: | |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
理學院 - 物理學系 Department of Physics |
| 論文出版年： | 2004 |
| 畢業學年度： | 93 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 59 |
| 中文關鍵詞： | 同質雙磊晶 、約瑟芬元件 、濺鍍薄膜 |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
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我們用同質雙磊晶界面來製作高溫超導約瑟芬元件，在脈衝雷射的薄膜成長方式下，已經發展出YBCO（高溫）/ YBCO（低溫）/ YSZ（a-b平面相對基板旋轉45 ）及YBCO（高溫）/ YSZ（a-b平面相對基板旋轉0 ）的結構。但其在晶界結的部分，因為脈衝雷射成長速度快，薄膜結晶顆粒大，因此在做蝕刻時很容易蝕刻出鋸齒狀的晶界結。因此我們想嘗試利用90度離軸高頻磁濺鍍（90 off-axis RF magnetron sputtering）的薄膜成長方式，來嘗試看看是否能得到好的臨界電流密度Jc。在此我們濺鍍許多不同溫度的薄膜，從電性量測、X-ray θ-2θ量測、φ-scan量測以及SQUID量測來看YBCO薄膜成長的方向性、臨界電流密度Jc與鍍膜溫度之間的關係，以期能找出最佳條件來製作同質雙磊晶約瑟芬元件。而量測結果發現，較大的臨界電流密度Jc，並非只與薄膜的臨界溫度有關，也與薄膜本身的結構是否存在其他界面有關。原則上我們在較高的薄膜成長溫度可得到較高的臨界溫度Tc與臨界電流密度Jc；但在成長溫度810℃與800℃時出現與基板夾其他角度的薄膜，因而造成Jc變小，反而在成長溫度700℃時得到最高的Jc。
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