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| 研究生： |
林仕鎧 Lin, Shih-Kai |
|---|---|
| 論文名稱： |
先進記憶體元件與氮化鎵高電子遷移率電晶體之物理機制研究 Study on Physical Mechanism of Advanced Memory Device and GaN High Electron Mobility Transistor |
| 指導教授： |
連振炘
Lien, Chen-Hsin 張鼎張 Chang, Ting-Chang |
| 口試委員: |
徐碩鴻
Hsu, Shuo-Hung 莊文献 Chuang, Wen-Hsien 褚立新 Chu, Li-Hsin |
| 學位類別： |
博士 Doctor |
| 系所名稱： |
電機資訊學院 - 電子工程研究所 Institute of Electronics Engineering |
| 論文出版年： | 2024 |
| 畢業學年度： | 112 |
| 語文別： | 英文 |
| 論文頁數： | 109 |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
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全文公開日期 2027/01/22 (校內網路)全文公開日期 2027/01/22 (校外網路)