電漿活化及退火處理對直接接合矽晶圓對接合性質之影響

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研究生：	蘇珍誼 Chen-Yi Su
論文名稱：	電漿活化及退火處理對直接接合矽晶圓對接合性質之影響
指導教授：	胡塵滌 Chen-Ti Hu
口試委員:
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	工學院 - 材料科學工程學系 Materials Science and Engineering
論文出版年：	2006
畢業學年度：	94
語文別：	中文
論文頁數：	103
中文關鍵詞：	晶圓接合、表面能、電漿活化、退火
外文關鍵詞：	Wafer direct bonding
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本論文使用傳統晶圓接合及氧氣電漿活化晶圓接合兩種方式接合矽晶圓對，討論電漿活化表面處理及熱處理對晶圓對接合界面之物理性質，包括接合狀態、氧化中間層厚度、表面鍵結、接合表面能強度等影響。
電漿活化接合晶圓對在退火後產生之牛頓環，為大量反應氣體泡區及降溫殘餘應力所造成；施加一真空中500 ℃之中間退火步驟，可避免晶圓對在大氣中1000 ℃退火後產生泡區，達到良好接合狀態，並同時擁有高接合表面能。氧氣電漿活化處理，使表面含大量SiOH鍵結，並且在矽晶圓表面造成約70 Å氧化層；單片矽晶圓於大氣中1000 ℃退火後，表面氧化層厚度遽增至1700 Å以上。晶圓對經大氣中1000 ℃退火，表面能皆達1800 mJ/m2以上，推測為二氧化矽中間層厚度達到一理想值所致。由本研究結果，可評估何種晶圓接合製程可得到較佳物理性質，以利晶圓接合技術更廣泛地應用。

1.    前言    1
2.    文獻回顧    3
2.1.    晶圓接合 (WAFER BONDING，WB) 之簡介    3
2.2.    晶圓接合之歷史回顧    4
2.3.    晶圓接合之應用    5
2.3.1.    積體電路 (IC) 上之應用    6
2.3.2.    微機電系統 (MEMS) 之應用    8
2.3.3.    PN junction之應用    9
2.3.4.    異質接合之應用    9
2.3.5.    其他方面之應用    12
2.4.    晶圓鍵結種類    12
2.4.1.    親水性鍵結（HL）    12
2.4.2.    斥水性鍵結（HB）    13
2.5.    表面活化接合製程    14
3.    實驗程序    31
3.1.    傳統晶圓接合 (TRADITIONAL WAFER BONDING)    31
3.1.1.    氧化層成長    31
3.1.2.    表面清洗 (Wafer surface cleaning)    32
3.1.3.    預接合 (Pre-bonding)    33
3.1.4.    退火 (Annealing)    33
3.2.    電漿活化晶圓接合 (PLASMA ACTIVATED WAFER BONDING)    34
3.2.1.    表面活化 (Wafer surface activation)    34
3.2.2.    預接合 (Pre-bonding)    35
3.2.3.    退火 (Annealing)    35
3.3.    實驗方法與儀器介紹    36
3.3.1.    接合狀態觀察    36
3.3.2.    接合介面截面觀測    37
3.3.3.    晶圓表面成分分析    38
3.3.4.    紅外線光譜分析    39
3.3.5.    表面能測試    40
3.3.6.    表面氧化層厚度與熱處理溫度關係    42
4.    結果與討論    48
4.1.    試片代號定義    48
4.2.    接合狀態觀察    48
4.3.    接合界面截面觀測    55
4.4.    氧化層厚度與晶圓表面成分分析    55
4.5.    紅外線光譜分析    58
4.6.    表面能測試    59
5.    結論    92
6.    參考文獻    94


表  目  錄
表 2 - 1 各種材料對本身或Quartz Glass或親水性的矽晶圓之間接合的比較。    16

表 3 - 1傳統晶圓接合及電漿活化晶圓接合之欲接合製程參數比較。    43

表 4 - 1 SIMS量測不同退火溫度下氧化層厚度。    65
表 4 - 2利用紅外線照相數，觀察中間氧化層厚度為2500 Å之晶圓對經過1100 ℃熱處理後差刀裂口長度變化。    66


圖  目  錄
圖 2 - 1 兩個固體平面間之三種交互作用力。    17
圖 2 - 2 以紅外線照相術觀測晶圓鍵結區域之擴展過程：（a）由中心點施壓並開始接合；（b）接合區域向外擴展；（c）完全接合完成。    17
圖 2 - 3 以WB技術接合之晶圓對示意圖。上層為應用於元件上的active wafer，下層為提供支撐作用的handle wafer。    18
圖 2 - 4 K-Y. Ahn, R. Stengl等人提出相接介面形成Disintegrated Amorphous Layer。    18
圖 2 - 5 晶圓接合的各種應用。    19
圖 2 - 6 SOI可增加CMOS對α粒子導致軟錯的抵抗力。    19
圖 2 - 7 Bulk及薄膜SOI所製作之MOSFET，於長通道及短通道時的空乏區分部示意圖。    20
圖 2 - 8 Bulk及薄膜 (100 nm) SOI所製作之n-channel MOSFET，臨界電壓與通道長度之關係圖。    20
圖 2 - 9 (a) CMOS之寄生雙載子現象示意圖：橢圓圈出之直立式p-n-p雙載子電晶體 (bipolar transistor) 與方形所圈出的橫向式n-p-n雙載子電晶體，造成一p-n-p-n二極體，如(b)所示，此即為CMOS中之寄生雙載子。    21
圖 2 - 10 CMOS換流器的剖面結構：分別使用 (A) 傳統矽底材 (B) SOI基板。圖中顯示閉瑣效應及寄生電容之等效電路示意圖    22
圖 2 - 11 SIMOX流程示意圖。    22
圖 2 - 12 ELTRAN流程示意圖。    23
圖 2 - 13 BESOI示意圖。    23
圖 2 - 14 Smart CutTM流程示意圖。    24
圖 2 - 15 MEMS系統中，感應器（Sensor）或微幫浦（Micro-pump）中空腔體之示意圖。    24
圖 2 - 16 光偵測器 (p-i-n photodetector) 結構示意圖。    25
圖 2 - 17 以GaN與ZnSSe接合製作出發光二極的結構示意圖。    25
圖 2 - 18 左圖為未經過 layer transfer之PZT層長於Si晶圓上，右圖為經過layer transfer之PZT於Si晶圓之截面圖，可發現兩圖所顯示的變質層區域大小相差很多。    26
圖 2 - 19 以LiNbO3與LiTaO3製作出的光波導截面圖。    26
圖 2 - 20 (a) 為Bi4Ti3O12以化學反應沈積在Si基板上的截面圖， (b) 則是以接合的方式將Bi4Ti3O12接合在Si基板上的截面圖，其Bi4Ti3O12與Si的界面很平整。    27
圖 2 - 21（a）親水性鍵結（HL）鍵結機制；（b）斥水性鍵結（HB）鍵結機制。    28
圖 2 - 22 Ar原子束活化及接合兩用真空腔示意圖。    29
圖 2 - 23 經N2、Ar、O2電漿及未活化的試片經過100 – 400 ℃退火2小時後，接合表面能強度比較曲線圖。    30

圖 3 - 1 實驗流程圖。    44
圖 3 - 2 IR photography 儀器示意圖    45
圖 3 - 3 利用IR photography觀測到的介面接合狀況，晶圓中央區域為氣體所造成之牛頓環。    45
圖 3 - 4 SEM主要結構示意圖    46
圖 3 - 5 FTIR儀器設計圖。系統1為紅外光路徑，系統2及3分別代表雷射及白光干涉路徑。    46
圖 3 - 6 刀刃法示意圖。    47
圖 3 - 7 透過紅外線照相術觀察刀刃插入造成的裂口長度。    47

圖 4 - 1 各種表面處理晶圓對，預接合後之IR photography：(a) W/O H2O；(b) W/ H2O；(c) 1000 Å；(d) 2500 Å；(e) 3500 Å。    68
圖 4 - 2 傳統晶圓接合製程，氧化中間層厚度2500 Å之晶圓對： (a) 預接合後；(b) 1100 ℃，45 min，N2，105 Pa退火後。    69
圖 4 - 3 W/O H2O：(a) 預接合後；(b) 120 ℃，120 min，40 N，10-2 Pa退火後；(c) 600 ℃，20 min，105 Pa退火後；(d) 500 ℃，60 min，40 N，10-2 Pa退火後。    69
圖 4 - 4 W/O H2O試片，預接合後經250 ℃，120 min，40 N，10-2 Pa退火。    70
圖 4 - 5 W/O H2O：(a) 預接合後；(b) 500 ℃，20 min，40 N，10-2 Pa退火後；(c) 1000 ℃，45 min，105 Pa退火後。    70
圖 4 - 6 W/ H2O：(a) 預接合後經過120 ℃，120 min，40 N，10-2 Pa退火；(b) 1000 ℃，45 min，105 Pa退火後。    71
圖 4 - 7 W/ H2O：(a) 預接合後；(b) 180 ℃，20 min，40 N，10-2 Pa退火後；(c) 500 ℃，20 min，40 N，10-2 Pa退火後；(d) 1000 ℃，45 min，105 Pa退火後；(e) 1100 ℃，120 min，N2，105 Pa退火後。    72
圖 4 - 8 W/ H2O：(a) 預接合後；(b) 200 ℃，20 h，40 N，10-2 Pa退火後；(c) 1000 ℃，45 min，105 Pa退火後。    73
圖 4 - 9 W/ H2O：(a) 預接合後；(b) 250 ℃，20 min，40 N，10-2 Pa退火後；(c) 250 ℃，100 min，40 N，10-2 Pa退火後。    74
圖 4 - 10 利用界面X-ray反射 (interfacial X-ray reflectivity) 觀察電漿活化接合晶圓對：(a) RIE模式電漿處理；(b) MW模式電漿處。    75
圖 4 - 11 RIE電漿活化活化晶圓接合晶圓對中，低密度中間層厚度對退火溫度的關係圖。    76
圖 4 - 12 W/O H2O：(a) 預接合後；(b) 500 ℃，20 min，10-2 Pa退火後 (未施力)。    76
圖 4 - 13 預接合後，經過1000 ℃，45 min，105 Pa退火晶圓對，使用高倍率FESEM之剖面觀察：(a) W/O H2O；(b) W/ H2O。    77
圖 4 - 14 表面成分縱深分佈示意圖 (試片代號如圖所示)：(a) 僅經SPM-M1表面清洗與清洗後受電漿活化之試片表面；(b) 250 ℃，20 min，10-2 Pa退火後之試片表面；(c) 800 ℃，20 min，105 Pa退火後之試片表面；(d) 1000 ℃，20 min，105 Pa退火後之試片表面。.......................................................................79
圖 4 - 15 退火溫度與氧化層厚度關係圖。    80
圖 4 - 16 同一試片經SIMS與SRP (Spreading Resistance Profiling)、SRA (Surface Resistance Analyzer) 量測元素分布結果圖。    80
圖 4 - 17 傅立葉轉換紅外線光譜 (FTIR) 量測結果：(a) SPM-M1表面清洗、氧氣電漿活化，及去離子水清洗後之單片矽晶圓表面，以多重全反射式 (ATR) 之FTIR量測減去標準片訊號後，吸收度與波數關係圖；(b) 以穿透式FTIR量測預接合後之W/O H2O、W/O H2O晶圓對，吸收度與波數關係圖；(c) 圖 (b) 中兩曲線相減，表示兩製程表面鍵結差異。    82
圖 4 - 18中間氧化層厚度為2500 Å之晶圓對，經過1100 ℃熱處理後，刀刃插入時間對裂口長度關係圖。    83
圖 4 - 19以刀刃法量測裂口長度及表面能對插刀時間及刀刃差度長度關係圖：(a) W/O H2O；(b) W/ H2O；(c) 1000 Å；(d) 2500 Å。    85
圖 4 - 20 W/O H2O試片：(a) 預接合後；(b) 刀刃法後；(c) 800 ℃，45 min，105 Pa；(d) 900 ℃，45 min，105 Pa；(e) 1000 ℃，45 min，105 Pa；(f) 1100 ℃，45 min，105 Pa。    86
圖 4 - 21 W/O H2O試片，經600 ℃，20 min，105 Pa退火後，進行插刀 (圖中皆為進刀期)：(a) 0 s；(b) 10 s；(c) 11 s；(d) 15 s；(e) 25 s。    87
圖 4 - 22 圖 4-19中試片，插刀前 (a)，與後 (b) 之IR照片 (進刀位置為一點鐘方向)。    88
圖 4 - 23 W/ H2O試片，經1000 ℃，45 min，105 Pa退火後，進行插刀 (0-270 s為進刀期，270-540 s為退刀期)：(a) 0 s；(b) 150 s；(c) 270 s；(d) 330 s；(e) 510 s；(f) 540 s。    89
圖 4 - 24 圖 4-21中試片，插刀前 (a)，與後 (b) 之IR照片 (進刀位置為七點鐘方向)。    90
圖 4 - 25 W/O H2O試片，經500 ℃，20 min，10-2 Pa退火後，進行插刀：(a) 進刀前；(b) 進刀後；(c) 退刀後。    90
圖 4 - 26 圖4-23及4-24中試片之IR照片 (進刀位置為三點鐘方向)：(a) 插刀前；(b) 拔刀後；(c) 經1000 ℃，45 min，105 Pa退火後。    91
圖 4 - 27 圖 4-23試片，插刀後經1000 ℃，45 min，102 Pa退火後，進行二次插刀：(a) 進刀前；(b) 進刀後。    91

                                

1. Jan Haisma and G.A.C.M. Spierings, “Contact bonding, including direct-bonding in a historical and recent context of materials science and technology, physics and chemistry-Historical review in a broader scope and comparative outlook,” Materials Science and Engineering R37, pp. 1-60 (2000)
2. Lord Rayleigh, “A study of glass surface in optical concact,” Proc. Phys. Soc., A156, 326 (1936)
3. G. Wallis and D. I. Pommerantz, “Field assistd glass-metal sealing,” J. App.Phys. 40, 3946 (1969)
4. J. B. Lasky, S. R. Stiffler, F. R. White and J. R. Abernathey, IEDM Tech. Dig., 648 (IEEE, New York, 1985)
5. J. B. Lasky, “ Wafer bonding for silicon-on-insulator technologies ”, Appl. Phys. Lett. 48, pp. 78-80 (1986)
6. M. Shimbo, K. Furukawa, K. Furuda, K. Tanzawa, “ Silicon-to-silicon direct bonding method ”, J. Appl. Phys. 60(8), pp. 2987-2989 (1986)
7. Q.-T. Tong, X.-L. Xu, and H. Shen, “ Diffusion and oxide viscous flow mechanism in SDB process and silicon wafer rapid thermal bonding ”, Electronics Letters 26, pp. 697-699 (1990)
8. K.-Y. Ahn, R. Stengl, T. Y. Tan, U. Gösele, “ Stability of interfacial oxide layers during silicon wafer bonding ”, J. Appl. Phys. 65, pp. 561-563 (1989)
9. H. Takagi, R. Maeda, T. R. Chung, and T. Suga, “ Low-temperature direct bonding of silicon and silicon dioxide by surface activation method ”, Sensors and Actuators A 70, pp. 164-170 (1998)
10. Hong Xiao, “Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology”, pp. 294-296 (2002)
11. Jean-Pierre Colinge, “Silicon-On-Insulator Technology：Materials to VLSI”, pp. 136-138 (1997)
12. Andreas Plößl and Gertrud Kräuter, “Wafer Direct Bonding : tailoring adhesion between brittle materials”, Materials Science and Engineering, R25, p.1~88, (1999)
13. Jan Haisma and G.A.C.M. Spierings, “Contact bonding, including direct-bonding in a historical and recent context of materials science and technology, physics and chemistry. Historical review in a broader scope and comparative outlook”, Materials Science and Engineering , R37, p.1~60, (2000)
14. Martin A. Schmidt, “Wafer-to-Wafer Bonding for Microstructure Formation”, Proceedings of the IEEE, 86. No.8, p.1575, (1998)
15. T. Suni, K. Henttinen, A. Lipsanen. J. Dekker, H. Luoto, and M. Kulawski, “Wafer Scale Packaging of MEMS by Using Plasma-Activated Wafer Bonding”, Journal of The Electrochemical Society, 153 (1) G78-G82 (2006)
16. Niclas Keskitalo, Stefan Tiensuu, Anders Hallen, “ Characterization of hydrophobic bonded silicon wafers ”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 186, pp. 66-70 (2002)
17. Q.-T. TONG and U. GÖSELE, “ SEMICONDUCTOR WAFER BONDING : SCIENCE AND TECHNOLOGY ”, John Wiley & Sons Inc. (1999)
18. T. R. Chung, L. Yang, N. Hosoda, B. Takagi, T. Suga, “ Wafer direct bonding of compound semiconductors and silicon at room temperature by the surface activated bonding method ”, Appl. Surf. Sci. 117-118, pp. 808-812 (1997)
19. T. R. Chung, L. Yang, N. Hosoda, T. Suga, “ Room temperature GaAs-Si and InP-Si wafer direct bonding by the surface activated bonding method ”, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 121, pp. 203-206 (1997)
20. Donato Pasquariello, Martin Camacho, Klas Hjort, László Dózsa, Béla Szentpáli, “ Evaluation of InP-to-silicon heterobonding ”, Materials Science and Engineering B 80, pp. 134-137 (2001)
21. V. Lehmann, K. Mitani, R, Stengl, T. Mii and U. Gösele, “ Bubble-Free Wafer Bonding of GaAs and InP on Silicon in a Microcleanroom ”, Jap. J. Appl. Phys. 28, pp. L2141-L2143 (1989)
22. F. A. Kish, F. M. Steranka, D. C. DeFevere, D. A. Vanderwater, K. G. Parker, C. P. Kuo, T. D. Osentowski, M. J. Peanasky, J. G. Yu, R. M. Fletcher, D. A. Steigerwald, M. G. Craford, V. M. Robbins, “ Very high-efficiency semiconductor wafer-bonded transparent-substrate (AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP light-emitting diodes ”, Appl. Phys. Lett. 64, pp. 2839-2841 (1994)
23. B. F. Levine, A. R. Hawkins, S. Hiu, B. J. Tseng, C. A. King, L. A. Gruezke, R. W. Johnson, D. R. Zolnowski, and J. E. Bowers, “ 20 GHz high performance planar Si/InGaAs p-i-n photodetector ”, Appl. Phys. Lett. 70 (18), pp. 2449-2451 (1997)
24. J. H. Wang, M. S. Jin, V. H. Ozguz, S. H. Lee, “ N-channel metal-on- semiconductor transistors fabricated in a silicon film bonded onto sapphire ”, Appl. Phys. Lett. 64, pp. 724-726 (1994)
25. Akihiko Murai, Lee McCarthy, Umesh Mishra, Steven P. DenBaars, Carsten Kruse, Stephan Figge and Detlef Hommel, “ Wafer Bonding of GaN and ZnSSe for Optoelectronic Applications ”, Jap. J. Appl. Phys. 43, pp. L1275-L1277 (2004)
26. Yoshihiro Tomita, Masato Sugimoto, and Kazuo Eda, “ Direct bonding of LiNbO3 single crystals for optical waveguides ”, Appl. Phys. Lett. 66, 1484 (1995)
27. K. Eda, M. Sugimoto, Y. Tomita, “ Direct heterobonding of lithium niobate onto lithium tantalate ”, Appl. Phys. Lett. 66, pp. 827-828 (1995)
28. Martin Alexe, Gerhard Kästner, Dietrich Hesse, and Ulrich Gösele, “ Ferroelectric-semiconductor heterostructures obtained by direct wafer bonding ”, Appl. Phys. Lett. 70, pp. 3416-3418 (1997)
29. Q.-Y. Tong, R. Gafiteanu, U. M. Gösele, “ Reversible Silicon Wafer Bonding for Surface Protection: Wafer-Enhanced Debonding ”, J. Electrochem. Soc. 139, pp. L101-L102 (1992)
30. T. R. Chung, L. Yang, N. Hosoda, B. Takagi, T. Suga, “Wafer direct bonding of compound semiconductors and silicon at room temperature by the surface activated bonding method” , Appl. Surf. Sci. 117-118, p. 808, (1997)
31. H. Takagi, K. Kikuchi, R. Maeda, T. R. Chung and T. Suga, “ Surface activated bonding of silicon wafers at room temperature ”, Appl. Phys. Lett. 68 (16), pp. 2222-2224 (1996)
32. Hideki Takagi, Ryutaro Maeda, Teak Ryong Chung, Naoe Hosoda and Tadatomo Suga, “ Effect of Surface Roughness on Room-Temperature Wafer Bonding by Ar Beam Surface Activation ”, Jpn. J. Appl. Phys. 37, pp. 4197-4293 (1998)
33. Hideki Takagi, Ryutaro Maeda, Naoe Hosoda and Tadatomo Suga, “ Room-Temperature Bonding of Si Wafers to Pt Films on SiO2 or LiNbO3 Substrates Using Ar-Beam Surface Activation ”, Jpn. J. Appl. Phys. 38, pp. L1559-L1561 (1999)
34. Hideki Takagi, Ryutaro Maeda, Tadatomo Suga, “ Wafer-scale spontaneous bonding of silicon wafers by argon-beam surface activation at room temperature ”, Sensors and Actuators A 105, pp. 98- 102 (1997)
35. T. Suni, K. Henttinen, I. Suni and J. Mäkinen, “ Effects of Plasma Activation on Hydrophilic Bonding of Si and SiO2 ”, J. Electrochem. Soc. 149, pp. G348-G351 (2002)
36. Xuanxiong Zhang and Jean-Pierre Raskin, “ Low-temperature Wafer Bonding - Optimal O2 Plasma Surface Pretreatment Time ”, Electrochemical and Solid-State Letters 7(8), pp. G172-G174 (2004)
37. 汪建民主編， “材料分析”，中國材料科學學會，材料科學叢書2 (1998)
38. Dieter K. Schroder, “Semiconductor material and devise characterization”, John Wiley & Sons, Inc. 2nd edition (1998)
39. W. P. Masara, G. Goetz, A. Caviglia, and J. B. McKitterick, “ Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator ”, J. Appl. Phys. 64 (10), pp. 4943-4950 (1998)
40. Y. Bertholet, F. Iker, J.-P. Raskin, and T. Pardoen, “Steady-state measurement and modeling of wafer bonding failure resistance,” Sens. Actuators A, Phys., vol. 110, pp. 157–163 (2004)
41. 王品然，國立清華大學材料所碩士論文，”晶圓接合技術應用於絕緣層上矽結構之研究”，民國九十三年六月
42. Q.-Y. Tong, G. Kaido, L. Tong, M. Reiche, F. Shi, J. Steinkirchner, T. Y. Tan, and U. Gosele, “A simple chemical treatment for preventing thermal bubbles in silicon wafer bonding,” J. Electrochem. Soc., vol. 142, pp. L201-L203 (1995)
43. A. Weinert, P. Amirfeiz, and S. Bengtsson, “Plasma assisted room temperature boding for MST,” Sens. Actuators A, Phys., vol. 92, pp. 214–222 (2001)
44. D. Pasquariello, M. Lindeberg, C. Hedlund, and K. Hjort, “Surface energy as a function of self-bias voltage in oxygen plasma wafer bonding,” Sens. Actuators A, Phys., vol. 82, pp. 239–244 (2000)
45. D. Pasquariello, C. Hedlund, and K. Hjort, “Oxidation and induced damage in oxygen plasma in situ wafer bonding,” J. Electrochem. Soc., vol. 147, no. 7, pp. 2699–2703 (2000)
46. M.Wiegand, M. Reiche, and U. Gösele, “Time-dependent surface properties and wafer bonding of O -plasma-treated silicon (100) surfaces, ”J. Electrochem. Soc., vol. 147, pp. 2734–2740 (2000)
47. A. Sanz-Velasco, P. Amirfeiz, S. Bengtsson, and C. Coling, “Room temperature wafer bonding using oxygen plasma treatment in reactive ion etchers with and without inductively coupled plasma,” J. Electrochem. Soc., vol. 150, pp. G155–G162, 2003.
48. S. N. Farrens, J. R. Dekker, J. K. Smith, and B. E. Roberds, “Chemical free room temperature wafer to wafer direct bonding,” J. Electrochem. Soc., vol. 142, no. 11, pp. 3949–3955, 1995.
49. P. Amirfiez, S. Bengtsson, M. Bergh, E. Zanghellini, and L. Borjesson, “Formation of Silicon Structures by Plasma-Activated Wafer Bonding,” J. Electrochem. Soc., vol. 147, no. 7, pp. 2693–2698 (1995)
50. Xuan Xiong Zhang and Jean-Pierre Raskin, Member, IEEE, “Low-Temperature Wafer Bonding：A study of Void Formation and Influence on Bonding Strength,” Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 14, no. 2, pp. 368-382 (2005)
51. Robert C. Weast, “Handbook of Chemistry and Physics,” 1st student edition, CRC Press, Inc. (1987)
52. Handbook, 竹齊科技
53. Hubert Moriceau, Francois Ricutord, Christophe Morales, and Anne Marie Charvet, “Surface plasma treatments enabling low temperature direct bonding,” Microsyst Technol 12: 378-382 (2006)
54. A. Weinert, P. Amirfeiz, and S. Bengtsson, “Plasma assisted room temperature boding for MST,” Sens. Actuators A, Phys., vol. 92, pp. 214–222 (2001)
55. D. Pasquariello, C. Hedlund, and K. Hjort, “Oxidation and induced damage in oxygen plasma in situ wafer bonding,” J. Electrochem. Soc., vol. 147, no. 7, pp. 2699–2703 (2000)
56. Robert E. Reed-Hill, “Physical Metallurgy Principles”, pp. 364 (1991)
57. N. Miyata, M. Shigeno, Y. Arimoto, and T. Ito, “Thermal decomposition of native oxide on Si (111),” J. Appl. Phys., 74, 5275 (1993)
58. Dieter K. Schroder, “Semiconductor material and devise characterization”, John Wiley & Sons, Inc. 2nd edition (1998)
59. Canaria, Christie A., Lees, Inez N., Wun, Aetna W., Miskelly, Gordon M., Sailor, Michael J., “Characterization of the carbon-silicon stretch in methylated porous silicon-observation of an anomalous isotope shift in the FTIR spectrum”, Inorganic Chemistry Communications 5(8), p.560, (2002)
60. C. Y. Wang, J. Z. Zheng, Z. X. Shen, Y. Lin, A. T. S. Wee, “Elimination of O2 plasma damage of low-k methyl silsesquioxane film by As implantation”, Thin solid film 397, p.90, (2001)
61. S. Kalem, D.Göbelek, R. Kurtar, Z. Misirh, “The effects of surface treatment on optical and vibrational properties of stain-etched silicon”, NanoStructured Materials 6, p.847, (1995)
62. J.R. During, Applications of FT-IR spectroscopy, Amsterdam, Elsevier, (1990)
63. Q.-Y. Tong, G. Cha, R. Gafiteanu, and U. Gösele, “Low temperature wafer direct bonding,” J. Microelectromech. Syst., vol. 3, pp. 29–35 (1994)
64. A. Weinert, P. Amirfeiz, S. Bengtsson, “Plasma assisted room temperature bonding for MST,” Sensors and Actuators, A 92, pp. 214-222 (2001)

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