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| 研究生： |
余彥呈 Yu, Yen-Chen |
|---|---|
| 論文名稱： |
使用多晶鍺通道以及二氧化鍺穿隧層堆疊以改善電荷捕捉式快閃記憶體元件之操作速度研究 Improved Operation Speeds in Charge-Trapping Flash Memory Devices by Poly-Ge channel and Stacked GeO2 Tunneling Layer |
| 指導教授： |
張廖貴術
ChangLiao, Kuei-Shu |
| 口試委員: |
趙天生
Chao, Tien-Sheng 黃文賢 Huang, Wen-Xian |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
原子科學院 - 工程與系統科學系 Department of Engineering and System Science |
| 論文出版年： | 2018 |
| 畢業學年度： | 106 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 84 |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
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