本實驗使用SOI（silicon on insulator）晶圓，經由佈值、微影、蝕刻、氧化、沉積等製程步驟，製作出三電極分子元件。我們使用的分子是C8H18S，在不同的溫度及閘極電壓下量測Id-Vd曲線。實驗初期的進展並不順利，所作的元件皆無法正常工作，這是因為Id會隨著Ig改變，不過在改良閘極氧化層後有不錯的進展。在十幾個元件中有3個能作出Id不隨Ig改變的元件。從這些正常工作的元件我們可看到場效應結果。我們選擇其中一組數據加以分析並得到些訊息。
本篇論文第一章提到為何會有分子元件的構想及分子如何附著在電極上。第二章描敘決定分子的導電性優劣要素，及最近國外兩個研究團隊在分子場效應上提出的相關兩篇論文。由於整個元件是利用半導體製程製作，故第三章粗部介紹相關製程原理。第四章是將我們製作元件的過程，逐步說明呈現出來。第五章區別了好元件與壞元件的差別，以及分析C8H18S分子的傳導機制，這與國外大部份團體所作的結果有點不同，最後在顯示加上不同閘極電壓下的on/off ratio。第六章除對分析的結果作粗部的總結外，並認為在此一平台下的確對分子元件的研究有很大的助益。

01.陳德修,“薄膜金屬奈米橋的製作”,國立清華大學物理研究所碩士論文,2003.
02.孫介偉,“奈米尺寸單層自組分子元件的製作”,國立清華大學物理研究所碩士論文,2003.
03.廖均恆,“三電極單層自組分子奈米電晶體的研究與製作”,國立清華大學物理研究所碩士論文,2004.
04.劉春福,“應用薄膜橋製作奈米尺寸電晶體及其相關研究”,國立清華大學物理研究所碩士論文,2004.
05.Hong Xiao 原著,羅正忠 張鼎張 譯,“半導體製程技術導論”,台灣培生教育出版股份有限公司,2003.
06.張勁燕 著,“半導體製程設備”,五南圖書出版有限公司,2000.
07.施敏 原著,黃調元 譯,“半導體元件物理與製作技術（第二版）”,國立交通大學出版社,2002.
08.James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin 原著,羅正忠 李嘉平 鄭湘原 譯,“半導體工程-先進製程與模擬”,台灣培生教育出版股份有限公司,2002.
09.Stephen A. Campbell 原著,呂學士 林佑昇 譯,“半導體製程（第二版）”, 台商圖書有限公司,2003.
10.Michael Quirk, Julian Serda 原著,劉文超 許渭州 校閱,羅文雄 蔡榮輝 鄭岫盈 譯,“半導體製造技術”,台灣培生教育出版股份有限公司,2003.
11.Peter Van Zant 原著,李佩雯 校閱,姜庭隆 譯,“半導體製程（第四版）”, 美商麥格羅．希爾國際股份有限公司 台灣分公司,2001.
12.刁建成 譯,“半導體IC產品製造與應用”,全華科技圖書股份有限公司,2001.
13.東芝セミコンダクタ-社 著,羅正忠 審閱,許招墉 譯,“最新圖解半導體製程概論”,普林斯頓國際有限公司, 2004.
14.Morrison, Boyd 原著,賀孝勇 譯,“有機化學（第四版）上冊”,曉園出版社有限公司,1983.
15.Wenyong Wang, Takhee Lee, M.A. Reed,“Electronic transport in self-Assembled alkanethiol monolayers”, Physica E 19 (2003) 117-125.
16.Norton D. Lang, Paul M. Solomon,“Charge Control in a Model Biphenyl Molecular Transistor”, Nano Letters 5, 921 (2005).
17.Wenyong Wang, Takhee Lee, Ilona Kretzschmar, Mark A. Reed,“Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of an Alkanedithiol Self-Assembled Monolayer”, Nano Letters 4, 643 (2004).
18.Wenyong Wang, Takhee Lee, Mark A. Reed,“Comment on“Fabrication of a Molecular Self-Assembled Monolayer Diode Using Nanoimprint Litho-graphy””, Nano Letters 4, 533 (2004).
19.C. R. Kagan, A. Afzali, R. Martel, L. M. Gignac, P. M. Solomon, A. G. Schrott, B. Ek,“Evaluations and Considerations for Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors”, Nano Letters 3, 119 (2003).
20.Jeong-O Lee, Gunther Lientschnig, Frank Wiertz, Martin Struijk, Rene A. J. Janssen, Richard Egberink, David N. Reinhoudt, Peter Hadley, Cees Dekker,“Absence of Strong Gate Effects in Electrical Measurements on Phenylene-Based Conjugated Molecules”, Nano Letters 3, 113 (2003).
21.Prashant Damle, Titash Rakshit, Magnus Paulsson, Supriyo Datta,“Current-Voltage Characteristics of Molecular Conductors：Two Versus Three Terminal”, IEEE Transactions on Nanotechnology 1, 3 (2002).
22.J. Chen, T. Lee, J. Su, W. Wang, M. A. Reed, Adam M. Rawlett, Masatoshi Kozaki, Yuxing Yao, Raymond C. Jagessar, Shawn M. Dirk, David W. Price, J. M. Tour, D. S. Grubisha, D. W. Bennett,“Molecular Electronic Devices”, American Scientific Publishers (2003).