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研究生: 鄭生同
Cheng, Sheng-Tung
論文名稱: 類鑽碳薄膜散熱性質之研究
The Study of Thermal Conductivity of Diamond-like Carbon Thin Films
指導教授: 寇崇善
Kou, Chwung-Shan
口試委員: 周賢鎧
劉偉強
寇崇善
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 理學院 - 物理學系
Department of Physics
論文出版年: 2011
畢業學年度: 99
語文別: 中文
論文頁數: 80
中文關鍵詞: 類鑽碳膜發光二極體DLCLED電路板散熱PCB
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  • LED晶片的接面溫度幾乎左右了LED產品的一切性質,如何有效地散熱成為LED產業發展的關鍵。有鑑於此,希望由實驗室自行開發之類鑽碳薄膜做為LED散熱基板的助益層並配合各種薄膜製程技術,有效地降低LED晶片的接面溫度,提升產品之可靠性。
    以實驗室自組物理氣象化學沉積(PECVD)系統沉積類鑽碳薄膜,並利用LED半導體特性,分析LED熱平衡溫度置於不同製程條件電路板之關係,藉此研判各製程條件對電路板散熱性質的影響。實驗主要分為以下三個部分:研究改變類鑽碳製程偏壓,膜厚對電路板散熱性質之影響。輔以拉曼光譜分析類鑽碳薄膜鍵結組成,與散熱數據作一比較,對其關聯性作一討論。研究銅電極厚度對基板散熱性質之影響。細分為直接濺鍍銅電極,及結合電鍍、黃光技術增厚銅電極至數十微米兩部分。並以最佳參數製作電路基板,與多種市售基板做散熱性質比較,討論造成各種基板散熱性質差異之可能原因。實驗過程中發現銅電極與類鑽碳膜間存在著附著性不佳的問題,為解決此問題,嘗試加入濺鍍金屬鉻薄膜當作中介層,並以奈米刮痕儀分析鉻中介層的加入對銅膜附著性的改善程度。


    第一章 緒論 7 1-1 前言 7 1-2 發光二極體 7 1-2-1 發光二極體簡介 7 1-2-2 LED產業所遭遇的瓶頸 10 1-3 類鑽碳膜 12 1-3-1 類鑽碳膜簡介 12 1-3-2 類鑽碳膜之組成 15 1-3-3 類鑽碳膜發展瓶頸 18 1-4 銅金屬性質與構造 20 1-5 研究動機 22 1-6 論文架構 22 第二章 理論基礎 23 2-1 物理氣相沉積法 23 2-1-1 物理氣相沉積法簡介[17-18] 23 2-1-2 蒸鍍法(Evaporation)[21] 25 2-1-3 濺鍍法(Sputtering)[22] 27 2-2 薄膜成膜理論 31 2-2-1 薄膜沉積 31 2-2-2 濺鍍薄膜微結構模型 [24] 32 2-3 電鍍銅原理[25] 34 2-4 熱傳導理論 37 2-4-1 熱傳導簡介 37 2-4-2 古典熱傳導理論[26] 37 第三章 實驗架構與流程 41 3-1 實驗腔體介紹 41 3-1-1 PECVD系統簡介 41 3-1-2 RF濺鍍系統簡介 44 3-2 電鍍,黃光,蝕刻流程 45 3-3 量測儀器 47 3-4 基板散熱性質定性分析法 51 3-5 實驗規劃 55 3-5-1 DLC製程參數對基板散熱性質之影響 55 3-5-2 銅電極厚度對基板散熱性質之影響 57 3-5-3 加入鉻中介層對銅膜附著力之影響 59 第四章 實驗結果與討論 61 4-1 製程成膜速率確定 61 4-1-1 濺鍍功率對銅膜沉積速率之影響 61 4-1-2 濺鍍功率對銅膜電阻率之影響 62 4-1-3 製程偏壓對DLC沉積速率之影響 63 4-2 DLC製程參數對基板散熱性質之影響 64 4-2-1 DLC製程偏壓對基板散熱性質之影響 64 4-2-2 DLC膜厚對基板散熱性質之影響 68 4-3 銅電極厚度對基板散熱性質之影響 71 4-3-1 濺鍍銅電極厚度對基板散熱性質之影響 71 4-3-2 電鍍增厚銅電極對基板散熱性質之影響 73 4-3-3 比較多種電路基板之散熱性質 75 4-4 加入鉻中介層對銅膜附著力之影響 77 第五章 結論 78 5-1 實驗結論 78 5-2 建議事項 79 參考文獻 80

    [1] A.Zukauskas,S.Shur and E.Gaska,Wiley,Chapter 4,2002
    [2] 林明德,戴光佑,工業材料雜誌266期,民國100年。
    [3] H.O.Pierson,Chapter 2,Handbook of carbon,graphite,diamond and
    fullerenes,Noyes publications,p.11-41(1993)
    [4] H.O.,Chapter 14,Handbook of carbon,graphite,diamond and
    fullerenes,Noyes publications,p.337-355,(1993).
    [5] W.D.Kingery,H.K.Bowen and D.R. Uhlmann,Chapter 2,
    Introduction to ceramics,John Wiley & Sons,Canada,(1991).
    [6] J.Robertson,Mater.Sci.& Eng.R37,129-281,(2002).
    [7] H.S.Nalwa,Handbooks of thin film materials(2002)
    [8] C.Y.Hsu,L.Y.Chen and F.C.N.Hong,Diamond Relat.Mater.,7,884,(1994).
    [9] J.J.Cuomo,D.L.Pappas,J.Bruley,J.P.Doyle and
    K.L.Saenger,J.Appl.Phys.,70,1706,(1991).
    [10] S.S.Camargo,Jr,A.L.Baia Neto,
    R.A.Santos,F.L.Freire,Jr,R.Carius,F.Finger,Diamond
    Relat.Mater.,7,1155,(1998).
    [11] Weng-Jin Wu,Min-Hsiung Hon,Surf.Coat.Technil.,111,134,(1999).
    [12] H.L.Bai,E.Y.Jiang,Thin Solid Films 353,157,(1999).
    [13] G.E.Rao,E.H.Lee,R.Bhattacharya and A.W.McCormick,J.Mater
    Res.,10,190,(1995).
    [14] C.M.Chan,T.M.Ko and H.Hiraoka,Surf.Sci.Rep.,24,1,(1996).
    [15] S.P.Murarka,I.V.Verner and R.J.Gutmann,Copper-Fundamental
    Mechanisms for Microelectronic Application,John Willy & sons,New
    York,(2000).
    [16] 吳俊明,碩士論文,以RF磁控濺鍍法在塑膠基材上沉積銅膜之性質研究,
    國立成功大學,民國92年。
    [17] 施漢章,國立清華大學,"電漿製程講義",民國99年。
    [18] A.Grill,Cold plasma in materials fabrication,IEEE Inc,(1994).
    [19] 陳仲宜,莊允中,金屬工業發展研究中心,前瞻奈米鍍膜技術與潛力市場
    探索,經濟部技術處產業技術知識服務計畫(ITIS),民國94年。
    [20] 李志偉,東南科技大學,"物理氣相沉積與薄膜濺鍍技術基本原理講義",
    民國97年。
    [21] D.M.Mattox,Handbook of physical vapor deposition
    processing,ELSEVIER,p.195-235,(2010)
    [22] D.M.Mattox,Handbook of physical vapor deposition processing,
    ELSEVIER,p.237-286,(2010)
    [23] 林光隆,國立成功大學,"材料表面工程講義",第七章,民國90年。
    [24] J.A.Thomton,Journal of Vacuum Science Technology
    ,11(4),(1973),pp.666-670.
    [25] 闕呂麟,羅門哈斯,"電路板溼製程全書",第五章,民國94年。
    [26] 李雅明,固態電子學,全華科技圖書股份有限公司,民國94年。

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