研究生: |
吳宣緯 Hsuan-Wei. Wu |
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論文名稱: |
多晶鑽石碟薄化矽晶圓之性能研究 A study on the performance of thinning of silicon wafer with PCD shaver |
指導教授: |
左培倫
Pei–Lum Tso |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
工學院 - 動力機械工程學系 Department of Power Mechanical Engineering |
論文出版年: | 2007 |
畢業學年度: | 96 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 89 |
中文關鍵詞: | 多晶鑽石碟 、晶圓薄化 |
外文關鍵詞: | PCD, Wafer Thinning |
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本論文主要在探討以市面上薄化晶圓的粗磨、細磨參數,對矽晶圓進行薄化加工,並以實用化的角度討論之。在理論的建構上,建立多晶鑽石碟刮削矽晶圓的力學模型,推導切削力、切削能量的推論公式。可由公式推測其切削力與切削能量變化的趨勢。
實驗部份,以多晶鑽石碟進行晶圓薄化製程中的粗磨及細磨實驗,改變實驗參數如刀具進給、刀具與晶圓轉速等,發現藉由提升刀具進給與改變加工機台,可有效提升材料移除率各約3.73倍與11.43倍,達到可實用化的階段;而提升刀具晶圓轉速皆對晶圓表面破壞與表面粗糙度有正面的效果。進行細磨實驗,表面粗糙度與表面破壞降低,使用掃描式電子顯微鏡觀察試片後發現,以細磨製程參數進行加工,晶圓表面產生的變質層約6μm深。
另外進行磨耗實驗,以3D表面干涉儀觀察經過20片、40片晶圓切削後的鑽石碟刀刃高度,發現刀刃高度有些微降低。觀察晶圓表面,發現加工品質沒有太大變化;而切屑填塞的問題並不嚴重,鑽石碟仍保有完整的切削能力。
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