簡易檢索 / 詳目顯示
| 研究生： |
黃淑芬 Shu-Fen Huang |
|---|---|
| 論文名稱： |
含釕雙金屬(釕-鉑、釕-鈀、釕-鍶)單一來源前驅物的製備與其性質之研究 Preparation and Characterization of Ru-M (M = Pt, Pd, and Sr) Binary Precursors |
| 指導教授： |
季昀
Yun Chi |
| 口試委員: | |
| 學位類別： |
博士 Doctor |
| 系所名稱： |
理學院 - 化學系 Department of Chemistry |
| 論文出版年： | 2005 |
| 畢業學年度： | 93 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 240 |
| 中文關鍵詞： | 釕-鉑 、釕-鈀 、釕酸鍶 、雙金屬 、燃料電池 、前驅物 、化學氣相沉積 |
| 外文關鍵詞： | Ru-Pt, Ru-Pd, SrRuO3, Binary metal, Fuel cell, precursors, CVD |
| 相關次數： | 點閱：3 下載：0 |
| 分享至: |
| 查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
過渡金屬釕在化學上的應用非常廣泛，其中，雙金屬Ru-Pt作為甲醇燃料電池的催化劑，可以改善Pt的毒化現象；雙金屬Ru-Pd為氫化反應的重要催化劑，並有極佳的反應性與選擇性；Ru-Sr的氧化物則為記憶體中的底電極材料，可以增進鐵電材料的性能。CVD為目前極為熱門的薄膜製備方法，但對於多元金屬薄膜的沉積，常因各成份之間揮發性質的差異，而面臨無法控制組成的問題。因此本論文的研究重點是想合成一系列已經具備固定原子比例的多元金屬且為單一來源的前驅物，並利用化學氣相沉積技術來製備Ru-Pt、Ru-Pd與SrRuO3薄膜，並進一步針對他們的應用性，做一些基本性質的研究。第1章主要是簡介化學氣相沉積技術裡有關前驅物的設計理念與輸送系統的選擇。第2章中，我們合成了一系列含有Ru：Pt = 1：1並具有揮發性，高產率的單一來源前驅物 [CpRu(h5-C5H3CH=NR)Pt(hfac)] (R = CH2C3F7, 5a and R = Me, 5b) 和[CpRu(h5-C5H3CH2NRR’)Pt(hfac)] (R = H, R’ = CH2C3F7, 7a; R = H, R = Me, 7b and R = R’ = Me, 7c)。選用錯合物7c作為CVD前驅物，可以順利沉積 Ru-Pt合金薄膜。Ru-Pt合金薄膜對甲醇的電催化作用比傳統的Pt電極有更好的活性表現，並且可以防止CO的毒化現象。第3章中，我們合成了Ru-Pd單一來源前驅物 CpRu(h5-C5H4COCHCOR)Pd(L) (R = CF3, L = acac, 12a; R = C2F5, L = acac, 12b; R = CF3, L = hfac, 12c; R = C2F5, L = hfac, 12d)。選用錯合物12c為CVD前驅物，可以順利沉積Ru-Pd合金薄膜。在鹼性電解質條件下，Ru-Pd薄膜電極對甲醇的氧化具有活性。第4章中，我們合成了一系列具有Ru：Sr = 1：1的單一前驅物 [(h5-C5H4COCHCOMe)2RuSr(DMSO)2]2 15a 和(h5-C5H4COCHCOR)2RuSrL (R = n-C5H11, L = benzo 15 crown-5 ether, 15b; R = CF3, L = diglyme, 15c ; R = C2F5, L = diglyme, 15d and R = C2F5, L = tetraglyme, 15e)。15a與15b可以在700℃下煆燒生成SrRuO3單一相的粉末。選用錯合物15b作為前驅物，可以利用旋鍍法來沉積SrRuO3薄膜。
第1章
. S. F. Huang and Y. Chi, Chemistry (The Chinese Chem. Soc., Taipei), 2003, 61, 39.
2. T. T. Kodas and M. J. Hampden-Smith, The Chemistry of Metal CVD, VCH, Weinheim. 1994. Chapter 1.
3. F. Maury, Chem. Vap. Deposition, 1996, 2, 113.
4. (a) Y. Pauleau and A. Y. Fasasi, Chem. Mater., 1991, 3, 45. (b) S. Okeya, and S. Kawaguchi, Inorg. Synth., 1980, 20, 65.
5. J. Vetrone, C. M. Foster, G.-R. Bai, and A. J. Wang, Mater. Res., 1998, 13, 2281.
6. R. E. Sievers, E. W. Ponder, M. L. Morris, and R. W. Moshier, Inorg. Chem., 1963, 2, 693.
7. Y.-L. Tung, W.-C. Tseng, C.-Y. Lee, Y. Chi, S.-M. Peng, and G.-H. Lee, Organometallics, 1999, 18, 864.
8. (a) Y. Chi, S. Ranjan, P.-W. Chung, C.-S. Liu, S.-M. Peng, and G.-H. Lee, J. Chem. Soc., Dalton Trans., 2000, 343. (b) P.-F. Hsu, Y. Chi, T.-W. Lin, C.-S. Liu, A. J. Carty, and S.-M. Peng, Chem. Vap. Deposition, 2001, 7, 28.
9. F.-J. Lee, Y. Chi, C.-S. Liu, P.-F. Hsu, T.-Y. Chou, S.-M. Peng, and G.-H. Lee, Chem. Vap. Deposition, 2001, 7, 99.
10. Y.-L. Chen, C.-S. Liu, Y. Chi, A. J. Carty, S.-M. Peng, and G.-H. Lee. Chem. Vap. Deposition, 2002, 8, 17.
11. Y. Chi, H.-L. Yu, W.-L. Ching, C.-S. Liu, Y.-L. Chen, T.-Y. Chou, S.-M. Peng, and G.-H. Lee. J. Mater. Chem., 2002, 12, 1363.
12. (a) A. Jain, K. M. Chi, M. J. Hampden-Smith, T. T. Kodas, M. F. Paffett, and J. D. Farr, J. Electrochem. Soc., 1993, 140, 1434. (b) J. A. T. Norman, D. A. Robert, and A. K. Hochberg, Thin Solid Films, 1995, 262, 46.
13. (a) K. G.. Caulton, M. H. Chisholm, S. R. Drake, and W. E. Streib, Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 1990, 29, 1483. (b) H. A. Stecher, A. Sen, and A. L. Rheingold, Inorg. Chem., 1989, 28, 3280.
14. (a) J. A. T. Norman and G. P. Pez, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1991, 971. (b) W. A. Wojtczak, M. J. Hampden-Smith, and E. N. Duesler, Inorg. Chem., 1996, 35, 6638.
15. Y. Chi, S. Ranjan, P.-W. Chung, H.-Y. Hsieh, S.-M. Peng, and G.-H. Lee, Inorn. Chim. Acta., 2002, 334, 172.
16. W. S. Rees, CVD of Nonmetals, VCH, Weinheim, 1996, p. 12-23.
17. M. J. Crosbie, P. J. Wright, H. O. Davies, A. C. Jones, T. J. Leedham, P. O’Brien, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition, 1999, 5, 9.
18. A. C. Jones and P. O’Brien, CVD of Compound Semiconductors, VCH. 1997, Chapter 7.
19. P. O’Brien and R. Nomura, J. Mater. Chem., 1995, 5, 1761.
20. C. L. Czekaj, and G. L. Geoffrroy, Inorg. Chem., 1988, 27, 8.
21. R. A. Fischer, A. Miehr, and M. M. Schulte, Adv. Mater., 1995, 7, 58.
22. K.-M. Chi, S.-H. Liu, and S.-H. Chien, Chem. Mater., 2002, 14, 2028.
23. S.-F. Huang, Y. Chi, C.-S. Liu, A. J. Carty, K. Mast, C. Bock, B. MacDougall, S.-M. Peng, and G.-H. Lee, Chem. Vap. Deposition, 2003, 9, 157.
24. E. P. Boyd, D. R. Ketchum, H. Deng, and S. G. Shore, Chem. Mater., 1997, 9, 1154.
25. (a) T. T. Kodas and M. J. Hampden-Smith, The Chemistry of Metal CVD, VCH, Weinheim. 1994. Chapter 9. (b) P. O’Brien, N. L. Pickett, and D. J. Otway, Chem. Vap. Deposition, 2002, 8, 237.
26. (a) P. A. Lane, P. J. Wright, M. J. Crosbie, A. D. Pitt, C. L. Reeves, B. Cockayne, A. C. Jones, and T. J. Leedham, J. Cryst. Growth, 1998, 192, 423. (b) D. J. Lee, S. W. Kang, and S. W. Rhee. Thin Solid Films. 2002, 413, 237.
27. (a) D. J. Lee, S. W. Kang, and S. W. Rhee. Thin Solid Films. 2002, 413, 237. (b) K. K. Choi, S. G. Pyo, D. W. Lee, and S. W. Rhee. J. Appl. Phy., 2002, 41, 2962. (c) A. C. Jones, T. J. Leedham, P. J. Wright, M. J. Crosbie, D. J. Williams, K. A. Fleeting, H. O. Davies, D. J. Otway, and P. O'Brien, Chem. Vap. Deposition, 1998, 4, 197.
28. M. Miyake, K. Lee, S. Kawasaki, Y. Ueda, S. Okamura, and T. Shiosaki. Jpn. J. Appl. Phy., 2002, 41, 241.
29. W. C. Shin and S. G. Yoon, Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 1519.
30. P. C. Van Buskirk, S. M. Bilodeau, and R. J. Carl, Jr. US Patent 5882416, 1999.
31. T. T. Kodas and M. J. Hampden-Smith, Aerosol Processing of Materials, 1999, p537-542.
32. (a) C. Roger, T. S. Corbitt, and M. J. Hampden-Smith, Appl. Phys. Lett., 1994, 65, 1021. (b) C. Xu, M. J. Hampden-Smith, T. T. Kodas, and E. N. Duesler, Inorg. Chem., 1995, 34, 4767. (c) C. Xu, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Chem. Mater., 1995, 7, 1539. (d) L. G. Hubert-Pfalzgraf and H. Guillon, Appl. Organometal. Chem., 1998, 12, 221.
33. B. N. Hansen, B. M. Hybertson, R. M. Barkley, and R. E. Sievers, Chem. Mater., 1992, 4, 749.
第2章
. L. J. M. J. Blomen and M. N. Mugerwa, Fuel Cell Systems. 1993, Plenum Press, New York.
2. M. Baldauf and W. Preidel, J. Power Sources, 1999, 84, 161.
3. B. Beden, C. Lamy, A. Bewick, and K. Kunimatsu, J. Electroanal. Chem., 1981, 121, 343.
4. B. Beden, F. Hahn, J. M.Léger, and M. I. Dos Santos Lopes, J. Electroanal. Chem., 1989, 258, 463.
5. J. B. Goodenough, H. Hamnett, B. J. Kennedy, and S. A. Weeks, Electrochim. Acta., 1987, 32, 1233.
6. (a) K. J. Cathro, J. Electrochem. Soc., 1969, 116, 1608. (b) B. Beden, F. Kadirgan, C. Lamy, and J. M. Leger, J. Electroanal. Chem., 1981, 127, 75. (c) Y. Morimoto and E. B. Yeager, J. Electroanal. Chem., 1998, 441, 77. (d) Y. Morimoto and E. B. Yeager, J. Electroanal. Chem., 1998, 444, 95.
7. (a) M. A. Quiroz, I. Gonzalez, Y. Meas, E. Lamy-Pitara, and J. Barbier, Electrochim. Acta., 1987, 32, 289. (b) J. B. Goodenough, A. Hamnett, B. J. Kennedy, R. Manoharan, and S. A. Weeks, J. Electroanal. Chem., 1988, 240, 133. (c) S. Swathirajan and Y. M. Mikhail, J. Electrochem. Soc., 1991, 138, 1321.
8. F. Kadirgan, B. Beden, J. M. Leger, and C. Lamy, J. Electroanal. Chem., 1981, 125, 89.
9. (a) A. Hamnett and B. J. Kennedy, Electrochim. Acta., 1988, 33, 1613. (b) Y. Zhu and C. R. Cabrera, Electrochem. Solid-State Lett., 2001, 4, A45.
10. M. Watanabe and S. Motoo, J. Electroanal. Chem., 1975, 60, 259.
11. (a) D. Chu, and S. Gilman, J. Electrochem. Soc., 1996, 143, 1685. (b) G. T. Burstein, C. J. Barnett, A. R. Kucernak, and K. R. Williams, Catal. Today, 1997, 38, 425. (c) D. R. Rolison, P. L. Hagans, K. E. Swider, and J. W. Long, Langmuir, 1999, 15, 774. (d) Takasu, Y.; Fujiwara, T; Murakami, Y.; Sasaki, K.; Oguri, M.; Asaki, T.; Sugimoto, W. J. Electrochem. Soc., 2000, 147, 4421.
12. M. M. P. Janssen and J. Moolhuysen, J. Catal., 1977, 46, 289.
13. M.Watanabe, Y. Furuuchi, and S. Motoo, J. Electroanal. Chem., 1985, 191, 367.
14. T. B. Massalski, Binary Alloy Phase Diagrams. 1990.
15. A. Giroir-Fendler, D. Richard, and P. Gallezot, Faraday Discuss., 1991, 92, 69.
16. M. Watanabe, M. Uchida, and S. Motoo, J. Electroanal. Chem., 1987, 229, 395.
17. M. A. Quiroz, I. Gonzalez, Y. Meas, E. Lamy-Pitara, and J. Barbier, Electrochim. Acta., 1987, 32, 289.
18. K. Lasch, L. Jörissen and J. Garche, J. Power Sources, 1999, 84, 225.
19. T. J. Schmidt, M. Noeske, H. A. Gasteiger, R. J. Behm, P. Britz.W. Brijoux, and H. Bönnemann, Langmuir, 1997, 13, 2591.
20. (a) M. S. Nashner, A. I. Frenkel, D. L. Adler, J. R. Shapley, and R. G. Nuzzo, J. Am. Chem. Soc., 1997, 119, 7760. (b) C. W. Hills, M. S. Nashner, A. I. Frenkel, J. R. Shapley, and R. G. Nuzzo, Langmuir, 1999, 15, 690.
21. C. Pan, F. Dassenoy, M. J. Casanove, K. Philippot, C. Amiens, P. Lecante, A. Mosset, and B. Chaudret, J. Phys. Chem. B, 1999, 103, 10098.
22. (a) D. L. Boxall, and C. M. Lukehart, Chem. Mater., 2001, 13, 806. (b) D. L. Boxall, G. A. Deluga, E. A. Kenik, W. D. King, and C. M. Lukehart, Chem. Mater., 2001, 13, 891.
23. M. S. Wilson and S. Gottesfeld, J. Electrochem. Soc., 1993, 139, L28.
24. (a) C. K. Witham, W. Chun, T. I. Valdez, and S. R. Narayanan, Electrochem. Solid-State Lett., 2000, 3(11), 497. (b) K. W. Park, J. H. Chol, K. S. Ahn, and Y. E. Sung, J. Phys. Chem. B, 2004, 108, 5989.
25. Y. J. Wu, L. Ding, H. X. Wang, Y. H. Liu, H. Z. Yuan, and X. A. Mao, J. Organomet. Chem., 1997, 535, 49.
26. P. R. R. Ranatunge-Bandarage, B. H. Robinson, and J. Simpson, Organometallics, 1994, 13, 500.
27. N. A. Vol’kenau, I. N. Bolesova, L. S. Shul’pina, A. N. Kitaigorodskii, and D. N. Kravtsov, J. Organomet. Chem., 1985, 288, 341.
28. U. T. Muller-Westerhoff and Z. Yang, J. Organomet. Chem., 1993, 463, 163.
29. O. Hofer and K. Schlögl, J. Organometal. Chem., 1968, 13, 443.
30. J. M. Price, A. N. Williamson, R. F. Schramm, and B. B. Wayland, Inorg. Chem., 1972, 49, 294.
31. H. K. Shin, K. M. Chi, J. Farkas, M. J. Hampden-Smith, T. T. Kodas, and E. N. Duesler. Inorg. Chem., 1992, 31, 424.
32. Y. Chi, H. L. Yu, W. L. Ching, C. S. Liu, Y. L. Chen, T. Y. Chou, S. M. Peng, and G. H. Lee, J. Mater. Chem., 2002, 12, 1363.
33. E. Gileadi, Electrode kinetics for Chemists, Chemical engineers, and Materials Scientists, p44-47.
34. M. D. Rausch, E. O. Fischer, and H. Grubert, J. Am. Chem. Soc., 1960, 82, 76.
35. J. H. Peet and B. W. Rockett, J. Organomet. Chem., 1975, 88, C1.
36. S.-I. Kamiyama, T. Kimura, A. Kasahara, T. Izumi, and M. Maemura, Bull. Chem. Soc. Jpn., 1979, 52, 142.
37. (a) M. D. Rausch and V. Mark, J. Org. Chem., 1963, 28, 3225. (b) M. D. Rauch and A. Siegel, J. Organometal. Chem., 1968, 317, 324.
38. (a) M. Crespo, X. Solans, and M. Font-Bardía, Polyhedron, 1998, 17, 3927. (b) J. M. Vila, M. T. Pereira, J. M. Ortigueira, D. Lata, M. L. Torres, J. J. Fernández, A. Fernández, and H. Adams. J. Organomet. Chem., 1998, 566, 93.
39. I. M. Al-Najjar, A. M. Abdulrahman, J. K. Al-Refai, L. A. Al-Shabanah, and L. A. Al-Mutabagani, Transition Met. Chem., 2002, 27, 799.
40. M. J. Burk, A. J. Arduengo, III, J. C. Calabrese, and R. L. Harlow, J. Am. Chem. Soc., 1989, 111, 8939.
41. C. H. Winter, Y.-H. Han, and M. J. Heeg, Organometallics, 1992, 11, 3169.
42. (a) D. Barreca, A. Buchberger, S. Daolio, L. E. Depero, M. Fabrizio, F. Morandini, G. A. Rizzi, L. Sangaletti, and E. Tondello, Langmuir, 1999, 15, 4537. (b) S.-E. Park, H.-M. Kim, K.-B. Kim, and S.-H. Min, J. Electrochem. Soc., 2000, 147, 203. (c) R. S. Chen, Y. S. Huang, Y. L. Chen and Y. Chi, Thin Solid Films, 2002, 413, 85.
43. V. Radmilović, H. A. Asteiger, and P. N. Ross, Jr., J. Catal., 1995, 154, 98.
44. E. Antolini and F. Cardellini, J. Alloys and Compounds., 2001, 315, 118.
45. K. Kinoshita and P. Stonehart, Modern Aspects of Electrochemistry, 1977. 12. 235.
46. R. Kötz, H. J. Lewerenz, and S. Stucki, J. Electrochem. Soc., 1983, 130, 825.
47. M. Peuckert, F. P. Coenan, and H. P. Bonzel, Electrochim. Acta., 1984, 29, 1305.
48. M.Peuckert, Electrochim. Acta., 1984, 29, 1315.
49. K. S. Kim, N. Winograd, and R. E. Davis, J. Am. Chem. Soc., 1971, 93, 6296.
50. A. S. Aricò, P. Cretì, H. Kim, R. Mantegna, N. Giordano, and V. Antonuccì, J. Electrochem. Soc., 1996, 143, 3950.
51. H. Kim, I. Rabelo de Moraes, G. Tremiliosi-Filho, R. Haasch, and A. Wieckowski, Surf. Sci., 2001, 474, L203.
52. J. B. Goodenough, R. Manoharan, A. K. Shukla, and K. V. Ramesh, Chem. Mater., 1989, 1, 391.
53. H. Y. H. Chan, C. G. Takoudis, and M. J. Weaver, J. Catal., 1997, 172, 336.
54. J. B. Goodenough, A. Hamnett, B. J. Kenny, and S. A. Weeks, Electrochim. Acta., 1987, 32, 1233.
55. J. A. Don, A. P. Pijpers and J. J. F. Scholten, J. Catal., 1983, 80, 296.
56. D. T. Sawyer and A. Sobkowiak. Electrochemistry for chemists. 1995. p217.
57. H. A. Gasteiger, N. Marković, P. N. Ross, Jr. and E. J. Cairns, J. Phys. Chem., 1993, 97, 12020.
58. S. Hadzi-Jordanov, H. Angerstein-Kozlawska, M. Vukovic, and B. E. Conway, J. Phys. chem., 1977, 81, 2271.
59. S. Hadzi-Jordanov, H. Angerstein-Kozlawska, M. Vukovic, and B. E. Conway, J. Electrochem. Soc., 1978, 125, 1471.
60. (a) J. B. Goodenough, A. Hamnett, B. J. Kennedy, R. Manoharan, and S. A. Weeks, J. Electroanal. Chem. 1988, 240, 133. (b) K. Franaszczuk and J. Sobkowski, J. Electroanal. Chem. 1992, 327, 235. (c) M. Krausa and W. Vielstich, J. Electroanal. Chem. 1994, 379, 307. (d) H. A. Gasteiger, N. Marković, P. N. Ross, Jr., and E. J. Cairns, J. Electrochem. Soc. 1994, 141, 1795.
61. T.D. Tran and S. H. Langer, Anal. Chem. 1993, 65, 1805.
62. C. L.Green and A. Kucernak, J. Phys. Chem. B 2002, 106, 1036.
63. (a) H. A. Gasteiger, N. Marković, P. N. Ross, Jr., and E. J. Cairns, J. Phys. Chem., 1994, 98, 617. (b) K. A.Friedrich, K. -P. Geyzers, U.Linke, U. Stimming, and J. Stumper, J. Electroanal. Chem., 1996, 402, 123. (c) T. J. Schmidt, M. Noeske, H. A. Gasteiger, R. J. Behm, P. Britz, and H. Bönnemann, J. Electrochem. Soc., 1998, 145, 925. (d) Y. Takasu, T. Fujiwara, Y. Murakami, K.Sasaki, M. Oguri, T. Asaki, and W. Sugimoto, J. Electrochem. Soc., 2000, 147, 4421.
64. P. L. Hagana, K. E. Swider, and D. R. Rolison, Electrode materials and processes for energy conversion and storge IV, 1997, 97-13, 86.
65. A. Hamnett, S. A. Weeks, B. J. Kennedy, G. Troughton, and P. A. Christensen, Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem., 1990, 94, 1014.
66. P. R. Norton, J. W. Goodale, and E. B. Selkirk, Surf. Sci., 1979, 83, 189.
67. M. Peuckert, F. P. Coenan, and H. P. Bonzel, Electrochim. Acta., 1984, 29, 1305.
第3章
. N. R. Roshan, N. I. Parfenova, V. P. Polyakova, E. M. Savitsky, A. P. Mischenko, V. M. Gryaznov, M. E. Sarylova. U. S. Patent 4489039. 1984.
2. J. H. Sinfelt, Bimetallic Catalysts. Discoveries, Concepts, and Applications. 1983.
3. (a) R. H. Crabtree. The Organometallic Chemistry of the Transition Metals. 1994. (b) A. G. Knapton. Platinum Metals Review. 1977.
4. (a) D. T. Thompson, A. J. Bird, E. J. Pearson. U. S. Patent 4260817. 1981. (b) H. Schroeder and D. E. James. U. S. Patent 4892972. 1990.
5. S. H. Jhung and Y. -S. Park, J. Korea. Chem Soc., 2002, 46, 57.
6. G. Córdoba, J. L. G. Fierro, A. López-Gaona, N. Martín, and M.Viniegra. J. Mol. Catal A: Chem., 1995, 96, 155.
7. Z. K. Yu, S. J. Liao, Y. Xu, B. Yang, and D. R. Yu, J. Mol. Catal. A: Chem., 1997, 120, 247.
8. C. K. Ryu, M. W. Ryoo, I. S. Ryu, and S. K. Kang, Catal. Today, 1999, 47, 141.
9. S. Hermans and M. Devillers. Appl. Catal. A: Gen., 2002, 235, 253.
10. Y. Cao, B. Liu, and J. Deng, Appl. Catal. A-Gen., 1997, 154, 129.
11. S. W. Nam, S. P. Yoon, H. Y. Ha, S. A. Hong and A. P. Maganyuk. Korean J. Chem. Eng., 2000, 17, 288.
12. N. Furuya, T. Yamazaki and M. Shibata. J. Electroanal. Chem., 1997, 431, 39.
13. T. B. Massalski, Binary Alloy Phase Diagrams. 1990.
14. R. Raja, G. Sankar, S. Hermans, D. S. Shephard, S. Bromley, J. M. Thomas, B. F. G. Johnson, T. Maschmeyer, Chem. Commun., 1999, 1571.
15. F. Pinna, M. Signoretto, G. Strukul, A. Benedetti, M. Malentacchi, N. Pernicone, J. Catal., 1995, 155, 166.
16. R. A. Campbell, J. A. Rodriguez, D. W. Goodman, Phys. Rev. B, 1992, 46, 7077.
17. R. Raja, G. Sankar, S. Hermans, D. S. Shephard, S. Bromley, J. M. Thomas and B. F. G. Johnson. Chem. Commun. 1999, 16, 1571.
18. 黃炳照，羅一玲。化工技術，1993，第一卷第五期，30。
19. W. R. McClellan, H. H. Hoen, H. N. Cripps, E. L. Mutterties, B. W. Howk, J. Am. Chem. Soc., 1961, 83, 1601.
20. J. K. Becconsall, B. E. Job, S. O'Brien, J. Chem. Soc. A, 1967, 423.
21. S. Okeya, S. Ooi, K. Matsumoto, Y. Nakamura, and S. Kawaguchi, Bull. Chem. Soc. Jpn., 1981, 54, 1085
22. (a) Z. Yuan, R. J. Puddephatt, Adv. Mater., 1994, 6, 51. (b) Z. Yuan, R. J. Puddephatt, Chem. Vap. Deposition, 1997, 3, 81. (c) Y. Zang, Z. Yuan, R. J. Puddephatt, Chem. Mater., 1998, 10, 2293.
23. Y.-L. Tung, W.-C. Tseng, C.-Y. Lee, Y. Chi, S.-M. Peng, and G.-H. Lee, Organometallics, 1999, 18, 864.
24. N. A. Vol’kenau, I. N. Bolesova, L. S. Shul’pina, A. N. Kitaigorodskii, and D. N. Kravtsov, J. Organomet. Chem., 1985, 288, 341.
25. M. D. Rausch, E. O. Fischer, and H. Grubert. J. Am. Chem. Soc., 1960, 82, 76.
26. (a) S. D. Robinson and B. L. Shaw, J. Chem. Soc., 1963, 4806. (b) M. Sakakibara, Y. Takahashi, S. Sakai, and Y. Ishii, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1969, 396. (c) B. Akermark, S. Hansson, B. Krakenberger, A. Vitagliano, and K. Zetterberg, Organometallics, 1984, 3, 679.
27. D. J. Otway and W. S. Rees Jr, Coord. Chem. Rev. 2000, 210, 279.
28. C. E. Cain, T. A. Mashburn, Jr. and C. R. Hauser. J. Org. Chem., 1961, 26, 1030.
29. W. R. Cullen, S. R. Retting, and E. B. Wickenheiser. J. Mol. Catal., 1991, 66, 251.
30. W. C. du Plessis,T. G. Vosloo, and J. C. Swarts. J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1998, 2507.
31. M. I. Bruce, M. A. Bennett, and T. W. Matheson, Comprehensive Organometallic Chemistry, 1982, Vol. 4, Chapter 32.
32. W. Bell, J. A. Crayston, and C. Glidewell. J. Organomet. Chem., 1992, 434, 115.
33. J. S. Walia and L. C. Vishwakarma. Chem. Commun., 1969, 396.
34. L. G. Wade, JR, Organic Chemistry, Ch1, p418.
35. (a) W. M. Hrospool and R. G. Sutherland. Tetrahedron Letters, 1967, 4165. (b) W. M. Hrospool, R. G. Sutherland, and J. R. Sutton. Can. J. Chem., 1969, 47, 3085.
36. (a) M. Ðuran, S. Konstantinović, V. Pavlović, J. Predojević, Z. Ratković, A. Rufinska, and S. Simova, J. Serb. Chem. Soc., 1995, 60, 737. (b) S. Konstantinović, S. Simova, A. Rufinska, Z. Ratković, J. Predojević, and Ð M. Ðuran, J. Serb. Chem. Soc., 1996, 61, 1127.
37. W. G. Young, F. F. Caserio, Jr. and D. D. Brandon, Jr. J. Am. Chem. Soc., 1960, 6163.
38. R. M. Magid, B. G. Talley, and S. K. Souther, J. Org. Chem., 1981, 46, 824.
39. A. K. Mandal and S. W. Mahajan, Tetrahedron Letters, 1985, 26, 3863.
40. J. K. Pudelski and M. R. Callstrom, Organometallics, 1994, 13, 3095.
41. S. Kamiyama, T. M. Suzuki, T. Kimura, and A. Kasahara, Bull. Chem. Soc. Jpn., 1978, 51, 909.
42. P. Comba and T. Gyr, Eur. J. Inorg. Chem., 1999, 1787.
43. G. P. Revkevitch, M. K. Mitkova, and A. A. Katsnelson. J. Alloys and Compd. 1994, 216, 183.
44. (a) D. Barreca, A. Buchberger, S. Daolio, L. E. Depero, M. Fabrizio, F. Morandini, G. A. Rizzi, L. Sangaletti, and E. Tondello, Langmuir, 1999, 15, 4537. (b) S.-E. Park, H.-M. Kim, K.-B. Kim, and S.-H. Min, J. Electrochem. Soc., 2000, 147, 203. (c) R. S. Chen, Y. S. Huang, Y. L. Chen and Y. Chi, Thin Solid Films, 2002, 413, 85.
45. A. L. Cabrera, E. Morales-Leal, J. Hasen and I. K. Schuller. Catal. Lett. 1995, 30, 11.
46. J. Storm, R. M. Lambert, N. Memmel, J. Onsgaard, and E. Taglauer, Surf. Sci. 1999, 436, 259.
47. H. Kim, I. Rabelo de Moraes, G. Tremiliosi-Filho, R. Haasch, and A. Wieckowski, Surf. Sci., 2001, 474, L203.
48. H. Y. H. Chan, C. G. Takoudis, and M. J. Weaver, J. Catal., 1997, 172, 336.
49. J. A. Rodriguez, R. A. Campbell, and D. W. Goodman, J. Phys. Chem., 1991, 95, 5716.
50. Ph. P. Andonoglou and A. D. Jannakoudakis, Electrochim. Acta. 1997, 42, 1905.
51. F. Kadirgan, B. Beden, J. M. Leger, and C. Lamy, J. E.ectroanal. Chem., 1981, 125, 89.
52. K. Nishimura, K. Kunimatsu, and M. Enyo, J. E.ectroanal. Chem., 1989, 260, 167.
53. A. Capon and R. Parsons, J. E.ectroanal. Chem., 1973, 44, 239.
54. V. S. Bagotzky and Y. B. Vassiliev, Electrochim. Acta, 1967, 12, 1323.
55. T. Biegler. J. Phys. Chem., 1968, 7, 1571.
56. (a) J. Prabhuram and R. Manoharan, Bull. Electrochem. 1998, 14, 255. (b) R. Manoharan and J. Prabhuram,J. Power Sources, 2001, 96, 220.
第4章
. J. F. Scott and C. A. Paz, Science, 1989, 246, 1400.
2. (a) C. B. Eom, et al. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2570. (b) T. Morimoto, O. Hidaka, K. Yamakawa, O. Arisumi, H. Kanaya, T.Iwamoto, Y. Kumura, I.Kunishima, and S. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phy. 2000, 39, 2110.
3. S. D. Bernstein, T. Y. Wong, Y. Kisler, and R. W. Tustison. J. Mater. Res., 1993, 8, 12.
4. T. Nakamura, Y. Nakao,A. Kamisawa and H. Takasu. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 5207.
5. E. P. Marsh, US Patent 6342445, 2002.
6. C. W. Jones, P. D. Battle, P. Lightfoot, and W. T. A. Harrison. Acta Cryst. C 45, 1989, 365.
7. S. L. Cuffini, V. A. Macagno, and R. E. Carbonio, J. Solid State Chem., 1993, 105, 161.
8. J. J. Randall and R. Ward, J. Am. Chem. Soc. 1959, 81, 2628.
9. T. L. Popova, G. N. Butuzov, V. P. Karlov, and N. G. Kisel¢, Russ. J. Inorg. Chem., 1985, 30, 227.
10. N. M. Sinitsyn, V. N. Kokunova, and V. V. Kravchenko, Russ. J. Inorg. Chem., 1985, 30, 396.
11. Y. Senzaki, M. J. Hampden, T. T. Kodas, and J. W. Hussler, J. Am. Ceram. Soc., 1995, 78, 2977.
12. (a) C. B. Eom, et al. Science 1992, 258, 1766. (b) C. B. Eom, et al. Appl. Phys. Lett., 1993, 63, 2570. (c) C. M. Foster, et al. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1995, 361, 307.
13. (a) X. D. Wu, S. R. Foltyn, R. C. Dye, Y. Coulter, and R. E. Muenchausen. Appl. Phys. Lett., 1993, 62, 2434. (b) Q. X. Jia, F. Chu, C. D. Adams, and X. D. Wu., J. Mater. Res., 1996, 11, 2263.
14. J. P. Mercurio, J. H. Yi, M. Manier, and P. Thomas, J. Alloys Compd. 2000, 308, 77.
15. (a) R. Breitkopf, L. J. Meda, T. Haas, and R. U. Kirss, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998, 495, 51. (b) N. Okuda, K. Saito, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phy. 2000, 39, 572. (c) E. P. Marsh US Patent 6342445, 2002. (d) E. S. Choi, Y. S. Choi, and S. G. Yoon. J. Electrochem. Soc. 2002, 149, G232. (e) N. Higashi, Y. Murakami, H. Machida, S. Seki, Y. Sawad, and H. Funakubo, Thin Solid Films, 2002, 409, 33.
16. D. J. Otway and W. S. Ress, Jr. Coord. Chem. Rev. 2000, 210, 279.
17. S. R. Drake, M. B. Hursthouse, K. M. A. Malik, and D. J. Otway, J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1993, 2883.
18. T. Kimura, H. Yamauchi, H. Machida, H. Kokubun, and M. Yamada, Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 5119.
19. J. A. T. Norman and G. P. Pez, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1991, 971.
20. (a) K. Timmer, K. I. M. A. Spee, A. Mackor, H. A. Meinema, A. L. Spek, and P. van der Sluis, Inorg. Chim. Acta, 1991, 190, 109. (b) G. Malandrino, F. Castelli, and I. L. Fragalà, Inorg. Chim. Acta, 1994, 224, 203.
21. (a) S. R. Drake, M. B. Hursthouse, K. M. A. Malik, and S. A. S. Miller, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1993, 478. (b) S. R. Drake, M. B. Hursthouse, K. M. A. Malik, and D. J. Otway, J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1993, 2883. (c) W. Paw, T. H. Baum, K. C. Lam, and A. L. Rheingold, Inorg. Chem., 2000, 39, 2011. (d) J.Brooks, H. O.Davies, T. J. Leedham, A. C. Jones, and A. Steiner, Chem. Vap. Deposition, 2000, 6, 66.
22. (a) J. T. Adams and C. R. Hauser. J. Am. Chem. Soc., 1944, 66, 1220. (b) Z.-M. Liu, Y.-H. Sun, and Y.-D. Shang. Huaxue Shiji, 1996, 18, 5-6; 16.
23. N. A. Vol’kenau, I. N. Bolesova, L. S. Shul’pina, A. N. Kitaigorodskii, and D. N. Kravtsov, J. Organomet. Chem. 1985, 288, 341.
24. M. D. Rausch, E. O. Fischer, and H. Grubert. J. Am. Chem. Soc., 1960, 82, 76.
25. W. R. Cullen, S. R. Retting, and E. B. Wickenheiser. J. Mol. Catal., 1991, 66, 251.
26. C. E. Cain, T. A. Mashburn, Jr. and C. R. Hauser. J. Org. Chem., 1961, 26, 1030.
27. W. C. du Plessis,T. G. Vosloo, and J. C. Swarts. J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1998, 2507.
28. U. Bemm, K. Lashgari, R. Norrestam, M. Nygren, and G. Westin. J. Solid State Chem., 1994, 108, 243.
29. Y. Shen, Y. Pan, G. Dong, X. Sun, and X. Huang. Polyhedron, 1998, 17, 69.
30. S. R. Drake, S. A. S. Miller, M. B. Hursthouse, and K. M. A. Malik. Polyhedron, 1993, 12, 1621.
31. G. Moreau, R. Scopelliti, L. Helm, J. Purans, and A. E. Merbach. J. Phys. Chem. A, 2002, 106, 9612.
32. (a) E. Gyepes, T. Gloeiak, S. Toma, and J. Soldanova. J. Organomet. Chem., 1984, 276, 209. (b) E. Gyepes, T. Gloeiak, and S. Toma. J. Organomet. Chem., 1986, 316, 163. (c) D. F. Mullica, J. W. Karban, and D. A. Grossie, Acta Crystallogr. Sect. C, 1987, 43, 601.
33. (a) R. D. G. Jones. Acta Crystallogr. Sect. B, 1976, 32, 1807. (b) R. D. G. Jones. Acta Crystallogr. Sect. B, 1976, 32, 2133. (c) W. Bell, J. A. Crayston, and C. Glidewell. J. Organomet. Chem., 1992, 434, 115.
34. A. H. Lowrey, C. George, P. D’Antonio, and J. Karle. J. Am. Chem. Soc., 1971, 93, 6399.
35. M. S. Chen, T. B. Wu, and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett., 1996, 68,1430.
36. (a) C. E. Rice, A. F. J. Levi, R. M. Fleming, P. Marsh, and K. W. Baldwin, Appl. Phys. Lett. 1988, 52, 1828. (b) S. R. Gilbert, B. W. Wessels, D. A. Neumayer, T. J. Marks, J. L. Schindler, and C. R. Kannewurf, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1994, 335, 41.
37. H. Y. H. Chan, C. G. Takoudis, and M. J. Weaver, J. Catal., 1997, 172, 336.
38. (a) K. S. Kim and N. Winograd, J. Catal. 1974, 35, 66. (b) R. Kötz, H. J. Lewerenz, and S. Stucki, J. Electrochem. Soc., 1983, 130, 825.
39. W. E. Bell and M. Tagami, J. Phys. Chem., 1963, 67, 2432.
40. K. Wattanabe, M. Ami, and M. Tanaka, Mater. Res. Bull., 1997, 32, 83.
41. Y. K. Tseng, K. S. Liu, S. F. Huang, Y. Chi, and I. N. Lin, Integrated Ferroelectrics, 2000, 30, 157.
全文公開日期 本全文未授權公開 (校內網路)全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)