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研究生: 劉佑信
Yu Hsin Liu
論文名稱: 台灣動態記憶體公司的技術轉移與知識擴散:個案探討
Taiwan DRAM Firm’s Technology Transfer and Knowledge Diffusion:A Case Study
指導教授: 朱詣尹
Yee-Yeen Chu
口試委員:
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 工學院 - 工業工程與工程管理學系
Department of Industrial Engineering and Engineering Management
論文出版年: 2004
畢業學年度: 92
語文別: 中文
論文頁數: 117
中文關鍵詞: 技術移轉知識擴散
外文關鍵詞: Technology Transfer, Knowledge Diffusion
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  • 高科技公司的技術智慧資本是競爭力的來源,技術智財權之運用能夠增加技術發展與內部知識擴散加速,有效利用公司內外研發資源以提升競爭力,是企業發展與轉型的關鍵因素。其中技術的來源有兩種途徑,一是自行開發,另外就是技術轉移。而臺灣動態記憶體產業型態與工業基礎,最快且最佳的途徑就是引進高層次的技術轉移。因此,台灣動態記憶體產業與國際的各大廠之間的技術轉移,影響了臺灣動態記憶體產業發展。其過程中的知識擴散和技術轉移作法,是本研究的主要議題。
    本研究探討國內的動態記憶體公司進行技術轉移及組織內部的知識擴散對於技術價值提昇的影響,並探討該公司對於製程相關技術移轉後量產作業之運用,以及對知識擴散途徑的探討,針對實際案例之執行方法作分析,並提出知識擴散對技術轉移的影響。
    本研究採用個案探討之方式,以動態記憶體公司為例,經由訪談與發展個案資料,探討動態記憶體公司如何有效利用技術轉移後整合內外部的知識擴散來達成技術轉移的目標,以配合公司營運模式並同時發展所需要的互補技術;希望能藉由本研究個案公司數項技術轉移過程中的知識發展與擴散模式,做為半導體產業未來技術轉移和建立自有技術的參考。


    High technology firm’s technology knowledge and intellectual capital is an important source of competitive advantage. The key questions are how to use intellectual capital to enhance technology development and knowledge diffusion and how to efficiently use the firm’s research resource to increase competitiveness. There are two key approaches for technology development: first, develop internally and second, get the knowledge from outside through technology transfer. Taiwan DRAM industry usually used the technology transfer approach. This research addresses the main concern for Taiwan DRAM company, that is, how to conduct technology transfer and knowledge diffusion.
    This research developed a detail case study with in-depth interviews for the selected DRAM company on how to conduct technology transfer of the process technology for mass production. The study focused on how to integrate the internal and external paths of knowledge diffusion to achieve the objective of knowledge transfer. The case discussed how the process knowledge was developed to compliment business needs in the process of technology transfer. We hope that the DRAM case study provides an example on how to integrate the knowledge diffusion from internal and external sources for the technology transfer and development in the semiconductor industry.

    目 錄 摘要………………………………………………………………………………i Abstract…………………………………………………………………………ii 目錄……………………………………………………………………………iii 表目錄…………………………………………………………………………iv 圖目錄…………………………………………………………………………iv 第一章 概論……………………………………………………………………1 1.1研究動機與目的……………………………………………………………1 1.2背景探討……………………………………………………………………1 1.3研究範圍……………………………………………………………………2 1.4研究方法及步驟……………………………………………………………2 1.5研究架構…………………………………………………………………3 1.6論文架構…………………………………………………………………4 第二章 文獻探討………………………………………………………………5 2.1前言…………………………………………………………………………5 2.2技術移轉……………………………………………………………………6 2.3知識擴散……………………………………………………………………11 2.4技術創新……………………………………………………………………21 第三章 研究方法………………………………………………………………25 3.1研究架構……………………………………………………………………25 3.2 資料蒐集……………………………………………………………………26 3.3研究限制……………………………………………………………………26 第四章 個案探討………………………………………………………………27 4.1前言…………………………………………………………………………27 4.2台灣動態記憶體公司技轉個案……………………………………………27 4.3個案公司簡介………………………………………………………………30 4.4第一階段的B技術個案……………………………………………………32 4.5第二階段的C技術個案……………………………………………………45 4.6案例討論……………………………………………………………………54 4.7國際各動態記憶體公司技術擴散…………………………………………59 第五章 結論與建議……………………………………………………………61 5.1結論…………………………………………………………………………61 5.2建議…………………………………………………………………………62 參考文獻………………………………………………………………………64 附錄 ……………………………………………………………………………70 表 目 錄 表1-1次級資料的來源………………………………………………………………3 表4-1半導體設備相闋技術………………………………………………………46 圖 目 錄 圖2-1競爭的驅動力…………………………………………………………………5 圖2-2 Intel的技術轉移策略圖………………………………………………………8 圖2-3為Intel使用”Copy Exactly”技術移轉方法前良率比較…………………10 圖2-4 為Intel使用”Copy Exactly”技術移轉方法後良率比較…………………10 圖2-5 Toshiba在研發中心與生產工廠間的技術轉移方式………………………10 圖2-6 四種知識轉換模式…………………………………………………………12 圖2-7建構新產品開發能力的程序………………………………………………17 圖2-8知識分享的機制……………………………………………………………18 圖2-9企業知識水準的決定因素…………………………………………………19 圖2-10動態解決半導體製造與製程發展的技術流程圖…………………………20 圖3-1研究流程圖 …………………………………………………………………25 圖4-1 V公司製程技術發展圖……………………………………………………29 圖4-2 U集團與M公司的結合關係………………………………………………30 圖4-3微影製程各步驟與製程流程………………………………………………38 圖4-4異常孔洞 ……………………………………………………………………41 圖4-5正常孔洞 ……………………………………………………………………41 圖4-6理想機能系統方塊圖 ………………………………………………………43 圖4-7加熱處理溫度與熱硬化層厚度函數關係圖 ………………………………43 圖4-8熱硬化厚度及產生裂痕特性要因圖………………………………………44 圖4-9熱硬化厚度對加熱處理溫度函數關係圖…………………………………44 圖4-10改善孔洞裂痕………………………………………………………………45 圖4-11每一世代產品的技術與技術移轉關係……………………………………54 圖4-12案例公司動態解決問題與技術知識流動圖………………………………55 圖4-13案例公司技術轉移方式與對象……………………………………………58 圖4-14臺灣DRAM產業人員與知識流動關係……………………………………59 圖4-15 DRAM 產業技術擴散網絡圖………………………………………………60

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