研究生: |
黃彥璋 Yen-Jang Huang |
---|---|
論文名稱: |
基材溫度對化學氣相沈積銅膜應力行為之影響 |
指導教授: |
周卓煇
Jow-Huei Jou |
口試委員: | |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
工學院 - 材料科學工程學系 Materials Science and Engineering |
論文出版年: | 2004 |
畢業學年度: | 92 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 88 |
中文關鍵詞: | 化學氣相沈積法 、基材溫度 、擴散阻礙層 、濺鍍法 、真空彎柄儀 、掃瞄式電子顯微鏡 、X光繞射儀 |
相關次數: | 點閱:3 下載:0 |
分享至: |
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
本論文主要探討以化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition, CVD),於不同基材溫度所製備之銅膜,鍍覆在鍍有擴散阻礙層TaN(Tantalum Nitride)的矽基材上之應力行為。其次探討化學氣相沈積銅膜,其鍍覆在矽與鍍有擴散阻礙層的矽基材上之應力行為。其中擴散阻礙層為Ta(Tantalum)、TaN與TiN(Titanium Nitride),其乃以濺鍍法(Sputtering)製備;應力量測儀器為真空彎柄儀(Bending Beam Apparatus),薄膜之表面結構使用掃瞄式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)觀察,薄膜之結晶結構使用X光繞射儀(X-ray Diffractometer, XRD)測定。
參考文獻
1. P. C. Andricacos, C. Uzoh, J. O. Dukovic, J. Horkans, and H. Deligianni, IBM Journal of Research & Development, 42, 567, 1998.
2. F. B. Kaufman and D. B. Thompson, J. Electrochem. Soc., 138, 3460, 1991.
3. B. Zaho, M. D. Thouless, M. Kato, 1998 Symposium on VLSI Technology, Hawaii, June, 28, 1998.
4. B. Chin and P. Ding, Solid State Technology, 41(7), 141, 1998.
5. M. Proust, F. Judong, J. M. Gilet, L. Liauzu and R. Madar, Microelectronic Engineering, 55(1), 269, 2001.
6. R. A. Levy, M. L. Green, and P. K. Gallager, J. Electrochem. Soc., 2175, 1984.
7. M. T. Bohr, Proceeding of the 1995 IEEE International Electron Devices Meeting, 241. 1995.
8. C. Whitman, M. M. Moslehi, A. Paranjpe, L. Velo, and T. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. A, 17(4), 1893, 1999.
9. S. Craig and G. L. Harding, J. Vac. Sci. Technol., 19, 205, 1987.
10. K. H. Min, K. C. Chun and K. B. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B14,3263, 1996.
11. M. H. Tsai, S. C. Sun, H. T. Chiu and S. H. Chuang, Appl. Phys. Lett., 68, 1412, 1996.
12. 陳松德, 黃獻慶, 林裕鑫, 徐廣福, 陳錦山, 陳慶洪, 真空科技,11(3-4), 27, 1998.
13. G. G. Stoney, Proc. Roy. Soc. (London), A82, 172, 1909.
14. F. K. Reinhart and R. A. Logan, J. Appl. Phys., 44, 3171, 1973.
15. Z. C. Feng and H. D. Liu, J. Appl. Phys., 54, 83, 1983.
16. J. H. Jou, IBM-RJ (Physics) 6058, 1988.
17. J. H. Jou, L. Hsu and L. S. Chang, Thin Solid Films, 201,253, 1991.
18. J. H. Jou and L. Hsu, J. Appl. Phys., 69(3), 1384, 1991.
19. J. H. Jou, J. Hwang and D. C. Hofer, IBM-RJ (Physics) 5984, 1987.
20. E. C. Crittender, Jr., and R. W. Hoffman, Phys. Rev., 78, 349, 1951.
21. 鄭富文, 碩士論文, 國立清華大學材料所, 8, 1996.
22. D. O. Smith, M. S. Cohen and G. P. Wiess, J. Appl. Phys., 31, 1775,
23. D. O. Smith, J. Appl. Phys., 32, 70s, 1960.
24. J. S. Vermask, C. W. Mays and D. Kuhlman-Wilsdorf, Surface
25. R. Abermann, R. Kramer and J. Maser, Thin Solid Films, 52, 215, 1978.
26. W. Andra and H. Danan, Phys. Stat. Sol., A70, K145, 1982.
27. F. C. Frank and J. H. van der Merwe, Proc. Roy. Soc.(London).,A189, 205, 1949.
28. J. H. van der Merwe, J. Appl. Phys., 34, 123, 1963.
29. J. W. Matthews, J. Vac. Sci. Technol., 12, 126, 1975.
30. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett., 47, 322, 1985.
31. J. A. Thornton, J. Taback and D. W. Hoffman, Thin Solid Films., 64, 111, 1979.
32. A. Bensaoula, J. C. Wolef, A. Ignatiev, F. O. Fong and T. S. Leung, J. Vac. Sci. Technol., A2, 389, 1984.
33. P. Chaudhari, J. Vac. Sci. Technol., 9, 520, 1972.
34. E. C. Crittender, Jr. and R. W. Hoffman, Revs. Modern Phys., 25, 310, 1953.
35. A. Segmuller, J. Appl. Phys. Suppl., 32, 89s, 1961.
36. R. Raj and M. F. Ashby, Acta Metall., 23, 653, 1975.
37. J. D. Finegan and R. W. Hoffman, J. Appl. Phys., 30, 597, 1959.
38. F. A. Doljck and R. W. Hoffman, Thin Solid Films, 12, 71, 1972.
39. F. M. D’Heurle, Metall. Trans., 1, 725, 1970.
40. D. W. Hoffman, and J. A. Thornton, Thin Solid Films, 17, 5, 1989.
41. V. Orlinov and G. Sarov, Thin Solid Films, 89, 133, 1982.
42. M. Laugier, Thin Solid Films, 79, 15, 1981.
43. P. Paduscheck, C. Hopfl and H. Mitlehner, Thin Solid Films, 110, 291,1983.
44. H. Windischmann, J. Vac. Sci. Technol., A9, 2459, 1991
45. H. Winters and E. Kay, J. Appl. Phys., 38, 3928, 1967.
46. H. Windischmann, J. Appl. Phys., 62, 1800, 1987.
47. R. A. Holmwood and R. Glang, J. Electrochem. Soc., 112, 827, 1965.
48. E. Klokholm, J. Vac. Sci. Technol., 6, 138, 1969.
49. R. C. Sun, T. C. Tisone and P. D. Cruzan, J. Appl. Phys., 46, 112,1975.
50. H. Windischmann, J. Vac. Sci. Technol., A7, 2247, 1989.
51. R. E. Rottmayer and R. W. Hoffman, J. Vac. Sci. Technol., 8, 151, 1971.
52. S. M. Rossnagel and R. S. Robinson, J. Vac. Sci. Technol., 20, 195, 1982.
53. J. A. Thornton and J. L. Lamb, Thin Solid Films, 119, 87, 1984.
54. C. S. Liu and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 74(9), 1, 1993.
55. C. S. Liu and L. J. Chen, Applied Surface Science, 92, 84, 1996.
56. S. Craig and G. L. Harding, J. Vac. Sci. Technol., 19, 205, 1987.
57. 57.P. A. Flinn, D. S. Gardner and W. D. Nix, IEEE Trans., ED-34, 689, 1987.
58. M. Langier, Thin Solid Films, 75, 17, 1981.
59. T. F. Retajczyk, Jr. and A. K. Sinha, Appl. Phys. Lett., 36, 1962, 1980.
60. T. F. Retajczyk, Jr. and A. K. Sinha, Thin Solid Films, 70, 241, 1980.
61. . J. T. Pan and I. T. Blech, J. Appl. Phys., 55, 2874, 1984
62. A. Lahav, K. A. Grim and I. A. Blech, J. Appl. Phys., 67, 734, 1990.
63. J. H. Jou and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett., 59, 46, 1991.
64. J. H. Jou and L. J. Chen, Macromolecules, 25, 179, 1992.
65. M. Janda, Thin Solid Films, 112, 219, 1984.
66. 莊達人, VLSI製造技術, 高立圖書有限公司.
67. 黃瑞蓮, 碩士論文, 國立清華大學材料所, 8, 1990.
68. 韓名揚, 博士論文, 國立清華大學材料所, 5, 1994.
69. J. J. Tommey, S. Hymes, and S. P. Murarka, Appl. Phys. Lett., 66, 2074, 1995.
70. 宋建憲, 碩士論文, 國立清華大學材料所, 9, 1997.
71. 謝志德, 碩士論文, 國立清華大學材料所, 8, 2002.
72. 許庭維, 碩士論文, 國立清華大學材料所, 9, 1996.