本論文是在大氣中利用接觸式原子力顯微儀AFM之導電探針在平坦鈮(Nb)薄膜上製造奈米級氧化層，研究在鈮薄膜上製造氧化直線，和氧化點。我們分別改變施加的直流電壓大小，探針掃描速度，探針接觸力，及空氣濕度的實驗，觀察它們對於氧化物形成有何影響，以了解其生成的氧化機制。並使用目前有關此機制的理論計算及分析，對我們實驗數據作個探討。我們也試著利用施加方波脈衝方式，移去空間電荷，可以提高氧化物的解析度。此外，我們試著製作氧化物結構。其一是利用方波脈衝製造點陣，其二是在預製的電橋上製造金屬-絕緣-金屬的平面二極體，得到此元件基本特性的初步結果。

參考資料
1.G.Binning,H. Rohrer,C.Gerber and E. Weibel, Phys. Lett. 49,57(1882)
2.G.Binning,C.F.Quate and C. Gerber, Phys.Rev.Lett,56,930(1986)
3.M.A. McCord,R.F.W.Pease,J.Vac.Sci.Technol.B3,198(1985)
4. M.A. McCord,R.F.W.Pease,J.Vac.Sci.Technol.B4,86(1986)
5. M. Ringger, H.R. Hidber,R. Schlogel,P. Oelhafen, H.J.Gntherodt,Appl. Phys. Lett.46,832(1985)
6.H. van Kempen,G.F.A. van de Walle,IBM.J.Res.Dev.30,509(1986)
7.R.M. Silver,E.E. Ehrichs, A.L. de Lozanne, Appl. Phys.Lett.51,247 (1987)
8.R.S.Becker, J.A.Golovchenko et al,Nature 325,419(1987)
9.J.K.Gimzewski,R.Moller,Phys.Rev.B36,419(1987)
10.J.S.Foster,J.E.Frommer,P.C.Arnett,Nature 331,324(1988)
11.Y.Z.Li,L.Vazquez,R.Piner,R.P.Andres,Appl.Phys.Lett.54(15),10 April(1989)
12. T.R.Albrecht,M.M.Dovek,M.D.Kirh,Appl.Phys.Lett.55(17),23,Oct (1994)
13.J.A.Dagata,J.Schneir,H.H.Harary, Appl.Phys.Lett.56(20),1 May(1990)
14.E.S.Snow,P.M.Campbell,Appl.Phys.Lett64(16),18 April(1994)
15.D.Wamg,L.Tsau,K.L.Wang, Appl.Phys.Lett.67(1995)1295
16.A.Moel,M.L.Schattenburg,J.M.Caster,H.I.Smith,J.Vac.Technol.B8,1648(1990)
17.J. W. Lyding, G. C.Abeln, T.C.Shen,C.Wang, and J. R. Tucker, J. Vac. Sci.Technol.B 12,3735(1994)
18.T. Fayield, T.K.Higman, J. Vac. Sci. Technol. B 19(3), May (1995)
19.P. M.Campbell, E. S. Snow,and P. J. McMarr, Appl. Phys Lett,66(11), 13 March (1995)
20.K.Matsumoto,M.Ishii, K.Segawa,Y.Oka, Appl.Phys.Lett,68(1),1 Jan(1996)
21. K.Matsumoto,IEEE,Vol.85.No.4.April (1997)
22. K.Matsumoto,Jun-ichi Shirakashi,Naruhisa Miura,Jpn.J.Appl,Phys.Vol. 36(1997) pp. L1120-1122
23.K.Matsumoto,JunichiShirakashi,NaruhisaMiura,Jpn.J.Appl,Phys.Vol. 36(1997) pp. L1257-1260
24.J.Kgimzewski, R.Moller,Phys.Rev. B36,1284(1987)
25.N Cabrea and N.F. Mott, Rep. Prog.Phys. 12,163(1948)
26.H. Sugimura, T Yamamoto, and N. Nakagiiri, Appl. Phys Lett,65,1569(1994)
27.A.E.Gordon et al. J. Vac.Sci. Technol.B 13,2805(1995)
28.J.Servant,P.Gorostiza,F. Sanz et al.,. J. Vac. Sci.Technol A 141(1996)
29.T. Teuschler, K. Mar, S. Miyazaki,M. Hundhausen, and L. Ley, Appl.Phys.Lett. 66,2499(1995).
30. T. Teuschler,et al.,Appl. Phys. Lett.67,3144(1995)
31.D. Stievenard, P.A. Fontaina, and E. Dubois, Appl. Phys. Lett.70,
3272(1997).
32.P.Avouris,T.Hertel,andH.K.Wickramasinghe, J. Appl. Phys.61.4723
(1987)
33.Elementary Solid State Physics, M.Ali Omar ,Addison-Wesley publ-ishing Campany
34.S.C.Minne,H.T.Soh et al., Appl. Phys. Lett.66,703(1995)
35.P.M. Campbell, E.S. Snow,and P. J.S. Tsai, Appl. Phys. Lett.66,1388
(1995)
36.Y. Nakamura, D.L. Klein, and J.S. Tsai, Appl. Phys. Lett.68,275(1996)
37. E.S. Snow,, D. Park, and P.M.Campbell, Appl. Phys. Lett.69,269
(1996)
38. J.Shirakashi, K.Matsumoto,N.Miura, andM.Konagai,Jpn.J.Appl.
Phys.36, l1120(1997)
39. J.Shirakashi, K.Matsumoto et al., Jpn.J.Appl. Phys 36.L1257(1997)
40.Hiroyuki Sugimura,Tatsuya Uchida,Noboru Kitamura and Hiroshi Masuhara,Jpn. J. Appl. Phys. 32(1993) pp. L553-L555.
41.B.Irmer,M.Kehrie,H.Lorenz,and J.P.Kotthaus. Appl. Phys. Lett.71(12),(1997)
42. K.Matsumoto,The 42nd Seminar on Science and Technology.L27.
(1999)
43.Yoshitaka Okada,Shinji Amano,and Mitsuo Kawabe J. Appl. Phys.(83)L7998-8001 June(1998).