在半導體產業中，批次控制扮演著重要的角色，其中EWMA (Exponentially
Weighted Moving Average) 回饋控制器為最普遍使用的控制策略。現有文獻中已
廣泛地探討EWMA控制器的製程穩定性條件與績效表現，但未提及當製程與前
段製程資訊相關時該如何監控。蝕刻、沉積、化學機械研磨是半導體生產製程中
連續的子製程，在蝕刻後所測量到晶圓上的凹槽深度，影響到後站製程的監控，
而實際半導體生產製程，因機台配置或量測困難等量測問題是常見的現象，利用
虛擬量測的方法能解決量測上的問題，但虛擬量測需要考慮其精準度。本文主要
研究在相關連續製程中，當前站製程產出值未知下，利用Single EWMA控制器
與虛擬量測的方法對製程做監控，結果顯示在不同參數設定下，幾乎都比傳統
的Single EWMA來的好，而當在虛擬量測誤差與凹槽深度變異之比值在不大於
二分之一之下，且製程斜率項估計誤差不大時(b/beta值在0.8至1.2之間 )，改善的程度約為30%。

[1] Ingolfsson, A. and Sachs, E. (1993). “Stability and sensitivity of an EWMA
controller.” Journal of Quality Technology, 25, 271-287.

[2] Tseng, S. T., Chou, R. J. and Lee, S. P. (2002), “Statistical Design of Double
EWMA Controller,” Applied Stochastic Models in Business and Industry, 18
, 313-322.

[3] Butler, S. W. and Stefani, J. A. (1994), “Supervisory run-to-run control of
polysilicon gate etch using in situ ellipsometry,” IEEE Transactions on
Semiconductor Manufacturing, 7. 193-201.

[4] Del Castillo, E. (1999), “Long run and transient analysis of a double EWMA
feedback controller,” IIE Transactions, 31, 1157-1169.

[5] Sachs, E., Hu, A. and Ingolfsson A. (1995) ”Run by run process control:
combining SPC and feedback control,” IEEE Transactions on Semiconductor
Manufacturing, 8, 26-43.

[6] Tseng, S. T. and Hsu, N. J. (2005), “Sample-size determination for achieving
Asymptotic stability of a double EWMA control scheme,” IEEE Transactions
on Semiconductor Manufacturing, 18, 104-111.

[7] Tseng, S. T., Yeh, A. B., Tsung, F. and Chan, Y. Y. (2003), “ A study of
variable EWMA controller,” IEEE Transactions on Semiconductor
Manufacturing, 16, 633-643.

[8] 林資程 (2004) “Single EWMA 控制器在動態模型下之績效分析“，國立清
華大學統計學研究所碩士論文。

[9] 陳怡珍 (2005) “動態漂移模型下Double EWMA 控制器之穩定性研究”，
國立清華大學統計學研究所碩士論文。

[10] 詹昱宏 (2008) “EI控製器在動態模型下之績效及穩定性分析”，國立清華
大學統計學研究所碩士論文。
[11] 王祥帆 (2009) “具有量測延遲與虛擬量測之 Single EWMA控制器”，國立
清華大學統計學研究所碩士論文。