本實驗採用Ion cut製程製作SOI，以電感偶合電漿系統（ICP）產生氫電漿，並且在矽靶材處加負偏壓，吸引氫離子植入矽靶材內。先量測電漿特性，如電漿密度、電漿均勻度和OES，並決定以偏壓25KV，RF coil下方30cm，佈植氣壓5mTorr的條件下進行氫離子佈植。以SIMS量測佈植深度和濃度，並以TRIM 91電腦模擬，比較電漿離子佈植和傳統離子佈植機佈植的差異。證實偏壓25KV電漿離子佈植，因離子能量被吸收，測得Rp值為860A，只達傳統離子佈植機，佈植H+ 5.5KeV的佈植深度，電子顯微鏡數據證實在1/2Rp內晶體嚴重變形，形成非晶矽，缺陷深度達3.5Rp。做退火（annealing）處理時，先以200℃退火1小時，使晶片黏合（wafer bonding），加熱到500℃1小時使晶片分離（splitting）形成SOI，在二次晶體成長現象，主要的缺陷為氫氣泡、疊差、界面差排和晶粒，其分佈深度可達7Rp。若再加熱到1300℃1小時可消除佈植缺陷，但仍可見微量的線形差排。

[2.1]Andreas Plobl，Gertrud Krauter，solid-state electronics 44 (2000) 775-782。
[2.2] Xiang Lu，"material synthesis for silicon integrated-circuit applications using ion implantation"，Berkeley，1997。
[2.3]Jean-pierre Colinge，"silicon-on-insulator Technology：materials to VLSI"。
[2.4]M Watanabe and A. Tooi，Japan. J. Appl. Phys，vol. 5，p737，1966。
[2.5]K. Izumi，M. Doken and H. Ariyoshi，Electronics Letters，Vol. 14，p.593，1978。
[2.6]S. Nakoshima，T. Katayama，Y. Miyamura，H. Matsuzaki，M. Imai，K. Izumi，and N. Ohwada，in Proc. IEEE Int. SOI Conf，Nantucket，MA，1994，p.71。
[2.7]Bermard Aspar，Jean-Pierre Joly，Claude Jaussaud，Lea Di Cioccio，Michel. Bruel，Hubert Moriceau，Fabrice Letertre，and Elsa Hugonnard-Bruycre，Electronics Letters，Vol. 32，Issue 21，Oct，1996。
[2.8]Q.Y.Tong and U Gosele，"semiconductor wafer bonding：science and technology"。
[2.9]K-T. wan，R. G. Horn，S. Courmont，and B. R. Lawn，J. Mater. Res.，8，1128，1993。
[2.10]Q.-Y.Tong and U. Gosele，Mater. Chem. And phys，37，101，1994。
[2.11]VLSI製造技術，莊達人，高力圖書有限公司。
[2.12]微電子材料與製程，陳力俊，中國材料科學學會。
[2.13]半導體製造技術，張景學、吳昌崙，文晶圖書有限公司。
[2.14]半導體原件物理與製作技術，張俊彥、施敏，高力圖書有限公司。
[2.15]J.Lindhard，M.Scharff and H.E.Schiot，Mat. Fys. Medd. Dan.Vid.Selsk，33，14，1963。
[2.16]張耀仁、藍光宏、洪達志、黃建榮，機械工程雙月刊，p65。
[2.17]J. Mina，P. K. Chua，Y. C. Chennga，Materials Chemistry and Physics 40 (1995) ，p.219∼222。
[2.18]X. Lu，S. S. K. Iyer，0-7803-3315-2，IEEE International SOI Conference，oct，1996。
[2.19]Paul K. Chu，Nathan W. Cheung，0-78003-4538-X，IEEE，1999。
[2.20]Michael A. Guerra，Materials Science and Engineering，B12，1992，p.145。
[2.21]Jingbao Liu，S. Sundar Kumar lyer，Appl. Phys. Lett. 67 (16)，1995，p2361。
[2.22]Xiang Lu，S. Sunder Kumarlyer，Appl. Phys. Lett. 70 (13)，1997，p.1748。
[2.23]Andreas PloBla.b.*，Gertrud Krautera，Solid-State Electronics ，44 (2000)，775-782。
[2.24]A. Berthold，M. J. Vellekoop*，Sensors Actuaators A 60 (1997)，p.208-211。
[2.25]F. Le Coeur，J. Pelletier*，Surface and Coating Technology，125 (2000) 71-78。
[2.26]Brian Chapman，Glow Discharge Processes，Wiley-interscience。
[5.1] J. F. Ziegler和J. P. Biersack，U. Littmark，The Stopping and Range of Ions in Solids。
[5.2] Paul K. Chu，N. W. Cheung，Materials Chemistry and Physics 57(1998)，p1-16。
[5.3] Xiang Lu，"Material Synthesis for Silicon Integrated-Circuit Applications Using Ion Implantation"，Berkeley，1997。
[5.4] Sir Peter Hirsch，A. Howie，R. B. Nicholson，D. W. Pashley，M. J. Whelan，Electron Microscopy of Thin Crystals，p183。
[5.5] K. S. Jones*，J. Liu，L. Zhang，V. Krishnamoorthy，R. T. DeHoff，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B，106 (1995)，p.227-232。
[5.6] P. A. Stolk*，H. -J. Gossmann，D. J. Eaglesham，J. M. Poate，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B，96 (1995)，p.187-195。
[5.7] Masao Tamuraa.*，Yuichi Hiroyamaa，Akio Nishidab，Materials Chemistry and Physics，54 (1998)，p.23-27。
[5.8] L. F. Gilesa，M. Omria，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B，148 (1999)，p.273-278。
[5.9] D. J. Eaglesham*，P. A. Stolk，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B，106 (1995)，p.191-197。
[5.10] D. J. Eaglesham*，A. Agarwala.b，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B，120 (1996)，p.1-4。
[5.11] Aditya Agarwala.b.*，H. -J. Gossmanna，Materials Science in Semiconductor Processing，1 (1998)，p.17-25。
[5.12] F. Roquetaa.b.*， A. Groba，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B，147 (1999)，p.298-303。
[5.13] Jing-Hong Lia.*，Mark E. Lawb，Materials Science in Semiconductor Processing，1 (1998)，p.99-106。
[6.1] David B. Williams ，Transmission Electron Microscopy，David B. Williams。
[6.2]陳力俊，材料電子顯微鏡學，國科會精儀中心。
[6.3]陳力俊，微電子材料與製程，中國材料科學學會。
[6.4]An Introduction，Electron Microscopy of Materials。