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研究生： 詹文皓
Wen-Hao Chan
論文名稱： 電洞傳輸層製備方式對有機電致發光元件之影響
Effect of the Fabrication Method of the Hole-transport Layer on Organic Electroluminescence Devices
指導教授： 周卓煇
Jwo-Huei Jou
口試委員:
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 工學院 - 材料科學工程學系
Materials Science and Engineering
論文出版年： 2001
畢業學年度： 89
語文別： 中文
論文頁數： 70
中文關鍵詞： 有機電致發光元件 、電洞傳輸層製備方式 、鍍膜速率
外文關鍵詞： Organic Electroluminescence Devices, Hole-transport Layer, oled, oel
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    • 本實驗採用兩種不同鍍膜速率交替鍍覆電洞傳輸層TPD，期望得到具有不同品質的薄膜交替組合而成的元件，並就元件電流-電壓-亮度特性以及交替鍍覆的薄膜表面形態作一探討。
    元件結構依序為ITO（750 Å）/TPD（600 Å）/Alq3（550 Å）/Al（1000 Å），鍍覆有機層的條件為：電子傳輸層Alq3的鍍膜速率維持在3~4 Å/sec之間；電洞傳輸層TPD採用鍍膜速率0.5~1.5 Å/sec及6~8 Å/sec鍍覆，以及將TPD層在同為厚度600 Å條件下，分別用上述兩種鍍膜速率作交替鍍覆，分為兩次交替鍍覆、三次交替鍍覆和六次交替鍍覆。

    實驗結果可推測元件表現深受TPD與Alq3接觸面的薄膜特性影響，而不論TPD是在何種鍍膜速率或交替鍍覆條件下製作的元件，其最大亮度的差異均不大，但達到相同亮度的驅動電壓差異卻可因製程條件的不同而高達4伏特。

    與實驗室早期結果比較，本實驗大幅提昇了元件的亮度，元件亮度由早期1200 cd/m2提升到3800 cd/m2，而使元件有較高亮度之進步性的原因有二：一為鍍覆鋁電極的方式，可使元件不因鍍覆電極時的高溫而損壞；二為鍍膜速率的不同，以及交替鍍覆的使用。

    目錄 目錄 ………………………………………………………………..…..1 獻 …………………………………………………………………..…..4 致謝 ………………………………………………………………..…..5 摘要 ……………………………………………..………………..……7 圖目錄 …………………………………………..………………..…....8 表目錄 ……………………….……………………………………….10 壹、 緒論 …………………….………………………………………11 貳、 文獻回顧 ……………………………………………………….12 2-1、有機電致發光元件的發展起源 ……………………….....12 2-2、有機電致發光元件材料特性 ……………………………..13 2-2-1、小分子有機材料 …………………………………..13 2-3、改善有機發光元件效率的重要發展 ……………………...18 2-3-1、結構方面的改善 …………………………………..19 2-3-2、低功函數負電極 …………………………………..20 2-3-3、主體(host)-客體(guest)材料摻雜系統 …………….21 2-3-4、最佳化的鍍膜速率 ………………………………..22 2-4、不同的有機發光元件結構 ………………………………...23 2-4-1、TOLED（Transparent Organic Light-emitting Devices） 2-4-2、IOLED（Inverted Organic Light-emitting Devices） 2-4-3、SOLED（Stacked Organic Light-emitting Devices） 2-5、元件衰減機制 …………………………………………...26 參、 實驗方法 ………………………………………..…………….27 3-1、材料 ………………………………………….…………..27 3-2、蒸鍍裝置 ……………………………………….………..27 3-3、單體沉積速率之測定 ………………………….………..27 3-4、電致發光元件之電路設計 …………………….………..28 3-5、基板的清洗 …………………………………….………..28 3-6、電流、電壓與亮度關係曲線圖之量測 ……….………..28 3-7、原子力顯微鏡 (AFM) 量測 ………………...….………28 肆、 結果與討論 …………………………………………..……….30 4-1、石英震盪膜厚計之校正 ………………………….……..30 4-2、雙層有機電致發光元件研究 …………………….……..30 4-2-1、元件結構及鍍膜參數 …………………….……..31 4-2-2、電流-電壓特性 …………………………….…….32 4-2-3、電壓-亮度特性 …………………………….…….33 4-2-4、電流-亮度特性 …………………………….…….34 4-2-5、元件發光效率比較 .…….…………………….…35 4-2-6、原子力顯微鏡的觀察 …….….……………….…36 伍、 結論 …………………………………….………………….…38 參考資料 ……………………………………….……………….….68

    參考資料
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