本論文第一部份是探討內層Ni薄膜對磷化鎵之N型及P型歐姆接觸的電性的影響。於Au/AuGe/Au/n-GaP結構及Au/AuBe/Au/p-GaP結構，將內層Au薄膜換為Ni薄膜，比較其與原始電極結構的接觸電阻之差異。實驗結果得知，p-GaP的Au/AuBe/Ni的歐姆電極的電阻低於60□的比率，在515℃退火後有最大值，但是仍比原始Au/AuBe/Au電極的比率低了15.9%，在電性表現稍差。推測這是由於在515℃退火下AuBe仍為固相， AuBe/p-GaP界面為固態反應，內層的Ni薄膜與p-GaP形成NiGax及NiPy的化合物反而阻礙Be元素固態擴散的摻雜效應，因此電性表現較內層為Au薄膜的電極稍差。 n-GaP之Au/AuGe/Ni歐姆電極低於60□的比率比內層Au薄膜的電極約多了64%，所呈現的電性會比Au薄膜者來得好。推測由於高溫退火時Ni薄膜可使AuGe液相均勻分佈，增加界面反應的面積且界面液體凝固後再生成n+-GaP高摻雜層。
論文第二部分探討不同含量的Sb加入AuBe合金中，製作p-GaP的Au/AuBeSb/Au歐姆電極，比較Sb含量對電極電性變化及外觀形貌的影響。在電性方面，不同的退火條件下，AuBe和AuBeSb所形成的歐姆電極的電阻變化的趨勢頗相似，且在515℃、15分鐘的退火條件下電阻值會有最低值23.5□，且添加Sb也有助於電性分佈更均勻。在外觀形貌方面，AuBe的歐姆電極只在大於535℃或長時間退火的情況下表面會略顯粗糙；AuBeSb歐姆電極在475℃退火後表面即發現有析出物，隨著退火溫度愈高析出物會增多，表面也更粗糙。因此可知Au/AuBeSb/Au並不適合p-GaP的發光二極體元件的應用。

[1] M. Wittmer, R. Pretorius, J.W. Mayer and M-A Nicolet, Solid-St. Electron. 20, 433 (1977)
[2] N. Yokoyama, S. Ohkawa and H. Ishidawa, Jpn. J. Appl. Phys. 14, 1071 (1975)
[3] M. Fukuta, K. Suyama, H. Suzuki and H. Ishikama, IEEE Trans. Electron. Dev. 23, 390 (1976)
[4] N. Braslau, J.B. Gunn and J.L. Staple, Solid-St. Electron. 10, 381 (1967)
[5] W.D. Edwards, W.A. Hartman and A.B. Torrens, Solid-St. Electron. 15, 387 (1972)
[6] M.Otsubo, H. Kuambe and H. Miki, Solid-St. Electron. 20, 617 (1977)
[7] G.Y. Robinson, Solid-St. Electron. 18, 331 (1975)
[8] R.P. Gupta and J. Freyer. Int., J. Electron. 47(5), 459 (1979)
[9] J.S. Harris, Y. Nannich, G..L. Pearson and G.F. Pay, J. Appl. Phys. 40, 4575 (1969)
[10]A.G. Baca, F. Ren, J.C. Zolper, R.D. Briggs, S.J. Pearton, Thin Solid Films 308-309, 599 (1997)
[11] R.A. Bruce and G.R. Piercy, Solid-St. Electron. 30, 729 (1987)
[12]K. Tanahashi, H.J. Takata, A. Otsuki and M. Murakami, J. Appl. Phys. 72, 4183 (1992)
[13] H. Wakimoto, T. Oku, Y. Koide and M. Murakami, J. Electrochem. Soc. 143, 1705 (1996)
[14]R. Zuleeg, P.E. Friebertshauser, J.M. Stephens, S.H. Watanabe, IEEE Electron Dev. Lett. EDL-7, 603 (1996)
[15] I. Ishida, S. Wako, S. Ushio, Thin Solid Films 39, 227 (1976)
[16] J. Pfeifer, Solid-St. Electron. 19, 927 (1976)
[17] H.J. Gopen and A.Y.C. Yu, Solid-St. Electron. 14, 515 (1971)
[18] K.L. Klohn and L. Wandinger, J. Electrochem. Soc. 116, 507 (1969)
[19] Yichang Lu, T.S. Kalkur and C.A. Paz. De Aranjo, J. Electrochem. Soc. 136, 3123 (1989)
[20] R.C. Brooks, C.L. Chen, A. Chu, L.J. Mahoney, J.G. Mavroides, M.J. Manfa, and M.C. Finn, IEEE Electron Dev. Lett. EDL-6, 525 (1985)
[21] N.A. Papanicolaou and A. Christou, Electron Lett. 19, 418 (1983)
[22] M. Itoh, S. Suzuki and T, Itoh, Solid-St. Electron. 23, 447 (1979)
[23] L.L. Chang and J.L. Freeouf, IBM Tech. Bull. 24, 4965 (1982)
[24] M.A. Rao, E.J. Caine, S.I. Long and H. Kroemer, IEEE Electron Dev. Lett. EDL-8, 30 (1987)
[25] C.C. Han, X.Z. Wang, S.S. Lau, R.M. Potemski, M.A. Tischler and T.F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 58, 1617 (1991)
[26] M.H. Park, L.C. Wang, J.Y. Cheng, C.J. Palmstrom, Appl. Phys. Lett. 70, 99 (1997)
[27] R. Dutta, M.A. Shahid and P.J. Sakach, J. Appl. Phys. 69, 3968 (1991)
[28] H. Asamizu, A. Yamaguchi, Y. Igachi, T. Saitoh, Y. Koide, M. Murakami, Appl. Surf. Sci. 159-160, 174 (2000)