化學機械拋光是半導體製程中達到全域平坦化最有效的方法，隨著大尺寸及小線寬的發展需求，其相關技術有提升與改善之必要性。
因此，本研究結合化學機械拋光中的修整與拋光兩者進行探討，以比較先進鑽石碟修整石墨與IC1000拋光墊、硬焊鑽石碟修整石墨與IC1000拋光墊四種修整器與拋光墊的搭配下，其修整率、試片的材料移除率、拋光時的摩擦力以及拋光墊表面形態的差異。本研究最終目的，是希望歸納出四組實驗的整體效能對製程改善的優劣性。
本論文最終結果顯示，石墨拋光墊的拋光液涵養量高，能有效將拋光液磨粒留在拋光界面中，提高磨粒與試片的接觸面積。而以先進鑽石碟修整的拋光墊表面情況良好，雖呈現的材料移除率偏低，但是整體製程穩定。

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