本論文為GeSi/Ge的介面研究，目的在發展一新方法，來分析介面結構的訊息。利用三光複繞射技術，以Ge 為一階繞射，利用影像板量測沿著基底與薄膜介面行進的二階(Secondary)Ge 與Ge 繞射影像，利用此影像在入射光不同角度時的幾何形狀變化來推出介面的結構。

[1] I. Kegel , T. H. Metzger , A. Lorke, J. Peial (2001) . Phys. Rev. B. 63.
035318-1 – 035318-13
[2] Chang, S. L. (1984). Multiple Diffraction of x-ray in Crystals.
Chap. 2,4. New York : Springer-Verlag
[3] Kittel, C. (1996). Introduction to Solid State Physics, 7th ed.,
Chap. 1,2. New Tork : John Wiley & Sons.
[4]鄭程文 (2002). 碩士論文. 清華大學物理系.
[5]Stetsko, Y. P. & Chang, S. L. (1997). Acta. Cryst. A53, 28-34.
[6]AzÁroff, L. V. (1968). Elements of X-ray Crystallography, Chap. 5,7,9. New York : McGraw-Hil.
[7]吳泰伯 & 許樹恩 (1996) .X光繞射原理與結構分析, Chap. 3,7,15 .
行政院國家科學委員會精密儀器發展中心.
[8]Jackson, J. D. (1975). Classical Electrodynamics, 2nd ed., Chap. 7,14.
New Tork : John Wiley & Sons.
[9]Jenkins, R. & Snder, R. L. (1996). Interduction to X-ray power Diffractometry, Chap. 3. New York : John Wiley & Sons.
[10]Drude, P. (1959). The theory of optics. 274-283,358-365.
New York : Dover Publications