本實驗使用不同斜切角度的矽(111)晶片成長類鑽膜，不同斜切角度的矽晶片表面具有不同的台階寬度，在不同斜切角度試片上所成長出的薄膜型態則有一般的非晶質類鑽膜和具有尖端結構的類鑽膜，我們利用場發射掃描式電子顯微鏡觀察試片的橫截面型態， 類鑽膜的外在型態會受該試片台階寬度的影響，在未斜切的矽(111)晶片上和台階寬度為27.75A的晶片上所成長的類鑽膜是緻密的結構，在台階寬度21.09 A和14.43 A的晶片上所成長的類鑽膜則具有尖端結構，除了類鑽膜的外在型態的不同，在具有尖端結構的類鑽膜中，尖端結構的密度會和台階寬度有關， 具有尖端結構的類鑽膜其單位面積內尖端結構的數目和試片的台階寬度有關，台階寬度為14.43A的試片比台階寬度21.09 A的試片具有較多數量的尖端結構。另外藉由歐傑電子能譜儀觀察橫截面上矽原子和碳原子濃度分布，推論碳化矽中間層可能伴隨尖端結構一起出現。為了知道類鑽膜鍵結的情形，探討斜切試片對類鑽膜結構的影響，我們使用拉曼光譜儀對四組試片作分析，圖中不同斜切試片的類鑽膜譜線並沒有很大的差別，表示四組試片的內部結構並沒有很大的差異，這說明斜切晶片並不會影響類鑽膜的結構，最後並對形成的機制提出簡單的推論。

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