摘要
本實驗採用Smart Cut製程製作SOI，以電感式電漿偶合系統（ICP）產生氦電漿，在矽靶材處加上脈衝式高負偏壓，吸引氦離子植入矽靶材內。首先量測電漿特性，如電漿密度和OES，以決定在腔體中佈植的最佳位置；決定以偏壓25keV，RF coil下方28cm，佈植氣壓5 m Torr和RF power 500 w的條件下進行氦離子佈植。實驗最重要目的：是要在經過1hr、500℃的退火後，可以使wafer劈裂。為比較佈植後和經過劈裂退火的差異，分別用SEM、SPM觀察表面形貌，用TEM觀察試片cross section情形，以及採用Trim96模擬佈植，與實際狀況作一比較。為了消除佈植缺陷，我們嘗試用了不同的退火時間和溫度：800℃ 1 hr、1100℃ 1 hr、1300℃ 3.5 hrs和1300℃ 6 hrs，接著用HRTEM觀察缺陷的變化情況，以期找出可達到耗費最低的thermal budget來消除這些缺陷的退火製程。在晶片黏合部分，我們採用標準RCA-1方式來製作，並用SEM分別觀察在經過1hr、500℃和1hr、1300℃退火後的黏合情況。

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